本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件封装结构及植球装置。
背景技术：
1、现有技术中，在半导体器件制备完成之后，通常需要对半导体器件进行封装，以对半导体器件形成支撑和保护，减少半导体器件受到外部环境的影响，并使半导体器件与其它器件的连接更加方便。但是，在对半导体器件封装的过程中，还有一些问题需要进一步解决。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种半导体器件封装结构及植球装置，旨在解决现有半导体器件封装结构无法同时满足电性能指标和连接强度的问题。
2、本申请实施例提供一种半导体器件封装结构，包括封装基板、设于封装基板一侧的半导体器件，以及，覆盖所述半导体器件的塑封体；其中，所述封装基板背离所述半导体器件的一侧包括第一焊接区和第二焊接区，所述第一焊接区设有第一焊球，所述第二焊接区设有第二焊球，所述第一焊球的强度与所述第二焊球的强度相异。
3、在一些实施例中，所述第一焊接区沿所述第二焊接区的周向分布。
4、在一些实施例中，所述第一焊球的强度大于所述第二焊球的强度。
5、在一些实施例中，所述封装基板背离所述半导体器件的一侧还包括第三焊接区，所述第三焊接区位于所述第二焊接区的相邻两侧边的交界处，所述第三焊接区设有第三焊球，所述第一焊球、所述第二焊球及所述第三焊球的强度相异。
6、在一些实施例中，所述封装基板包括至少两个所述第三焊接区，至少两个所述第三焊接区沿所述第二焊接区的对角线分布于所述第二焊接区的两侧。
7、在一些实施例中，所述第三焊球包括长条形结构，所述第三焊球的长度方向与对应的所述对角线的延伸方向一致。
8、在一些实施例中，所述封装基板包括多个所述第一焊接区和多个所述第三焊接区，多个所述第一焊接区与多个所述第三焊接区沿所述第二焊接区的周向交替分布。
9、在一些实施例中，所述第三焊球的体积大于所述第一焊球和所述第二焊球的体积；和/或，所述第三焊球的强度大于所述第一焊球和所述第二焊球的强度。
10、在一些实施例中，所述第一焊球与所述半导体器件电连接。
11、本申请实施例还提供一种植球装置，包括至少一个焊球拾取组件，所述焊球拾取组件的一侧包括第一吸附区和第二吸附区，所述第一吸附区开设有第一吸附孔，所述第二吸附区开设有第二吸附孔，所述第一吸附孔用于吸取和释放第一焊球，所述第二吸附孔用于吸取和释放第二焊球，所述第一焊球的强度与所述第二焊球的强度相异。
12、在一些实施例中，所述第一吸附区沿所述第二吸附区的周向分布。
13、在一些实施例中，所述第一焊球的强度大于所述第二焊球的强度。
14、在一些实施例中，所述焊球拾取组件的一侧还包括第三吸附区，所述第三吸附区位于所述第二吸附区的相邻侧边的交界处，所述第三吸附区开设有第三吸附孔，所述第三吸附孔用于吸附第三焊球，所述第一焊球、所述第二焊球及所述第三焊球的强度相异。
15、在一些实施例中，所述焊球拾取组件包括至少两个所述第三吸附区，至少两个所述第三吸附区沿所述第一吸附区的对角线分布于所述第一吸附区的两侧。
16、在一些实施例中，所述第三焊球包括长条形结构，所述第三焊球的长度方向与对应的所述对角线的延伸方向一致。
17、在一些实施例中，所述焊球拾取组件包括多个所述第一吸附区和多个所述第三吸附区，多个所述第一吸附区和多个所述第三吸附区沿所述第二吸附区的周向交替分布。
18、在一些实施例中，所述第三焊球的体积大于所述第一焊球和所述第二焊球的体积；和/或，所述第三焊球的强度大于所述第一焊球和所述第二焊球的强度。
19、在一些实施例中，所述焊球拾取组件包括滑动连接的第一拾取件和第二拾取件，所述第一吸附区位于所述第一拾取件相对所述第二拾取件滑动方向的一侧，所述第二吸附区位于所述第二拾取件相对所述第一拾取件滑动方向的一侧。
20、在一些实施例中，所述焊球拾取组件还包括第三拾取件，所述第三拾取件与所述第一拾取件滑动连接，所述第三吸附区位于所述第三拾取件沿所述第三拾取件相对所述第一拾取件滑动方向的一侧。
21、在一些实施例中，所述植球装置包括阵列分布的多个所述焊球拾取组件。
22、本申请实施例提供的半导体器件封装结构通过在封装基板背离半导体器件一侧的第一焊接区设置第一焊球，在封装基板背离半导体器件一侧的第二焊接区设置第二焊球，并使第一焊球的强度与第二焊球的强度相异，也即，使第一焊球的强度与第二焊球的强度不同。由此，可以使第一焊球和第二焊球中强度较弱的焊球具有较高的电性能，以满足半导体器件封装结构的电性能指标，而第一焊球和第二焊球中强度较高的焊球用于提高半导体器件封装结构与其它器件之间的连接强度，以避免半导体器件封装结构与其它器件之间焊球出现开裂或断裂，进而导致半导体器件封装结构与其它器件之间断路的问题。
