本文提供的实施例通常涉及带电粒子光学组件、带电粒子光学设备、带电粒子光学装置以及用于提供电连接的方法和对带电粒子光学组件的导电体进行电绝缘的方法。
背景技术：
1、制造半导体集成电路(ic)芯片时，在制造过程中，衬底(例如晶片)或掩模上可能会出现不希望的图案缺陷，从而降低产率。缺陷可能是由于光学效应和偶然粒子或其他加工步骤(例如蚀刻、化学机械抛光沉积)而产生的。因此，监控不希望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的一个重要过程。更一般地说，检查和/或测量衬底或其他物体/材料的表面是其制造过程中和/或制造之后的一个重要过程。
2、具有带电粒子束的图案检查工具已用于检查物体，例如检测图案缺陷。这些工具通常使用电子显微镜技术，例如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，相对高能量的电子束以最终减速步骤为目标，以便以相对较低的着陆能量降落在目标上。电子束聚焦为目标上的探测点。探测点处的材料结构与电子束的着陆电子之间的相互作用导致电子从表面发射，例如次级电子、背散射电子或俄歇电子，它们统称为信号电子或更一般地称为信号粒子。产生的次级电子可以从目标的材料结构中发射出来。
3、初级电子束作为探测点在目标表面上进行扫描，可跨目标表面发射次级电子。通过收集从目标表面发射的这些次级电子，图案检查工具(或装置)可获得表示目标表面材料结构特征的图像状信号。在这种检查中，收集的次级电子由装置内的检测器检测。检测器响应于偶然粒子而产生信号。当检查样品的某个区域时，信号包括数据，该数据被处理以生成与样品的被检查区域相对应的检查图像。图像可包含像素。每个像素可对应于被检查区域的一部分。通常，电子束检查装置具有单射束，可称为单射束sem。已经有人尝试在装置(或“多射束工具”)中引入多电子束检查，其可称为多射束sem(mbsem)。
4、电子光学设备(或器件或装置列)的另一个应用是光刻。带电粒子束与衬底表面上的抗蚀剂层发生反应。通过控制抗蚀剂层上的带电粒子束指向的位置，可以在抗蚀剂中创建所需的图案。
5、电子光学设备可以是用于产生、照射、投射和/或检测一束或多束带电粒子的装置。带电粒子束的路径由电磁场(即，静电场和磁场)控制。杂散电磁场可能会不必要地使粒子束转向。
6、在一些电子光学设备中，静电场通常在两个电极之间产生。需要对电极施加高电压。可能会发生不希望发生的电子爬电，并因此发生不期望的放电，例如在高压连接器之间和/或高压连接器与电子光学设备的电子光学组件之间。
技术实现思路
1、本发明提供合适的结构，以实现所需的高压连接，同时降低电子爬电的风险。根据本发明的第一方面，提供一种带电粒子光学组件，其被配置将带电粒子束沿着射束路径导向样品位置，该带电粒子光学组件包括：平面带电粒子光学元件，其被配置对沿着射束路径朝向样品位置的带电粒子束进行操作，该带电粒子光学元件包括用于射束路径的孔径；以及导电体，其电连接至带电粒子光学元件，其中，在导电体内限定凹槽，并且其被配置为提供用于插入高压电缆的无场体积，该高压电缆用于通过电耦合器将带电粒子光学元件与电源电连接；其中导电体包括电绝缘体，该电绝缘体与平面带电粒子光学元件间隔开，并提供导电体表面的至少一部分。
2、根据本发明的第二方面，提供了一种带电粒子光学组件，其被配置为将多个带电粒子束沿着射束路径导向样品位置，带电粒子光学组件包括：平面带电粒子光学元件，其被配置对沿着射束路径朝向样品位置的带电粒子束进行操作，带电粒子光学元件包括用于射束路径的孔径；以及导电体，其电连接到带电粒子光学元件，其中，在导电体内限定凹槽，并且凹槽被配置为提供用于插入高压电缆的无场体积，高压电缆用于通过电耦合器将带电粒子光学元件电连接到电源；其中，电绝缘体覆盖导电体的表面的至少一部分，该表面背对带电粒子光学元件。
3、根据本发明的第三方面，提供了一种对带电粒子光学组件的导电体进行电绝缘的方法，导电体被配置为将带电粒子束导向样品位置，方法包括：用一个或多个电绝缘体覆盖导电体表面的至少一部分，表面背对与导电体电连接的平面带电粒子光学元件，带电粒子光学元件被配置为对沿射束路径的带电粒子束进行操作并且包括用于射束路径的孔径，其中，在导电体内限定凹槽并且凹槽被配置为提供用于插入高压电缆的无场体积，高压电缆用于通过电耦合器将带电粒子光学元件与电源电连接。
