一种标签天线的制作方法

本技术属于天线领域，具体涉及一种标签天线。

背景技术：

1、rfid技术是一项非接触式自动识别技术，近些年随着物联网行业的飞速发展，rfid技术作为物联网的重要支撑技术也得到了迅猛发展，在仓储管理、物品跟踪定位、药品防伪监管、交通车辆管理等rfid资产管理领域中应用广泛。

2、尽管rfid资产管理广泛应用在各个领域中，但是在重资产管理、工具管理等中，不可避免的遇到各种各样的强干扰环境，如金属环境，此类环境对标签的性能有着巨大影响。常规的标签，如受限于传统偶极子天线，而灵敏度低，造成漏检、误检等。因此，如何提供一种灵敏度更高的标签天线，是该领域亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、针对现有技术的以上缺陷或改进需求中的一种或者多种，本实用新型提供了一种标签天线，具有提高天线灵敏度的优点。

2、为实现上述目的，本实用新型提供一种标签天线，包括上层辐射层1;下层接地层;设置于上层辐射层与下层接地层之间的介质层、双接地柱;以及芯片；

3、上层辐射层上，开设有环形槽；环形槽上开设有开口；芯片，设置在开口内，与环形槽相接；

4、双接地柱，用于连接上层辐射层与下层接地层，与芯片形成第一电感环；

5、环形槽与芯片形成第二电感环。

6、进一步地，双接地柱的其中一个接地柱设置于靠近上层辐射层的端部，另一个设于上层辐射层的中部，且靠近芯片。

7、进一步地，双接地柱,设置于环形槽的下方；第一电感环与第二电感环对应。

8、进一步地，双接地柱，设置在环形槽的同一条边上。

9、进一步地，双接地柱的间隔距离，根据待设计标签天线的感抗大小确定。

10、进一步地，芯片，设置在双接地柱之间。

11、进一步地，环形槽的数量，为一个或多个，相互间隔的设置在上层辐射层上。

12、进一步地，上层辐射层，还设置有凹槽，凹槽与环形槽的位置不重合。

13、进一步地，凹槽，设为g型凹槽。

14、进一步地，每个环形槽的下方，均设置一组双接地柱。

15、总体而言，通过本实用新型所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有的有益效果包括：

16、本实用新型的标签天线，一方面通过双接地柱，将下层接地层与上层辐射层连接，形成倒f结构，使得下层接地层的作用不仅仅为接地，而是参与辐射，增加辐射强度；另一方面，通过设置在上层辐射层与下层接地层之间的双接地柱，与芯片形成第一电感环；通过设置在上层辐射层上的环形槽，与芯片形成第二电感环，双电感回路对能量进行收集，增强能量收集效果，尤其是对于被附着金属材质的标记品，均能为芯片提供能量。可见，本实用新型的标签天线，通过接地参与辐射，增加辐射强度；同时设计双电感环，增加能量收集效果；双重增强，能够大大提高该标签天线的灵敏度。

技术特征：

1.一种标签天线，其特征在于，包括上层辐射层（1）;下层接地层（3）;设置于上层辐射层（1）与下层接地层（3）之间的介质层（2）、双接地柱（4）;以及芯片5；

2.根据权利要求1所述的标签天线，其特征在于，双接地柱（4）的其中一个接地柱设置于靠近上层辐射层（1）的端部，另一个设于上层辐射层（1）的中部，且靠近芯片（5）。

3.根据权利要求2所述的标签天线，其特征在于，双接地柱（4）,设置于环形槽（11）的下方；第一电感环与第二电感环对应。

4.根据权利要求3所述的标签天线，其特征在于，双接地柱（4），设置在环形槽（11）的同一条边上。

5.根据权利要求4所述的标签天线，其特征在于，双接地柱（4）的间隔距离，根据待设计标签天线的感抗大小确定。

6.根据权利要求1所述的标签天线，其特征在于，芯片（5），设置在双接地柱（4）之间。

7.根据权利要求1所述的标签天线，其特征在于，环形槽（11）的数量，为一个或多个，相互间隔的设置在上层辐射层（1）上。

8.根据权利要求1所述的标签天线，其特征在于，上层辐射层（1），还设置有凹槽（12），凹槽（12）与环形槽（11）的位置不重合。

9.根据权利要求8所述的标签天线，其特征在于，凹槽（12），设为g型凹槽。

10.根据权利要求1-9任意一项所述的标签天线，其特征在于，每个环形槽（11）的下方，均设置一组双接地柱（4）。

技术总结
本技术公开了一种标签天线，包括上层辐射层；下层接地层；设置于上层辐射层与下层接地层之间的介质层、双接地柱；以及芯片；上层辐射层上，开设有环形槽；环形槽上开设有开口；芯片，设置在开口内，与环形槽相接；双接地柱，用于连接上层辐射层与下层接地层；芯片，设于上层辐射层上，与双接地柱形成第一电感环；环形槽，设于上层辐射层上，与芯片形成第二电感环。其一是将地参与辐射；二是通过设置在上层辐射层与下层接地层之间的双接地柱，与芯片形成第一电感环，通过设置在上层辐射层上的环形槽，与芯片形成第二电感环，双电感回路对能量进行收集。双重增强，能够大大提高该标签天线的灵敏度。

技术研发人员：谢重勇,苏立新,方向东
受保护的技术使用者：长沙盈芯半导体科技有限公司
技术研发日：20230907
技术公布日：2024/4/17