本揭露关于半导体装置及其上介电结构的深度负载。
背景技术：
1、在半导体晶圆上形成集成电路。光学微影术图案化工艺使用紫外光将所需遮罩图案转移至半导体晶圆上的光阻剂。接着可使用蚀刻工艺将图案转移至光阻剂之下的层。这一工艺用不同的图案重复多次，从而在晶圆基板上建构不同的层并制成有用装置。
技术实现思路
1、根据本揭露的一些实施例，一种半导体装置包含其上的多个介电结构，所述多个介电结构包含一组孤立长介电结构及一组密集短介电结构；其中每一介电结构包含：一介电体积；一第一介电间隔物及一第二介电间隔物，直接接触该介电体积的多个相对侧向侧面；一第一连续蚀刻终止层，直接接触该第一介电间隔物的与该介电体积的侧面相对的一侧面；及一第二连续蚀刻终止层，直接接触该第二介电间隔物的与该介电体积的侧面相对的一侧面；其中所述多个介电结构的一深度负载为±60纳米。
2、根据本揭露的一些实施例，一种半导体装置包含其上的多个介电结构，所述多个介电结构包含一组孤立长介电结构及一组密集短介电结构；其中每一介电结构包含：一介电体积；一第一介电间隔物及一第二介电间隔物，直接接触该介电体积的多个相对侧向侧面；一第一连续蚀刻终止层，直接接触该第一介电间隔物的与该介电体积的侧面相对的一侧面；及一第二连续蚀刻终止层，直接接触该第二介电间隔物的与该介电体积的侧面相对的一侧面；其中该组孤立长介电结构的一平均临界尺寸及该组密集短介电结构的一平均临界尺寸各为20纳米或更小，其中所述多个介电结构的一深度负载为±60纳米。
3、根据本揭露的一些实施例，一种半导体装置包含其上的多个介电结构，所述多个介电结构包含一组孤立长介电结构及一组密集短介电结构；其中每一介电结构包含：一介电体积；一第一介电间隔物及一第二介电间隔物，直接接触该介电体积的多个相对侧向侧面；一第一连续蚀刻终止层，直接接触该第一介电间隔物的与该介电体积的侧面相对的一侧面；及一第二连续蚀刻终止层，直接接触该第二介电间隔物的与该介电体积的侧面相对的一侧面；其中该组孤立长介电结构的一平均深度及该组密集短介电结构的一平均深度各为至少180纳米，其中所述多个介电结构的一深度负载为±60纳米。
1.一种半导体装置，其特征在于，包含其上的多个介电结构，所述多个介电结构包含一组孤立长介电结构及一组密集短介电结构；
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该深度负载为±40纳米。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该组孤立长介电结构的一平均临界尺寸为20纳米或更小。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该组密集短介电结构的一平均临界尺寸为20纳米或更小。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该组孤立长介电结构的一平均深度为至少180纳米。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该组密集短介电结构的一平均深度为至少180纳米。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一介电间隔物的一厚度与该第一连续蚀刻终止层的一厚度的一比率为8/3或更高。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二介电间隔物的一厚度与该第二连续蚀刻终止层的一厚度的一比率为8/3或更高。
9.一种半导体装置，其特征在于，包含其上的多个介电结构，所述多个介电结构包含一组孤立长介电结构及一组密集短介电结构，其中每一介电结构包含：
10.一种半导体装置，其特征在于，包含其上的多个介电结构，所述多个介电结构包含一组孤立长介电结构及一组密集短介电结构，其中每一介电结构包含：