射频开关器件及其制作方法与流程

本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种射频开关器件及其制作方法。

背景技术：

1、对于射频开关器件，衡量其电学性能的重要参数包括fom(fom＝coff×ron，coff为关断电容，ron为导通电阻)值、谐波性能(harmonic)以及防漏电性能(具有较低的击穿电压(break voltage，bv))。

2、通常，可采用开关层叠技术，即将多个开关器件(stack)串联起来以提升整体的击穿电压，但串联器件个数的增加会导致导通电阻的提升，同时，也不利于芯片面积的减小。鉴于此，亟待提供一种射频开关器件能够提升单个器件的击穿电压，从而能够减少串联的器件数量，降低整体导通电阻，减小芯片面积。

技术实现思路

1、本申请提供了一种射频开关器件及其制作方法，可以解决相关技术中串联的射频开关器件其中单个器件的防漏电性能较差的问题。

2、一方面，本申请实施例提供了射频开关器件，包括：

3、衬底，所述衬底中形成有sti结构，第一dti结构和第二dti结构；

4、从俯视角度观察，所述sti结构，第一dti结构和第二dti结构为环形，所述sti结构在所述第一dti结构环绕的区域内，所述第一dti结构在所述第二dti结构环绕的区域内，所述sti结构，第一dti结构和第二dti结构之间没有交叠的区域，所述sti结构环绕的区域内形成有源区、漏区和栅极，从剖视角度观察，所述栅极和所述衬底之间形成有栅介电层。

5、在一些实施例中，所述第一dti结构和所述第二dti结构中形成有孔隙。

6、在一些实施例中，从俯视角度观察，所述栅极为u型，所述漏区形成于所述栅极两侧的衬底中，所述源区形成于所述栅极环绕的区域内。

7、在一些实施例中，从俯视角度观察，所述第一dti结构环绕的区域的衬底中形成有第一阱区；

8、所述第一dti结构和所述第二dti结构之间的区域的衬底中形成有第二阱区；

9、所述第二dti结构环绕的区域的衬底中形成有第三阱区，所述第三阱区将所述第一阱区包覆在内且深于所述第一阱区。

10、在一些实施例中，所述第二dti结构的底部的衬底中形成有重掺杂区。

11、另一方面，本申请实施例提供了一种dti结构的形成方法，所述方法应用于射频开关器件的制作工艺中，所述方法用于如上所述的第二dti结构，所述方法包括：

12、提供一衬底，所述衬底上形成有第一氧化层，所述第一氧化层上形成有第一硬掩模层，所述衬底、所述第一氧化层和所述第一掩模层中形成有第一沟槽，从俯视角度观察，所述第一沟槽为环形，所述第一硬掩模层上形成有第二氧化层，所述第二氧化层填充所述第一沟槽；

13、在所述第二氧化层上形成第二硬掩模层；

14、在所述第二硬掩模层上覆盖光阻，暴露出所述第一沟槽对应的区域；

15、进行刻蚀，刻蚀至所述第一沟槽下方的预定区域，形成第二沟槽，去除所述第二硬掩模层和光阻；

16、在所述第二沟槽的侧壁形成第一线性氧化层；

17、在所述第二沟槽底部的衬底中形成重掺杂区；

18、形成第三氧化层，所述第三氧化层封闭所述第二沟槽的开口且在第二沟槽内形成有孔隙；

19、进行平坦化处理，去除除所述第二沟槽外其他区域的第一氧化层、第一硬掩模层、第二氧化层和第三氧化层。

20、另一方面，本申请实施例提供了一种dti结构的形成方法，所述方法应用于射频开关器件的制作工艺中，所述方法用于形成如上所述的第一dti结构，所述方法包括：

21、提供一衬底，所述衬底中形成有第三沟槽，从俯视角度观察，所述第三沟槽为环形，所述衬底上形成有第四氧化层，所述第四氧化层填充所述第三沟槽，所述第四氧化层上形成有第三硬掩模层；

22、在所述第三硬掩模层上覆盖光阻，暴露出所述第三沟槽对应的区域；

23、进行刻蚀，刻蚀至所述第三沟槽下方的预定区域，形成第四沟槽，去除光阻；

24、在所述第四沟槽的周侧形成第二线性氧化层；

25、形成第五氧化层，所述第五氧化层封闭所述第四沟槽的开口且在第四沟槽内形成有孔隙；

26、进行平坦化处理，去除除所述第四沟槽外其他区域的第四氧化层、第三硬掩模层和第五氧化层。

27、本申请技术方案，至少包括如下优点：

28、通过在射频开关器件的衬底中设置sti结构、第一dti结构和第二dti结构，sti结构隔离器件的源漏区，第一dti结构隔离器件的体区，第二dti结构隔离器件的有源区，能够提高横向上的隔离效果，降低寄生电容，提高器件的防漏电性能。

技术特征：

1.一种射频开关器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一dti结构和所述第二dti结构中形成有孔隙。

3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，从俯视角度观察，所述栅极为u型，所述漏区形成于所述栅极两侧的衬底中，所述源区形成于所述栅极环绕的区域内。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，从俯视角度观察，所述第一dti结构环绕的区域的衬底中形成有第一阱区；

5.根据权利要求2至4任一所述的器件，其特征在于，所述第二dti结构的底部的衬底中形成有重掺杂区。

6.一种dti结构的形成方法，其特征在于，所述方法应用于射频开关器件的制作工艺中，所述方法用于形成权利要求1中的第二dti结构，所述方法包括：

7.一种dti结构的形成方法，其特征在于，所述方法应用于射频开关器件的制作工艺中，所述方法用于形成权利要求1中的第一dti结构，所述方法包括：

技术总结
本申请公开了一种射频开关器件及其制作方法，该器件包括：衬底，衬底中形成有STI结构，第一DTI结构和第二DTI结构；从俯视角度观察，STI结构，第一DTI结构和第二DTI结构为环形，STI结构在第一DTI结构环绕的区域内，第一DTI结构在第二DTI结构环绕的区域内，STI结构，第一DTI结构和第二DTI结构之间没有交叠的区域，STI结构环绕的区域内形成有源区、漏区和栅极，从剖视角度观察，栅极和衬底之间形成有栅介电层。本申请通过在射频开关器件的衬底中设置STI结构、第一DTI结构和第二DTI结构，STI结构隔离器件的源漏区，第一DTI结构隔离器件的体区，第二DTI结构隔离器件的有源区，能够提高横向上的隔离效果，降低寄生电容，提高器件的防漏电性能。

技术研发人员：周琼,刘张李
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/10