4、根据本发明的第四方面，提供了一种对带电粒子光学组件的导电体进行电绝缘的方法，带电粒子光学组件被配置为将带电粒子束沿着射束路径导向样品位置，带电粒子光学组件包括用于对带电粒子束进行操作的平面带电粒子光学元件，方法包括：具有导电体，导电体的凹槽具有导电凹面，导电体包括与平面带电粒子光学元件间隔开的电绝缘体，平面带电粒子光学元件电连接到导电体，其中，凹槽被配置在导电体内以提供用于插入高压电缆的无场体积，该高压电缆用于经由导电体和高压电缆之间的电耦合器将带电粒子光学元件电连接到电源。
5、根据本发明的第五方面，提供了一种带电粒子光学组件，其被配置将多个带电粒子束沿着射束路径导向样品位置，带电粒子光学组件包括：平面带电粒子光学元件，其被配置为以电压对沿射束路径朝向样品的带电粒子束进行操作，带电粒子光学元件包括用于射束路径的孔径；以及导电体，其电连接到带电粒子光学元件，其中，在导电体内限定凹槽，并且凹槽被配置为提供用于插入高压电缆的无场体积，高压电缆用于通过电耦合器实现带电粒子光学元件与电源的电连接；其中，导电体包括电绝缘体，电绝缘体包括导电体的至少端面和从端面延伸到凹槽中的延伸表面。
6、通过以下结合附图的描述，本发明的优点将变得显而易见，其中通过说明和示例阐述了本发明的某些实施例。
1.一种带电粒子光学组件，其被配置为将带电粒子束沿着射束路径导向样品位置，所述带电粒子光学组件包括：
2.根据权利要求1所述的带电粒子光学组件，其中所述导电体的端面包括所述导电体的所述表面的所述至少一部分，其中在所述端面中限定了通向所述无场体积的开口。
3.根据权利要求2所述的带电粒子光学组件，其中所述电绝缘体包括作为所述端面的绝缘构件。
4.根据权利要求3所述的带电粒子光学组件，其中所述绝缘构件包括绝缘塞，所述绝缘塞包括所述导电体的所述端面并且可选地延伸穿过所述开口以提供所述凹槽的所述表面的至少一部分，期望地延伸到所述无场体积中。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的带电粒子光学组件，其中电绝缘体从所述端面延伸到所述无场体积中，以便提供所述导电体的内部表面的一部分，期望是所述内部表面的远离所述带电粒子光学元件的部分，期望地所述内部表面限定所述无场体积。
6.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学组件，其中所述电绝缘体的至少一部分围绕所述导电体的横截面。
7.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学组件，包括电连接到所述带电粒子光学组件的一个或多个带电粒子光学元件的多个导电体。
8.根据权利要求7所述的带电粒子光学组件，其中所述电绝缘体包括所述多个导电体共用的表面的至少一部分和/或所述电绝缘体为所述多个导电体所共用。
9.根据权利要求8所述的带电粒子光学组件，其中所述电绝缘体还包括所述多个导电体之间的连续体积，期望地所述电绝缘体提供所述多个导电体共用的所述表面。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的带电粒子光学组件，其中以下中的至少一者：
11.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学组件，其中所述导电体包括导电元件，所述凹槽的所述表面包括所述导电元件的表面，其中所述导电体的所述电绝缘体比导电元件厚，期望地所述导电元件位于所述电绝缘体内，所述导电元件能够包括例如所述电绝缘体上的导电层。
12.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学组件，其中所述导电体的所述电绝缘体期望朝向配置为对所述带电粒子束进行操作的一个或多个另外的带电粒子光学元件延伸，和/或所述绝缘元件位于所述导电体和所述一个或多个另外的带电粒子光学元件之间。
13.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学组件，其中所述电绝缘体的所述表面在与所述带电粒子束的路径平行的方向上背对所述带电粒子光学元件。
14.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学组件，其中所述电绝缘体的所述表面在横跨所述带电粒子束的所述路径的方向上背对所述带电粒子光学元件。
15.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学组件，其中所述带电粒子束包括沿所述射束路径的多个射束，并且期望地，所述带电粒子光学元件包括多个孔径，个体孔径用于所述多个射束中的相应射束。