一种大电流高压二极管封装结构的制作方法

本技术涉及高压二极管封装，具体来说，涉及一种大电流高压二极管封装结构。

背景技术：

1、二极管是用半导体材料制成的一种电子器件，它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通，当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止；因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开，二极管具有单向导电性能，导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极，二极管是最早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。

2、现有的普通二极管散热主要是靠塑封的管体和引线，管体只占散热量的四分之一或三分之一，导热系数低。

3、针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

1、针对相关技术中的问题，本实用新型提出一种大电流高压二极管封装结构，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

2、本实用新型的技术方案是这样实现的：

3、一种大电流高压二极管封装结构，包括二极管芯片，

4、阳极端部引线，连接于所述二极管芯片的阳极端部；

5、阴极端部引线，连接于所述二极管芯片的阴极端部；

6、加粗引线，连接于所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间。

7、优选的，所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间通过焊接点连接。

8、优选的，所述焊接点的焊接面上具有弧形倒角。

9、优选的，一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，还包括：

10、塑封外壳，覆盖于所述二极管芯片的外侧，且为柱状结构。

11、优选的，所述加粗引线为铜质柱状结构。

12、优选的，所述加粗引线的直径小于所述塑封外壳的直径。

13、优选的，所述加粗引线的一端位于所述塑封外壳内部，另一端位于所述塑封外壳的外部。

14、优选的，所述加粗引线的直径等于所述塑封外壳的直径。

15、优选的，所述加粗引线位于所述塑封外壳端部的外侧。

16、本实用新型提供了一种大电流高压二极管封装结构，有益效果如下：

17、通过在二极管芯片的两端设有阳极端部引线和阴极端部引线，且加粗引线连接于所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间，增加与环境的接触面积，主要增加跟空气或者变压器油接触，而且贴近管芯，与管芯距离近，散热效果好，加粗引线的热阻非常低，从而相当于缩短了芯片到电路板上铜箔的距离，进而提升散热效果，本申请的装置结构简单，增加与空气或者变压器油接触的面积，缩短了芯片到电路板上铜箔的距离，进而提升散热效果，相当于架设了快速通道。

技术特征：

1.一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间通过焊接点连接。

3.根据权利要求2所述的一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，所述焊接点的焊接面上具有弧形倒角。

4.根据权利要求1所述的一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，所述加粗引线为铜质柱状结构。

6.根据权利要求5所述的一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，所述加粗引线的直径小于所述塑封外壳的直径。

7.根据权利要求6所述的一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，所述加粗引线的一端位于所述塑封外壳内部，另一端位于所述塑封外壳的外部。

8.根据权利要求5所述的一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，所述加粗引线的直径等于所述塑封外壳的直径。

9.根据权利要求8所述的一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，所述加粗引线位于所述塑封外壳端部的外侧。

技术总结
本技术公开了一种大电流高压二极管封装结构，包括二极管芯片、阳极端部引线和阴极端部引线，所述阳极端部引线连接于所述二极管芯片的阳极端部，所述阴极端部引线连接于所述二极管芯片的阴极端部，有益效果：本申请的装置结构简单，增加与空气或者变压器油接触的面积，缩短了芯片到电路板上铜箔的距离，进而提升散热效果，相当于架设了快速通道。

技术研发人员：王诗雪,张裕,董春红
受保护的技术使用者：北京市天润中电高压电子有限公司
技术研发日：20230904
技术公布日：2024/1/14