半包型封装体的制作方法

文档序号:37751826发布日期:2024-04-25 10:38阅读:3来源:国知局
半包型封装体的制作方法

本技术涉及半导体,尤其涉及半包型封装体。


背景技术:

1、在半导体大功率应用领域,传统的插件器件能最大限度地利用外加的散热片,非常高效地将芯片内部产生的热量散出芯片之外,让芯片能够工作在一个大功率的场景里面。

2、随着物联网、5g、云计算等技术的不断发展和演进,万物互联的设备越来越多,器件应用厂商更倾向于把整个设备的功率密度做得越来越小,或者说在同样的机架尺寸或者同样的安装尺寸里面,要传递的功率耗散越来越大,这两大发展需求都在迫使功率器件不仅要用更少的独立散热片,同时还需要把更多的热量均匀地散布到整个设备以外。


技术实现思路

1、本实用新型针对以上问题,提供了一种结构紧凑、高效散热的半包型封装体。

2、本实用新型的技术方案是:

3、半包型封装体,包括:

4、金属板,尾端设有向下弯折的集电极引脚;

5、芯片,负极与所述金属板的底面固定连接;

6、发射极引脚,位于所述集电极引脚的一侧;首端通过键合线一与所述芯片的发射极电性连接,尾端向上弯曲;

7、基极引脚,位于所述集电极引脚的另一侧;首端通过键合线二与所述芯片的基极电性连接,尾端向上弯曲;

8、塑封体,设置在所述金属板上,并将所述芯片、发射极引脚的首端和基极引脚的首端包裹;所述金属板的顶面外露在塑封体的外侧。

9、具体的,所述塑封体的首端下方设有斜切面。

10、具体的,所述塑封体的斜切面与水平面之间的夹角为α角;

11、所述集电极引脚中部弯折部与水平面的引脚为β角;

12、mgcosαμ1<mgsinα;

13、mgcosβμ2<mgsinβ;

14、cosβsinβ<cosαsinα;

15、0°<α<90°,0°<β<90°,其中m为器件质量(kg),g为重力系数(9.8n/kg),α为大倾角(°),β为折弯角度(°),μ1为塑封体摩擦系数,μ2为折弯引脚的摩擦系数。

16、具体的,所述金属板的外侧中部设有向外凸出的延伸部。

17、具体的,所述金属板水平固定设置在pcb板上,所述pcb板上设有镂空部;

18、所述塑封体位于镂空部内;

19、所述金属板的首端、发射极引脚的尾端和基极引脚的尾端分别与pcb板固定连接。

20、具体的,所述金属板的顶面设有与之贴合的散热器。

21、本实用新型包括尾端设有集电极引脚的金属板、设置在金属板上的芯片、与金属板电性连接的发射极引脚和基极引脚;金属板的顶面呈一平面,塑封体从金属板的侧部向下延伸,将芯片、发射极引脚的首端和基极引脚的首端包裹其内;金属板的顶面外露在塑封体的外侧,不仅进一步提升了器件散热性能,同时便于搭载不同规格的散热器,提高散热效率。



技术特征:

1.半包型封装体,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半包型封装体,其特征在于,所述塑封体的首端下方设有斜切面。

3.根据权利要求1所述的半包型封装体,其特征在于,所述塑封体的斜切面与水平面之间的夹角为α角;

4.根据权利要求1所述的半包型封装体,其特征在于,所述金属板的外侧中部设有向外凸出的延伸部。

5.根据权利要求1所述的半包型封装体,其特征在于,所述金属板水平固定设置在pcb板上,所述pcb板上设有镂空部;

6.根据权利要求1所述的半包型封装体,其特征在于,所述金属板的顶面设有与之贴合的散热器。


技术总结
半包型封装体。涉及半导体技术领域。包括:金属板,尾端设有向下弯折的集电极引脚;芯片,负极与所述金属板的底面固定连接;发射极引脚,位于所述集电极引脚的一侧;首端通过键合线一与所述芯片的发射极电性连接,尾端向上弯曲;基极引脚,位于所述集电极引脚的另一侧;首端通过键合线二与所述芯片的基极电性连接,尾端向上弯曲;塑封体,设置在所述金属板上,并将所述芯片、发射极引脚的首端和基极引脚的首端包裹;所述金属板的顶面外露在塑封体的外侧。本技术不仅进一步提升了器件散热性能,同时便于搭载不同规格的散热器,提高散热效率。

技术研发人员:杨毓敏,周理明,景昌忠,王玉林,王毅
受保护的技术使用者:扬州扬杰电子科技股份有限公司
技术研发日:20230922
技术公布日:2024/4/24
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