本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种电阻测试单元及其测试方法。
背景技术：
1、测试键(tsk：test key)是一种用来分析器件性能是否正常及器件各参数是否达标的结构，通过测试晶圆上特定测试结构的电性参数，评估半导体制造过程的质量和稳定性。
2、然而现有半导体器件版图设计时，存在晶圆面积利用率降低的问题。因此如何优化版图设计，以提高晶圆面积利用率，成为了本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本发明解决的技术问题是通过提供一种电阻测试单元及其测试方法，优化版图设计，以提高晶圆面积利用率。
2、为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种电阻测试单元，包括：基底；位于所述基底上的多种电阻测试结构；导电连接层，横跨多种电阻测试结构，且一一对应地通过过孔与各个电阻测试结构连接；其中，所述导电连接层的第一端连接有第一恒定电流，第二端连接有第二恒定电流，第一恒定电流大于第二恒定电流；每种电阻测试结构的第一端连接有恒定电流，第二端连接有恒定电压；其中，各个电阻测试结构分别包括：各自的第一半导体层，位于所述基底上；各自的第一待测半导体层，一一对应的位于所述第一半导体层上，且与对应的第一半导体层接触；电压测试第一端子，与所述第一待测半导体层第一端耦接；电流回路第二端子，与所述第一待测半导体层第二端耦接；电流回路第一端子，与所述导电连接层第一端耦接；电压测试第二端子，与所述导电连接层第二端耦接；其中，所述电压测试第一端子与所述电压测试第二端子及其之间的部分，形成过孔接触电阻测试结构，所述电流回路第二端子与所述电压测试第一端子及其之间的部分，形成方块电阻测试结构；各个电阻测试结构复用所述电流回路第一端子和电压测试第二端子。
3、可选的，所述电阻测试结构满足以下一项或多项：第二恒定电流为0a；
4、恒定电流为0a；恒定电压为0v。
5、可选的，第一种电阻测试结构包括：位于基底内的p型阱；所述第一半导体层掺杂类型为n型且具有第一掺杂浓度，且与所述p型阱接触；所述第一待测半导体层掺杂类型为n型且具有第二掺杂浓度，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度；其中，所述电流回路第一端子连接有所述第一恒定电流；所述电流回路第二端子连接有0v恒定电压；所述第一种电阻测试结构的电压测试第一端子连接有0a恒定电流；所述第一种电阻测试结构的电压测试第二端子连接有0a恒定电流。
6、可选的，第二种电阻测试单元包括：位于基底内的n型阱；所述第一半导体层掺杂类型为p型且具有第一掺杂浓度，且与所述n型阱接触；所述第一待测半导体层掺杂类型为n型且具有第二掺杂浓度，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度；其中，所述电流回路第一端子连接有所述第一恒定电流；所述电流回路第二端子连接有0v恒定电压；所述第二种电阻测试结构的电压测试第一端子连接有0a恒定电流；所述第二种电阻测试结构的电压测试第二端子连接有0a恒定电流。
7、可选的，第三种电阻测试单元包括：位于基底内的p型阱；所述第一半导体层掺杂类型为n型且具有第一掺杂浓度，且与所述p型阱接触；所述第一待测半导体层掺杂类型为p型且具有第二掺杂浓度，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度；其中，所述电流回路第一端子连接有所述第一恒定电流；所述电流回路第二端子连接有0v恒定电压；所述第三种电阻测试结构的电压测试第一端子连接有0a恒定电流；所述第三种电阻测试结构的电压测试第二端子连接有0a恒定电流。
8、可选的，第四种电阻测试单元包括：位于基底内的n型阱；所述第一半导体层掺杂类型为p型且具有第一掺杂浓度，且与所述n型阱接触；所述第一待测半导体层掺杂类型为p型且具有第二掺杂浓度，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度；其中，所述电流回路第一端子连接有所述第一恒定电流；所述电流回路第二端子连接有0v恒定电压；所述第四种电阻测试结构的电压测试第一端子连接有0a恒定电流；所述第四种电阻测试结构的电压测试第二端子连接有0a恒定电流。
9、可选的，所述导电连接层的材料包括：铜、铝、钨、钛、氧化铟锡中的一种或多种。
10、可选的，各电阻测试结构沿第一方向延伸，沿第二方向排列，所述第一方向与第二方向垂直。
11、相应地，本申请还提供了一种测试，应用于前述任一项所述的电阻测试单元，包括：提供待测电阻测试结构；设置所述电流回路第一端子为所述第一恒定电流，所述待测电阻测试结构的电压测试第二端子为所述第二恒定电流，所述待测电阻测试结构的电压测试第一端子为恒定电流，所述电流回路第二端子为恒定电压；测试所述电压测试第一端子与所述电压测试第二端子之间的电压，确定待测电阻测试结构的过孔接触电阻；测试所述电流回路第二端子与所述电压测试第一端子之间的电阻，作为待测电阻测试结构的方块电阻。
12、可选的，对于除所述待测电阻测试结构之外的其他的电阻测试结构，与所述电阻测试结构的第一端耦接的端子均设为悬空，与所述电阻测试结构的第二端耦接的端子均设为悬空。
13、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：
14、本发明实施例提供了一种电阻测试单元，包括：基底；位于基底上的多种电阻测试结构；导电连接层，横跨多种电阻测试结构，一一对应地通过过孔与各个电阻测试结构连接；各个电阻测试结构分别包括：各自的第一半导体层；各自的第一待测半导体层，一一对应的位于第一半导体层上，且与第一半导体层接触；电压测试第一端子，与第一待测半导体层第一端耦接；电流回路第二端子，与第一待测半导体层第二端耦接；电流回路第一端子，与导电连接层第一端耦接；电压测试第二端子，与导电连接层第二端耦接；各个电阻测试结构复用电流回路第一端子和电压测试第二端子，减少了端子数量，节约了晶圆面积，提高了晶圆面积利用率；另外，形成能够测试多种电阻类型的电阻测试结构，且导电连接层的第一端连接有第一恒定电流，第二端连接有第二恒定电流，每种电阻测试结构的第一端连接有恒定电流，第二端连接有恒定电压，在减少端子数量的同时，保持过孔接触电阻和方块电阻测试的准确性。
1.一种电阻测试单元，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电阻测试单元，其特征在于，所述电阻测试结构满足以下一项或多项：
3.如权利要求1所述的电阻测试单元，其特征在于，第一种电阻测试结构包括：
4.如权利要求1所述的电阻测试单元，其特征在于，第二种电阻测试单元包括：
5.如权利要求1所述的电阻测试单元，其特征在于，第三种电阻测试单元包括：
6.如权利要求1所述的电阻测试单元，其特征在于，第四种电阻测试单元包括：
7.如权利要求1所述的电阻测试单元，其特征在于，所述导电连接层的材料包括：铜、铝、钨、钛、氧化铟锡中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的电阻测试单元，其特征在于，各电阻测试结构沿第一方向延伸，沿第二方向排列，所述第一方向与第二方向垂直。
9.一种测试方法，其特征在于，应用于权利要求1-8任一项所述的电阻测试结构，包括：
10.如权利要求9所述的测试方法，其特征在于，对于除所述待测电阻测试结构之外的其他的电阻测试结构，与所述电阻测试结构的第一端耦接的端子均设为悬空，与所述电阻测试结构的第二端耦接的端子均设为悬空。