专利名称：紫铜镀铁管座的制作方法
技术领域：
本实用新型属于一种改进的半导体管座，它适合于各类脉冲焊封接的半导体管件。
本实用新型之前，一般的半导体管座由三部分组成紫铜管座、钢环和银铜焊料层，紫铜管座与钢环是通过银铜焊料在氢气烧结炉内烧结而成为一体的。由于银铜焊料的价格很贵(每公斤约一千元)，和氢气烧结炉及所用氢气的制作均耗电很大(总计30KW／h)，加之工艺复杂导致的废品率较高(约2％)，使得该管座的制造成本相对很高。
本实用新型的目的是在原紫铜管座各项技术指标不变的条件下，去掉钢环和不需用银铜焊料，改进工艺，使紫铜管座的制造成本大幅度降低。
本实用新型的组成由附图
(示意图)给出紫铜管座〔1〕上部是0.04～0.2mm厚的镀铁层〔2〕，镀铁层〔2〕的外面是防止氧化的浸铜层〔3〕。
本实用新型的镀铁、浸铜工艺成熟且简便，料耗、能耗显著降低，其制造成本是原脉冲焊封接前紫铜管座的60～70％。
权利要求1.一种用于半导体管件上的紫铜管座[1]，其特征在于该紫铜管座[1]上部有镀铁层[2]。
2.如权利要求1所述的紫铜镀铁管座，其特征在于其镀铁层〔2〕的厚度为0.04～0.2mm。
3.如权利要求2所述的紫铜镀铁管座，其特征在于镀铁层〔2〕的外面有浸铜层〔3〕。
专利摘要一种紫铜镀铁半导体管座，它适合于各种用脉冲焊封接的半导体管件。该管座是在紫铜管座上直接镀铁后浸铜而成，不需钢环和耗用价格很贵的银铜焊料，且废品率显著降低，其制造成本是原紫铜管座的60～70％。
文档编号H01L23/00GK2073621SQ9021428
公开日1991年3月20日 申请日期1990年8月30日 优先权日1990年8月30日
发明者宋仁芳, 潘旭 申请人:宋仁芳, 潘旭