一种用于半导体制程的腔室喷嘴结构的制作方法

本申请涉及半导体，具体涉及一种用于半导体制程的腔室喷嘴结构。

背景技术：

1、在半导体器件制造中，hdp沟槽隔离填充技术被广泛地应用于集成电路制作过程中，比如sti,ild,imd等都需要沟槽隔离层。而该薄膜的均匀性制约着产品的良率，特别是随着晶圆尺寸的增大，该制程的均匀性就显得格外重要，而现有hdp腔体侧壁喷气管(nozzle)铺设是在腔室四周铺设一圈长度一致的nozzle，以上排布会导致nozzle喷出来的气体呈现出某些区域反应气体源过多，而某些区域反应气体源不足的问题，最后导致沉积过程，某些区域沉积快，而某些区域沉积慢，最后导致如下图2所示，膜层厚度的分布呈现出明显不均，因而使得整体膜层范围(range)变差，所以如何改进喷嘴结构来改善该制程薄膜均匀性显得尤为重要。

技术实现思路

1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种用于半导体制程的腔室喷嘴结构，克服了传统喷嘴结构导致膜层厚度明显分布不均的技术问题，进而使得制程获得的薄膜厚度均匀性更好，极大的提升了半导体制程薄膜均匀性问题，并且能够达到预期效果较好的膜层范围。

2、本说明书实施例提供以下技术方案：

3、提供一种用于半导体制程的腔室喷嘴结构，包括喷嘴侧壁和若干喷嘴排布单元，所述喷嘴排布单元设于所述喷嘴侧壁，所述喷嘴排布单元包括布置在所述喷嘴侧壁上的多个长度不同的喷气管。

4、在一些实施例中，所述喷嘴排布单元中的喷气管长度由两侧位置向中心位置逐渐减小。

5、在一些实施例中，所述喷嘴排布单元包括奇数个喷气管，位于中心位置的喷气管长度最短，由两侧位置向中心位置的喷气管长度逐渐减小。

6、在一些实施例中，所述喷嘴排布单元包括五个喷气管，位于中心位置的喷气管长度为10cm，两侧位置的两个喷气管长度为20cm，中心位置的喷气管与两侧位置的两个喷气管之间的两个喷气管长度分别为15cm。

7、在一些实施例中，所述喷嘴排布单元包括七个喷气管，位于中心位置的喷气管长度为8cm，由中心位置向两侧位置的两边喷气管长度依次为12cm、16cm和20cm。

8、在一些实施例中，所述腔室喷嘴结构为hdp腔室喷嘴结构、sti腔室喷嘴结构、ild腔室喷嘴结构或imd腔室喷嘴结构。

9、与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：

10、通过在喷嘴侧壁中设置多个排布单元，在特别地在每个喷嘴排布单元中按长度不同的方式进行布置于喷嘴侧壁上的多个喷气管布置，由于该种排布方式的腔室喷嘴结构中采用了不同种喷气管长度的结构设置方式，且在空间分布上采用相互渐变的方式，该渐变排布能够很好的弥补基板整个区域分布不均问题，克服了传统喷嘴结构导致膜层厚度明显分布不均的技术问题，进而使得制程获得的薄膜厚度均匀性更好，极大的提升了半导体制程薄膜均匀性问题，并且能够达到预期效果较好的膜层范围。

技术特征：

1.一种用于半导体制程的腔室喷嘴结构，其特征在于，包括喷嘴侧壁和若干喷嘴排布单元，所述喷嘴排布单元设于所述喷嘴侧壁，所述喷嘴排布单元包括布置在所述喷嘴侧壁上的多个长度不同的喷气管。

2.根据权利要求1所述的腔室喷嘴结构，其特征在于，所述喷嘴排布单元中的喷气管长度由两侧位置向中心位置逐渐减小。

3.根据权利要求2所述的腔室喷嘴结构，其特征在于，所述喷嘴排布单元包括奇数个喷气管，位于中心位置的喷气管长度最短，由两侧位置向中心位置的喷气管长度逐渐减小。

4.根据权利要求3所述的腔室喷嘴结构，其特征在于，所述喷嘴排布单元包括五个喷气管，位于中心位置的喷气管长度为10cm，两侧位置的两个喷气管长度为20cm，中心位置的喷气管与两侧位置的两个喷气管之间的两个喷气管长度分别为15cm。

5.根据权利要求3所述的腔室喷嘴结构，其特征在于，所述喷嘴排布单元包括七个喷气管，位于中心位置的喷气管长度为8cm，由中心位置向两侧位置的两边喷气管长度依次为12cm、16cm和20cm。

6.根据权利要求1至5任一项所述的腔室喷嘴结构，其特征在于，所述腔室喷嘴结构为hdp腔室喷嘴结构、sti腔室喷嘴结构、ild腔室喷嘴结构或imd腔室喷嘴结构。

技术总结
本申请提供一种用于半导体制程的腔室喷嘴结构，涉及半导体工艺设备技术领域。所述用于半导体制程的腔室喷嘴结构，包括喷嘴侧壁和若干喷嘴排布单元，所述喷嘴排布单元设于所述喷嘴侧壁，所述喷嘴排布单元包括布置在所述喷嘴侧壁上的多个长度不同的喷气管，克服了传统喷嘴结构导致膜层厚度明显分布不均的技术问题，进而使得制程获得的薄膜厚度均匀性更好，极大的提升了半导体制程薄膜均匀性问题，并且能够达到预期效果较好的膜层范围。

技术研发人员：刘聪,储郁冬
受保护的技术使用者：上海积塔半导体有限公司
技术研发日：20230829
技术公布日：2024/3/21