一种高强度型复合石墨接地体的制作方法

文档序号:36764891发布日期:2024-01-23 10:52阅读:14来源:国知局
一种高强度型复合石墨接地体的制作方法

本技术涉及接地体,特别是涉及一种高强度型复合石墨接地体。


背景技术:

1、目前,石墨接地体是一种良好的导电体,将它施用于土壤紧密接触,扩大散流截面积,降低与土壤间的接触电阻。

2、专利号为cn201320046229.x的中国专利公开了一种防雷接地体,属于导电体技术领域。一种防雷接地体,包括金属层,所述金属层外表面包覆有石墨层。所述金属层为钢或铜或不锈钢制成的导电层。但是该防雷接地体整体的强度和导电性能均不佳。


技术实现思路

1、本实用新型的目的是克服了现有技术的问题,提供了一种高强度且高导电性能的高强度型复合石墨接地体。

2、为了达到上述目的,本实用新型采用以下方案:

3、一种高强度型复合石墨接地体,包括接地本体;所述接地本体包括:

4、内芯体,

5、石墨层,其相适配包套在所述内芯体的外周侧上;

6、纳米陶瓷合金层,其相适配包套在所述石墨层的外周侧上;

7、保护外层,其相适配包套在所述纳米陶瓷合金层的外周侧上。

8、进一步地,所述内芯体为铜线缠绕编织成的铜芯体。

9、进一步地,所述内芯体为呈圆形或方形的铜合金芯体。

10、进一步地,所述石墨层的外周侧壁上设有若干个绕所述内芯体均匀布设且朝外延伸凸出的外凸起;所述纳米陶瓷合金层的内周侧壁对应每个所述外凸起的位置设有与每个所述外凸起对应相适配的内凹槽。

11、进一步地,所述石墨层和纳米陶瓷合金层均呈柱体环状结构。

12、进一步地,所述保护外层为合成纤维层或无机纤维层。

13、进一步地,所述合成纤维层为由聚对苯二甲酰对苯二胺制成;所述石墨层为膨胀石墨层。

14、进一步地,所述保护外层的抗拉强度大于2gpa。

15、进一步地,所述内芯体与所述石墨层之间、石墨层与所述纳米陶瓷合金层之间、纳米陶瓷合金层与保护外层之间均通过导电胶连接。

16、进一步地,所述接地本体的横截面为圆形或矩形;所述接地本体的横截面的面积大于600mm2。

17、与现有的技术相比,本实用新型具有如下优点:

18、本实用新型采用内芯体、石墨层、纳米陶瓷合金层和保护外层形成接地本体,利用石墨层具有极强的电导率,以及纳米陶瓷合金层具有高导电性、高刚度、高强度、抗疲劳、低膨胀、高阻尼、耐高温等特点,提高该高强度型复合石墨接地体的强度和刚度,以及导电性,抗拉性能好,而且具有重量轻的特点。



技术特征:

1.一种高强度型复合石墨接地体,包括接地本体;其特征在于,所述接地本体包括:

2.根据权利要求1所述的高强度型复合石墨接地体,其特征在于,所述内芯体为铜线缠绕编织成的铜芯体。

3.根据权利要求1所述的高强度型复合石墨接地体,其特征在于,所述内芯体为呈圆形或方形的铜合金芯体。

4.根据权利要求1所述的高强度型复合石墨接地体,其特征在于,所述石墨层的外周侧壁上设有若干个绕所述内芯体均匀布设且朝外延伸凸出的外凸起;所述纳米陶瓷合金层的内周侧壁对应每个所述外凸起的位置设有与每个所述外凸起对应相适配的内凹槽。

5.根据权利要求1所述的高强度型复合石墨接地体,其特征在于,所述石墨层和纳米陶瓷合金层均呈柱体环状结构。

6.根据权利要求1所述的高强度型复合石墨接地体,其特征在于,所述保护外层为合成纤维层或无机纤维层。

7.根据权利要求6所述的高强度型复合石墨接地体,其特征在于,所述合成纤维层为由聚对苯二甲酰对苯二胺制成;所述石墨层为膨胀石墨层。

8.根据权利要求6所述的高强度型复合石墨接地体,其特征在于,所述保护外层的抗拉强度大于2gpa。

9.根据权利要求1至8任意一项所述的高强度型复合石墨接地体,其特征在于,所述内芯体与所述石墨层之间、石墨层与所述纳米陶瓷合金层之间、纳米陶瓷合金层与保护外层之间均通过导电胶连接。

10.根据权利要求1所述的高强度型复合石墨接地体,其特征在于,所述接地本体的横截面为圆形或矩形;所述接地本体的横截面的面积大于600mm2。


技术总结
本技术涉及接地体技术领域,公开了一种高强度型复合石墨接地体,包括接地本体;所述接地本体包括内芯体、石墨层、纳米陶瓷合金层和保护外层。其中,石墨层相适配包套在所述内芯体的外周侧上;纳米陶瓷合金层相适配包套在所述石墨层的外周侧上;保护外层相适配包套在所述纳米陶瓷合金层的外周侧上。本技术提供的高强度型复合石墨接地体采用内芯体、石墨层、纳米陶瓷合金层和保护外层形成接地本体,利用石墨层具有极强的电导率,以及纳米陶瓷合金层具有高导电性、高刚度、高强度、抗疲劳、低膨胀、高阻尼、耐高温等特点,提高该高强度型复合石墨接地体的强度和刚度,以及导电性,抗拉性能好,而且具有重量轻的特点。

技术研发人员:黄子恩
受保护的技术使用者:武汉天安顺科技有限责任公司
技术研发日:20230731
技术公布日:2024/1/22
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