一种HEMT功率芯片封装结构的制作方法

本技术涉及hemt芯片封装，具体地，涉及一种hemt功率芯片封装结构。

背景技术：

1、高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor)功率芯片是一种用于高频高功率应用的半导体器件。hemt功率芯片在无线通信、雷达、微波射频功率放大器等领域得到广泛应用，其中，hemt功率芯片的常见封装会采用plcc封装，该封装技术采用塑料外壳作为主体，其hemt功率芯片引脚在四周排列，适用于高密度封装需求。

2、然而，现有的hemt功率芯片在工作时，由于能量转化会产生热量，而高温会影响电子元件的性能和寿命，尤其是芯片底部衬底因热传导性能较高会吸收较多的芯片热度。因此，需要针对衬底设计有效的散热结构，提高hemt芯片的散热效率。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

2、为此，本实用新型的一个目的在于提出一种hemt功率芯片封装结构，该hemt功率芯片封装结构能够通过第一散热片增加衬底的散热效率，并将第二散热片能够插入第一散热片的缝隙中，形成衬底底部的完整散热片，增加散热片贴合衬底的面积。

3、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种hemt功率芯片封装结构，包括底壳，所述底壳的内部安装有衬底，所述衬底的顶部安装有hemt芯片本体；所述底壳的顶部卡扣连接有顶壳，所述hemt芯片本体上设有多个电极引脚，所述底壳的底部内壁安装有若干个等距排列的第一散热片，所述第一散热片位于所述衬底的底部，所述底壳的一侧设有固定板，所述固定板的一侧安装有若干个等距排列的第二散热片，所述第二散热片贯穿所述底壳的一侧，且位于若干个所述第一散热片的缝隙处。

4、优选的，所述hemt芯片本体的顶部设有散热板。

5、优选的，所述散热板的外部包覆有绝缘层。

6、优选的，所述底壳的两侧外壁均设有多个限位槽，所述电极引脚位于所述限位槽的内部。

7、优选的，所述底壳的底部设有矩形开口。

8、优选的，所述固定板的一侧对称贯穿有两个紧固螺栓。

9、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型中第一散热片能够使热量能够从衬底中传导到散热片，并通过第一散热片之间的缝隙以及矩形开口向外排出，同时在具备外部风力散热的条件下，能够增加热量的排出，增加衬底的散热效率。第二散热片能够插入第一散热片的缝隙中，形成衬底底部的完整散热片，增加散热片贴合衬底的面积，能够在没有外部风力的作用下增加衬底的散热效率。

技术特征：

1.一种hemt功率芯片封装结构，包括底壳(1)，所述底壳(1)的内部安装有衬底(9)，所述衬底(9)的顶部安装有hemt芯片本体(7)，其特征在于：所述底壳(1)的顶部卡扣连接有顶壳(2)，所述hemt芯片本体(7)上设有多个电极引脚(5)，所述底壳(1)的底部内壁安装有若干个等距排列的第一散热片(10)，所述第一散热片(10)位于所述衬底(9)的底部，所述底壳(1)的一侧设有固定板(3)，所述固定板(3)的一侧安装有若干个等距排列的第二散热片(12)，所述第二散热片(12)贯穿所述底壳(1)的一侧，且位于若干个所述第一散热片(10)的缝隙处。

2.根据权利要求1所述的一种hemt功率芯片封装结构，其特征在于：所述hemt芯片本体(7)的顶部设有散热板(11)。

3.根据权利要求2所述的一种hemt功率芯片封装结构，其特征在于：所述散热板(11)的外部包覆有绝缘层(8)。

4.根据权利要求1所述的一种hemt功率芯片封装结构，其特征在于：所述底壳(1)的两侧外壁均设有多个限位槽(6)，所述电极引脚(5)位于所述限位槽(6)的内部。

5.根据权利要求1所述的一种hemt功率芯片封装结构，其特征在于：所述底壳(1)的底部设有矩形开口(13)。

6.根据权利要求1所述的一种hemt功率芯片封装结构，其特征在于：所述固定板(3)的一侧对称贯穿有两个紧固螺栓(4)。

技术总结
本技术公开了一种HEMT功率芯片封装结构，包括底壳，所述底壳的内部安装有衬底，所述衬底的顶部安装有HEMT芯片本体；所述底壳的顶部卡扣连接有顶壳，所述HEMT芯片本体上设有多个电极引脚，所述底壳的底部内壁安装有若干个等距排列的第一散热片；本技术中的第一散热片能够使热量能够从衬底中传导到散热片，并通过第一散热片之间的缝隙以及矩形开口向外排出，同时在具备外部风力散热的条件下，能够增加热量的排出，增加衬底的散热效率。第二散热片能够插入第一散热片的缝隙中，形成衬底底部的完整散热片，增加散热片贴合衬底的面积，能够在没有外部风力的作用下增加衬底的散热效率。

技术研发人员：白俊春,汪福进,张文君,李海文
受保护的技术使用者：江西万年晶半导体有限公司
技术研发日：20230823
技术公布日：2024/3/11