耦合器及射频芯片的制作方法

本技术涉及无线通讯，尤其涉及一种耦合器及射频芯片。

背景技术：

1、wifi通信是重要的通讯方式之一，如同传统的蜂窝通信持续升级带来的高速通信一样，wifi通信及相应的fem芯片也在持续升级，以使其达到更高的网速。

2、wifi fem的功率检测方式采用的是vdet监测电压的方法,随着wifi fem不断的升级演化，耦合器(耦合器)的技术正逐步应用于wifi fem芯片内部。耦合器技术对于闭环功率控制相较于传统的电压监测，其具有功率监测稳定、线性度优等优势，耦合器的方向性作为耦合器核心指标，关系着耦合器性能的好坏。wifi频段分为2.4g和5g两种频段，由于频段的分段，耦合器又是一种连续性器件，从而导致同一种耦合器很难做到从2.4ghz-5.8ghz均保证良好的方向性，且传统优化耦合器的方向性的方式带宽均有限。

3、图1为相关技术中的双微带线耦合器的电路结构图，其包括第一微带线a以及与第一微带线a耦合的第二微带线b，第一微带线a的两端分别作为射频输入端口和天线输出端口，第二微带线b的两端分别作为隔离端口和耦合输出端口，另外，其还会将一个50ω负载的电阻r连接至隔离端口，并使电阻r的另一端接地。该双微带线耦合器主要工作原理就是利用射频耦合特性，使射频信号从射频输入端口向天线输出端口传输，耦合线由于里传输主线较近，因此会有一定的能量从传输通路上耦合到耦合线，且其隔离端口是一个固定50ω的电阻r到地，因此该耦合器的耦合能量方向是固定从隔离端口向耦合输出端口传输，该耦合器是一个定向耦合器。图2为相关技术中双微带线耦合器的仿真示意图，其中，s(3，1)为耦合器的耦合系数，s(3，2)为定向耦合器的隔离系数，耦合器的方向性即为两个s参数的差值，以相关技术中双微带线耦合器的仿真为例，标示线m1处2.4ghz、标示线m2处2.5ghz、标示线m3处5.1ghz、标示线m4处5.8ghz、标示线m5处5.5ghz的耦合系数分别为-21.2db、-20.8db、-14.8db、-13.8db、-14.2db对应的隔离系数分别为-39db、-38.6db、-31.1db、-29.7db、-30.3db，因此该耦合器的方向性分别为17.8db、17.8db、16.3db、15.9db、16.1db，即相关技术中的双微带线耦合器的方向性较差。

技术实现思路

1、针对以上现有技术的不足，本实用新型提出一种耦合器及射频芯片，以解决相关技术中耦合器的方向性较差的问题。

2、为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

3、第一方面，本实用新型提供一种耦合器，所述耦合器包括第一微带线以及与所述第一微带线耦合的第二微带线；所述第一微带线的两端分别作为射频输入端口和天线输出端口，所述第二微带线的两端分别作为耦合输出端口和隔离端口；所述耦合器还包括电阻、第一谐振电路以及第二谐振电路；所述第一谐振电路的第一端连接至所述隔离端口，所述第二谐振电路的第一端连接至所述第一谐振电路的第二端，所述电阻的第一端连接至所述第二谐振电路的第二端，所述电阻的第二端接地；所述第一谐振电路和所述第二谐振电路共同用于增加所述耦合器的反向隔离度以提升其单向的方向性。

4、优选的，所述第一谐振电路包括第一电感和第一电容；所述第一电感的第一端作为所述第一谐振电路的第一端，所述第一电容的第一端连接至所述第一电感的第二端，所述第一电容的第二端作为所述第一谐振电路的第二端。

5、优选的，所述第二谐振电路包括并联设置的第二电感和第二电容；所述第二电感与所述第二电容并联后的一端作为所述第二谐振电路的第一端，所述第二电感与所述第二电容并联后的另一端作为所述第二谐振电路的第二端。

6、第二方面，本实用新型提供一种射频芯片，所述射频芯片包括上述的耦合器。

7、与相关技术相比，本实用新型中的耦合器通过在第二微带线的隔离端口增设第一谐振电路和第二谐振电路，并通过第一谐振电路和第二谐振电路共同增加耦合器的反向隔离度以提升其单向的方向性，从而可以增加耦合器的反向隔离度，进而提升其单向的方向性。

技术特征：

1.一种耦合器，所述耦合器包括第一微带线以及与所述第一微带线耦合的第二微带线；所述第一微带线的两端分别作为射频输入端口和天线输出端口，所述第二微带线的两端分别作为耦合输出端口和隔离端口；其特征在于，所述耦合器还包括电阻、第一谐振电路以及第二谐振电路；所述第一谐振电路的第一端连接至所述隔离端口，所述第二谐振电路的第一端连接至所述第一谐振电路的第二端，所述电阻的第一端连接至所述第二谐振电路的第二端，所述电阻的第二端接地；所述第一谐振电路和所述第二谐振电路共同用于增加所述耦合器的反向隔离度以提升其单向的方向性。

2.如权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述第一谐振电路包括第一电感和第一电容；所述第一电感的第一端作为所述第一谐振电路的第一端，所述第一电容的第一端连接至所述第一电感的第二端，所述第一电容的第二端作为所述第一谐振电路的第二端。

3.如权利要求2所述的耦合器，其特征在于，所述第二谐振电路包括并联设置的第二电感和第二电容；所述第二电感与所述第二电容并联后的一端作为所述第二谐振电路的第一端，所述第二电感与所述第二电容并联后的另一端作为所述第二谐振电路的第二端。

4.一种射频芯片，其特征在于，所述射频芯片包括如权利要求1至3任一项所述的耦合器。

技术总结
本技术提供了一种耦合器及射频芯片，所述耦合器包括第一微带线以及与所述第一微带线耦合的第二微带线；所述第一微带线的两端分别作为射频输入端口和天线输出端口，所述第二微带线的两端分别作为耦合输出端口和隔离端口；所述耦合器还包括电阻、第一谐振电路以及第二谐振电路；所述第一谐振电路的第一端连接至所述隔离端口，所述第二谐振电路的第一端连接至所述第一谐振电路的第二端，所述电阻的第一端连接至所述第二谐振电路的第二端，所述电阻的第二端接地。本技术的耦合器可以增加其反向隔离度，以提升其单向的方向性。

技术研发人员：周佳辉,郭嘉帅
受保护的技术使用者：深圳飞骧科技股份有限公司
技术研发日：20230731
技术公布日：2024/1/22