本公开技术涉及半导体装置及其制造方法。
背景技术：
1、在半导体装置的制造中，大多使用在半导体基板上的成膜、半导体基板上的薄膜的加工等工序。在这些工序中，会利用等离子体处理。等离子体蚀刻、等离子体cvd等。在等离子体处理中，有时会使加工对象部位带电而发生基于此的劣化。因此，若在形成到达半导体基板中的元件的孔的工序、或者在这样的孔已经开设的状态下进行的工序中使用等离子体处理，则有可能对该元件造成影响。
2、想要减少这种情况，可以设置有包围高耐压元件并与基板连接的屏蔽布线。通过跨越屏蔽布线的上层布线将保护二极管与栅极电极连接。由此，抑制其后的工序中的等离子体损伤。
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、在上述现有技术中使用的虚设图案、虚设通路与本来的电路结构没有特别的关系。因此，在半导体装置的使用阶段并不会特别发挥功能。大量存在这样的部件会使半导体装置的整体尺寸无用地大型化。
3、本公开针对上述问题提供了一种能够以不存在浪费的构成有效地抑制等离子体处理时的劣化的半导体装置及其制造方法。
4、用于解决问题的手段
5、为了实现上述目的，第一方面，本公开一些实施例提供了一种半导体装置，半导体装置为包括半导体基板、半导体基板上的绝缘层和绝缘层上的布线层的半导体装置，该半导体装置包括：第一主元件，设置于半导体基板，并且具有与半导体基板绝缘的第一栅极电极；第一栅极接触插塞，从布线层与第一栅极电极接触；第一二极管，分别设置于包围半导体基板中的第一栅极接触插塞的正下方的部位的多个部位上；以及多个第一二极管接触插塞，从布线层与各第一二极管接触。
6、在本公开一些实施例中，半导体装置还可以包括：布线层上的上层绝缘层；上层绝缘层上的上层布线层；栅极过孔插塞，从上层布线层与第一栅极接触插塞上的布线层接触；以及二极管过孔插塞，从上层布线层与第一二极管接触插塞上的布线层接触。
7、在本公开一些实施例中，第一二极管接触插塞的至少其一与第一栅极接触插塞通过布线层的图案相连。
8、在本公开一些实施例中，半导体装置还可以包括：第二主元件，设置于半导体基板，并且具有与半导体基板绝缘的第二栅极电极，导电类型与第一主元件相反；第二栅极接触插塞，从布线层与第二栅极电极接触；第二二极管，分别设置在包围半导体基板中的第二栅极接触插塞的正下方的部位的多个部位上，导电类型与第一二极管相反；以及多个第二二极管接触插塞，从布线层与各第二二极管接触，在半导体基板中包括：包含第一主元件的位置及第一二极管的位置的范围的第一导电型阱；包含第二主元件的位置的范围的第二导电型主阱；包含第二二极管的范围的第二导电型副阱；以及包含第一导电型阱及第二导电型主阱的下部，不包含第二导电型副阱的下部的至少一部分的范围的第一导电型深阱。优选第一栅极接触插塞与第一二极管接触插塞之间的间隔为第一栅极接触插塞的粗细的5倍以下。
9、在本公开一些实施例中，半导体基板中包括：第二导电型区域，设置于半导体基板的表面的一部分的多个部位；第一导电型阱，包含第一主元件的位置及第二导电型区域位置的范围；第二导电型区域的下部与第一导电型阱接触，第二导电型区域与第一导电型阱之间的接触部位为第一二极管。
10、在本公开一些实施例中，半导体基板与第一栅极之间设置有栅极氧化膜。
11、在本公开一些实施例中，第一主元件包括金属氧化物半导体晶体管。
12、第二方面，本公开一些实施例提供了一种半导体装置的制造方法，所制造的半导体装置包括半导体基板、半导体基板上的绝缘层和绝缘层上的布线层，在半导体基板形成有主元件和二极管，主元件具有与半导体基板绝缘的栅极电极，在该方法中，在形成布线层之前在绝缘层进行孔加工，形成使栅极电极在布线层侧露出的栅极接触孔和使二极管在布线层侧露出的二极管接触孔，在孔加工之后，进行形成布线层、填充栅极接触孔的栅极接触插塞、填充二极管接触孔的二极管接触插塞的堆积，孔加工和堆积的至少其中一者包含等离子体处理，二极管分别设置于包围半导体基板中的栅极接触插塞的正下方的部位的多个部位上，在孔加工中，对多个部位的二极管分别形成二极管接触孔。
13、在本公开一些实施例中，半导体装置中还可以是，在堆积后，形成布线层上的上层绝缘层和上层绝缘层上的上层布线层，并且在形成上层布线层之前，在上层绝缘层进行上层孔加工，在该上层孔加工中，形成使栅极接触插塞上的布线层在上层布线层侧露出的栅极过孔和使二极管接触插塞上的布线层在上层布线层侧露出的二极管过孔，在上层孔加工之后，进行形成上层布线层、填充栅极过孔的栅极过孔插塞和填充二极管接触孔的二极管过孔插塞的上层堆积，上层孔加工和上层堆积的至少其中一者包含等离子体处理，通过堆积后的布线层的图案，二极管接触插塞的至少其一与第一栅极接触插塞相连。
14、本发明能够产生的意想不到的效果是：
15、根据本发明技术，可以提供能够以不存在浪费的构成有效地抑制等离子体处理时的劣化的半导体装置及其制造方法。
1.一种半导体装置，其特征在于，包括半导体基板、所述半导体基板上的绝缘层和所述绝缘层上的布线层，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一二极管接触插塞的至少其一与所述第一栅极接触插塞通过所述布线层的图案相连。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，包括：
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板中包括：
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板与所述第一栅极之间设置有栅极氧化膜。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一主元件包括金属氧化物半导体晶体管。
9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所制造的半导体装置包括半导体基板、所述半导体基板上的绝缘层和所述绝缘层上的布线层，在所述半导体基板形成有主元件和二极管，所述主元件具有与所述半导体基板绝缘的栅极电极，
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，