本技术涉及集成电路，尤其涉及一种功率半导体器件封装结构。
背景技术：
1、功率半导体器件是指用于控制、调节和放大电能的电子元器件。功率半导体器件封装结构是指封装有二极管、三极管、mos(metal-oxide-semiconductor，金属氧化物半导体)管等功率器件的封装结构。当前功率半导体器件封装结构通常采用to(transistoroutline，晶体管外形)封装形式和pdfn(power dual flatno-lead，双列扁平无引脚功率封装)封装形式，例如to-252、to-263、to-247、pdfn5×6都是常用的功率半导体器件封装形成。功率半导体器件封装结构的外接端子通常只有三个，即漏极外接端子、源极外接端子和栅极外接端子。然而，三个外接端子能够实现的功能有限，不能满足半导体技术快速发展的需求，从而限制了功率半导体器件封装结构应用领域的扩展。
2、因此，如何扩展功率半导体器件封装结构的功能，以满足更多的电性功能需求，从而扩展功率半导体器件封装结构的应用领域，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本实用新型提供一种功率半导体器件封装结构，以扩展功率半导体器件封装结构的功能，满足更多的电性能需求，从而扩展功率半导体器件封装结构的应用领域。
2、根据一些实施例，本实用新型提供了一种功率半导体器件封装结构，包括：
3、引线框架，包括基岛和引脚结构；
4、芯片结构，位于所述基岛上，所述芯片结构包括第一芯片以及与所述第一芯片电连接的第二芯片，所述第一芯片包括漏极焊盘，且所述漏极焊盘与所述基岛电连接；
5、引脚结构，位于所述基岛的外部，所述引脚结构包括源极引脚和多个控制引脚，且所述源极引脚和多个所述控制引脚均与所述第一芯片电连接。
6、在一些实施例中，所述第一芯片为ic芯片，所述第二芯片为mos芯片。
7、在一些实施例中，还包括：
8、陶瓷基板，位于所述基岛上，所述ic芯片位于所述陶瓷基板上，所述mos芯片位于所述陶瓷基板的外部。
9、在一些实施例中，所述陶瓷基板包括互联区域和位于所述互联区域外部的载片区域，所述ic芯片位于所述载片区域上；
10、所述互联区域上具有第一重布线层，且所述第一重布线层与所述ic芯片电连接。
11、在一些实施例中，所述第一重布线层与所述mos芯片电连接。
12、在一些实施例中，还包括：
13、无源器件，位于所述陶瓷基板的所述互联区域上，且所述无源器件与所述第一重布线层电连接。
14、在一些实施例中，所述陶瓷基板包括基板本体，所述基板本体包括用于承载所述ic芯片的正面以及与所述正面相对的背面；所述陶瓷基板还包括：
15、第二重布线层，位于所述基板本体的背面上；
16、导电连接柱，位于所述基板本体内，所述导电连接柱的一端与所述ic芯片电连接、另一端与所述第二重布线层电连接。
17、在一些实施例中，还包括：
18、引线结构，包括第一引线和多条第二引线，所述第一引线的一端与所述ic芯片电连接、另一端与所述源极引脚电连接，多条所述第二引线的一端均与所述ic芯片电连接，且多条所述第二引线的另一端分别与多个所述控制引脚电连接。
19、在一些实施例中，所述引脚结构中的所述源极引脚和多个所述控制引脚均位于所述基岛的同一侧。
20、在一些实施例中，所述ic芯片和所述mos芯片沿第一方向排布，所述引脚结构沿第二方向位于所述基岛的外部，所述第一方向与所述第二方向相交；
21、所述源极引脚和多个所述控制引脚沿所述第一方向间隔排布。
22、在一些实施例中，所述ic芯片中包括多个功能器件，且多个所述控制引脚分别与多个所述功能器件电连接。
23、在一些实施例中，所述引脚结构还包括接地引脚和电源正极引脚，且所述接地引脚和所述电源正极引脚均与所述ic芯片电连接。
24、本实用新型提供的功率半导体器件封装结构，在基岛上设置包括第一芯片和第二芯片的芯片结构，在所述基岛的外部设置引脚结构，所述引脚结构包括源极引脚和多个控制引脚，且所述源极引脚和多个所述控制引脚均与所述第一芯片电连接，即在所述功率半导体器件封装结构中增加了多个所述控制引脚，使得所述功率半导体器件封装结构中的引脚数量增加，为所述功率半导体器件封装结构提供了更多的输入端和/或输出端，提高了对所述第一芯片和/或第二芯片控制的灵活性，扩展了所述功率半导体器件封装结构的功能，使得所述功率半导体器件封装结构能够满足更多的电性能需求，进而扩展功率半导体器件封装结构的应用领域。
1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一芯片为ic芯片，所述第二芯片为mos芯片。
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述陶瓷基板包括互联区域和位于所述互联区域外部的载片区域，所述ic芯片位于所述载片区域上；
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一重布线层与所述mos芯片电连接。
6.根据权利要求4所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求4所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述陶瓷基板包括基板本体，所述基板本体包括用于承载所述ic芯片的正面以及与所述正面相对的背面；所述陶瓷基板还包括：
8.根据权利要求2所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求2所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述引脚结构中的所述源极引脚和多个所述控制引脚均位于所述基岛的同一侧。
10.根据权利要求2所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述ic芯片和所述mos芯片沿第一方向排布，所述引脚结构沿第二方向位于所述基岛的外部，所述第一方向与所述第二方向相交；
11.根据权利要求2所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述ic芯片中包括多个功能器件，且多个所述控制引脚分别与多个所述功能器件电连接。
12.根据权利要求2所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述引脚结构还包括接地引脚和电源正极引脚，且所述接地引脚和所述电源正极引脚均与所述ic芯片电连接。