1.一种半导体器件封装结构，其特征在于，包括封装基板、设于封装基板一侧的半导体器件，以及，覆盖所述半导体器件的塑封体；其中，所述封装基板背离所述半导体器件的一侧包括第一焊接区和第二焊接区，所述第一焊接区设有第一焊球，所述第二焊接区设有第二焊球，所述第一焊球的强度与所述第二焊球的强度相异。
2.如权利要求1所述的半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一焊接区沿所述第二焊接区的周向分布。
3.如权利要求2所述的半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一焊球的强度大于所述第二焊球的强度。
4.如权利要求1所述的半导体器件封装结构，其特征在于，所述封装基板背离所述半导体器件的一侧还包括第三焊接区，所述第三焊接区位于所述第二焊接区的相邻两侧边的交界处，所述第三焊接区设有第三焊球，所述第一焊球、所述第二焊球及所述第三焊球的强度相异。
5.如权利要求4所述的半导体器件封装结构，其特征在于，所述封装基板包括至少两个所述第三焊接区，至少两个所述第三焊接区沿所述第二焊接区的对角线分布于所述第二焊接区的两侧。
6.如权利要求5所述的半导体器件封装结构，其特征在于，所述第三焊球包括长条形结构，所述第三焊球的长度方向与对应的所述对角线的延伸方向一致。
7.如权利要求4所述的半导体器件封装结构，其特征在于，所述封装基板包括多个所述第一焊接区和多个所述第三焊接区，多个所述第一焊接区与多个所述第三焊接区沿所述第二焊接区的周向交替分布。
8.如权利要求4所述的半导体器件封装结构，其特征在于，所述第三焊球的体积大于所述第一焊球和所述第二焊球的体积；和/或，所述第三焊球的强度大于所述第一焊球和所述第二焊球的强度。
9.如权利要求1至8中任意一项所述的半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一焊球与所述半导体器件电连接。
10.一种植球装置，其特征在于，包括至少一个焊球拾取组件，所述焊球拾取组件的一侧包括第一吸附区和第二吸附区，所述第一吸附区开设有第一吸附孔，所述第二吸附区开设有第二吸附孔，所述第一吸附孔用于吸取和释放第一焊球，所述第二吸附孔用于吸取和释放第二焊球，所述第一焊球的强度与所述第二焊球的强度相异。
11.如权利要求10所述的植球装置，其特征在于，所述第一吸附区沿所述第二吸附区的周向分布。
12.如权利要求11所述的植球装置，其特征在于，所述第一焊球的强度大于所述第二焊球的强度。
13.如权利要求10所述的植球装置，其特征在于，所述焊球拾取组件的一侧还包括第三吸附区，所述第三吸附区位于所述第二吸附区的相邻侧边的交界处，所述第三吸附区开设有第三吸附孔，所述第三吸附孔用于吸附第三焊球，所述第一焊球、所述第二焊球及所述第三焊球的强度相异。
14.如权利要求13所述的植球装置，其特征在于，所述焊球拾取组件包括至少两个所述第三吸附区，至少两个所述第三吸附区沿所述第一吸附区的对角线分布于所述第一吸附区的两侧。
15.如权利要求14所述的植球装置，其特征在于，所述第三焊球包括长条形结构，所述第三焊球的长度方向与对应的所述对角线的延伸方向一致。
16.如权利要求13所述的植球装置，其特征在于，所述焊球拾取组件包括多个所述第一吸附区和多个所述第三吸附区，多个所述第一吸附区和多个所述第三吸附区沿所述第二吸附区的周向交替分布。
17.如权利要求13所述的植球装置，其特征在于，所述第三焊球的体积大于所述第一焊球和所述第二焊球的体积；和/或，所述第三焊球的强度大于所述第一焊球和所述第二焊球的强度。
18.如权利要求13所述的植球装置，其特征在于，所述焊球拾取组件包括滑动连接的第一拾取件和第二拾取件，所述第一吸附区位于所述第一拾取件相对所述第二拾取件滑动方向的一侧，所述第二吸附区位于所述第二拾取件相对所述第一拾取件滑动方向的一侧。
19.如权利要求18所述的植球装置，其特征在于，所述焊球拾取组件还包括第三拾取件，所述第三拾取件与所述第一拾取件滑动连接，所述第三吸附区位于所述第三拾取件沿所述第三拾取件相对所述第一拾取件滑动方向的一侧。
20.如权利要求10所述的植球装置，其特征在于，所述植球装置包括阵列分布的多个所述焊球拾取组件。