一种新型电感结构的制作方法

本技术涉及电子元器件制造领域，特别涉及一种新型电感结构。

背景技术：

1、线圈电感器通常用于电气应用，可分为用于信号处理的射频(rf)电感器和用于电源线的功率电感器。在rf电感器的应用中，线圈电感器可用于扼流、阻塞、衰减或过滤/平滑电路中的高频噪声。在功率电感器的应用中，功率电感器形成dc-dc转换器或其它设备中的电压转换电路的一部分。例如，在升压、降压或升压/降压电路中使用功率电感器将特定电压转换为所需电压。

2、传统电感绕线的导线是采用厚度和宽度一致的金属材料制作的，这种方式会使多圈绕制时不同层导线在堆叠时出现的孔洞1，如图1所示。特别是外层线圈导体的有效利用率更低(即电阻更大)；有鉴于此，本司设计了一种在相同空间下能够提高导体有效利用率的新型电感结构。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种新型电感结构。

2、本实用新型要解决的是相同空间下的道题利用率低的问题。

3、为了解决上述问题，本实用新型通过以下技术方案实现：

4、一种新型电感结构，包括：

5、若干导电线圈，每一所述导电线圈均为螺旋形绕圈；

6、若干绝缘膜，所述绝缘膜与所述导电线圈沿第一方向间隔层叠设置；每一所述绝缘膜包括至少一个通孔；以及

7、触点，所述触点设置于每一所述通孔内，以使得位于该通孔两侧的导电线圈之间电接触；

8、其中，上下相邻所述导电线圈之间通过触点首尾连接,所述导电线圈的电流流向同为顺时针或同为逆时针；

9、同一所述导电线圈的总线宽保持一致，所述总线宽是指导线螺旋绕圈后形成的环状的导电线圈的环带宽度，每一层所述导电线圈的总线宽保持一致。

10、进一步地，所述导电线圈包括螺旋线圈及与所述螺旋线圈相连的补增导电区，所述螺旋线圈由厚度和宽度一致的导电膜形成，所述补增导电区用于所述补增所述螺旋线圈的边缘使其与上下相邻的螺旋线圈的边缘对齐。

11、进一步地，所述补增导电区包括补增一部和/或补增二部，所述螺旋线圈的外边缘朝外延伸至与相邻所述螺旋线圈的外边缘对齐形成所述补增一部，所述螺旋线圈的内边缘朝内延伸至与相邻所述螺旋线圈的内边缘对齐形成所述补增二部。

12、进一步地，所述补增导电区的高度与螺旋线圈齐平。

13、进一步地，所述补增导电区与所述螺旋线圈一体成型。

14、进一步地，所述补增导电区与所述螺旋线圈的端部距离大于等于所述螺旋线圈的线间距。

15、进一步地，底层的所述导电线圈的起始端及顶层的所述导电线圈的末端为电极端。

16、与现有技术相比，本实用新型技术方案及其有益效果如下：

17、(1)本实用新型的电感结构，同一层的导电线圈的总线宽w保持一致，从而避免了孔洞的形成，进而使得导体利用率高即相同空间下导体的电阻更低，且每一层导电线圈的总线宽w均保持一致，从而使得形成的电感结构的稳定性更好。

18、(2)本实用新型的导电线圈包括螺旋线圈及补增导电区，补增导电区用于补增螺旋线圈的边缘使其与上下相邻的螺旋线圈的边缘对齐，通过设置补增导电区避免了孔洞的形成。

19、(3)本实用新型的补增导电区与螺旋线圈经过光刻或蚀刻一体成型，从而使得线圈线宽可灵活多变。

技术特征：

1.一种新型电感结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种新型电感结构，其特征在于，所述导电线圈包括螺旋线圈及与所述螺旋线圈相连的补增导电区，所述螺旋线圈由厚度和宽度一致的导电膜形成，所述补增导电区用于补增所述螺旋线圈的边缘使其与上下相邻的螺旋线圈的边缘对齐。

3.根据权利要求2所述的一种新型电感结构，其特征在于，所述补增导电区包括补增一部和/或补增二部，所述螺旋线圈的外边缘朝外延伸至与相邻所述螺旋线圈的外边缘对齐形成所述补增一部，所述螺旋线圈的内边缘朝内延伸至与相邻所述螺旋线圈的内边缘对齐形成所述补增二部。

4.根据权利要求2所述的一种新型电感结构，其特征在于，所述补增导电区的高度与螺旋线圈齐平。

5.根据权利要求2所述的一种新型电感结构，其特征在于，所述补增导电区与所述螺旋线圈经过光刻或蚀刻一体成型。

6.根据权利要求2所述的一种新型电感结构，其特征在于，所述补增导电区与所述螺旋线圈的端部距离大于等于所述螺旋线圈的线间距。

7.根据权利要求1所述的一种新型电感结构，其特征在于，底层的所述导电线圈的起始端及顶层的所述导电线圈的末端为电极端。

技术总结
本技术提供了一种新型电感结构，包括若干导电线圈、若干绝缘膜以及若干触点，导电线圈与绝缘膜沿第一方向间隔层叠设置，每一绝缘膜上设置有至少一个通孔(未图示)，触点位于通孔内，上下相邻的导电线圈之间通过触点首尾连接,每一导电线圈的电流流向同为顺时针或同为逆时针。每一导电线圈均为螺旋形绕圈，底层的导电线圈的起始端及顶层的导电线圈的末端为电极端。同一导电线圈的总线宽保持一致，即由导线螺旋绕圈后形成的环状的导电线圈的环带宽度一致，从而避免了孔洞的形成，进而使得导体利用率高即相同空间下导体的电阻更低，每一层导电线圈的总线宽均保持一致，从而使得形成的电感结构的稳定性更好。

技术研发人员：陈世伟,刘雪松,沈枫泽
受保护的技术使用者：英麦科（厦门）微电子科技有限公司
技术研发日：20230730
技术公布日：2024/1/25