本技术涉及半导体,尤其涉及半包型封装体。
背景技术:
1、在半导体大功率应用领域,传统的插件器件能最大限度地利用外加的散热片,非常高效地将芯片内部产生的热量散出芯片之外,让芯片能够工作在一个大功率的场景里面。
2、随着物联网、5g、云计算等技术的不断发展和演进,万物互联的设备越来越多,器件应用厂商更倾向于把整个设备的功率密度做得越来越小,或者说在同样的机架尺寸或者同样的安装尺寸里面,要传递的功率耗散越来越大,这两大发展需求都在迫使功率器件不仅要用更少的独立散热片,同时还需要把更多的热量均匀地散布到整个设备以外。
技术实现思路
1、本实用新型针对以上问题,提供了一种结构紧凑、高效散热的半包型封装体。
2、本实用新型的技术方案是:
3、半包型封装体,包括:
4、金属板,尾端设有向下弯折的集电极引脚;
5、芯片,负极与所述金属板的底面固定连接;
6、发射极引脚,位于所述集电极引脚的一侧;首端通过键合线一与所述芯片的发射极电性连接,尾端向上弯曲;
7、基极引脚,位于所述集电极引脚的另一侧;首端通过键合线二与所述芯片的基极电性连接,尾端向上弯曲;
8、塑封体,设置在所述金属板上,并将所述芯片、发射极引脚的首端和基极引脚的首端包裹;所述金属板的顶面外露在塑封体的外侧。
9、具体的,所述塑封体的首端下方设有斜切面。
10、具体的,所述塑封体的斜切面与水平面之间的夹角为α角;
11、所述集电极引脚中部弯折部与水平面的引脚为β角;
12、mgcosαμ1<mgsinα;
13、mgcosβμ2<mgsinβ;
14、cosβsinβ<cosαsinα;
15、0°<α<90°,0°<β<90°,其中m为器件质量(kg),g为重力系数(9.8n/kg),α为大倾角(°),β为折弯角度(°),μ1为塑封体摩擦系数,μ2为折弯引脚的摩擦系数。
16、具体的,所述金属板的外侧中部设有向外凸出的延伸部。
17、具体的,所述金属板水平固定设置在pcb板上,所述pcb板上设有镂空部;
18、所述塑封体位于镂空部内;
19、所述金属板的首端、发射极引脚的尾端和基极引脚的尾端分别与pcb板固定连接。
20、具体的,所述金属板的顶面设有与之贴合的散热器。
21、本实用新型包括尾端设有集电极引脚的金属板、设置在金属板上的芯片、与金属板电性连接的发射极引脚和基极引脚;金属板的顶面呈一平面,塑封体从金属板的侧部向下延伸,将芯片、发射极引脚的首端和基极引脚的首端包裹其内;金属板的顶面外露在塑封体的外侧,不仅进一步提升了器件散热性能,同时便于搭载不同规格的散热器,提高散热效率。
1.半包型封装体,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的半包型封装体,其特征在于,所述塑封体的首端下方设有斜切面。
3.根据权利要求1所述的半包型封装体,其特征在于,所述塑封体的斜切面与水平面之间的夹角为α角;
4.根据权利要求1所述的半包型封装体,其特征在于,所述金属板的外侧中部设有向外凸出的延伸部。
5.根据权利要求1所述的半包型封装体,其特征在于,所述金属板水平固定设置在pcb板上,所述pcb板上设有镂空部;
6.根据权利要求1所述的半包型封装体,其特征在于,所述金属板的顶面设有与之贴合的散热器。