专利名称：阴离子发生器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及阴离子发生器，尤其是其电极结构，既可以保持在特高电压的绝缘状态，又容易产生阴离子的发生器。
一般，产生阴离子的阴离子发生器的电极结构示如
图1。图中1为高绝缘性塑料喷射物组成的托架构件，连接固定放电极固定构件2和上述放电极8一端的引线4，使产生阴离子。图中，未说明符号1a为固定未表示出电极盒的一对螺钉；1b为在托架下端设置固定构件2的凹部1d插入后，用螺钉固定固定构件2与托架构件1所设置的螺钉孔；1c为插入放电极8的贯通孔。
因此，这种结构的阴离子发生器放电电极8远离未表示的罩体，从放电电极8放出的自由电子与吸附阴离子的＋电极起作用。另外，由于放电电极8与＋电极平行配置，因而不仅得不到要求量的阴离子，而且各电极由于尘土污染绝缘性被破坏。在湿度高的场合，这些电极的尖端部分及中间部分也产生放电等，这是以前的技术存在的问题。
因此，本设计在考虑上述存在的问题之后，其目的是提供阴离产生容易，而且可防止异常放电的阴离子发生器。
为了达到上述目的，本设计的阴离子发生器除了基端部分无论哪一方的尖端都与电极心子的轴心成直角外，还具有如下的特点陶瓷制的电杆构件14b、15b，分别沿电极心子轴心长度方向插入的＋电极构件14及一电极构件15；在前述＋电极构件及－电极 构件15心子中间部分的附近，设有防止高电压绝缘破坏的绝缘壁托架架13′；在托架13′及固定构件16备有结合固定的手段17，前述电极构件14、15之间产生阴离子。
以下参照图详细说明本设计的一实施例。
图2(a)为本设计一实施例的阴离子发生器斜视图，图2(b)为图2(a)的B－B′的分解断面图，图3(a)至(c)分别表示固定构件的平面图、断面图及底面图，图4(a)、(b)为表示发生阴离子的一电极断面图，图4(c)为＋电极的断面图。
如上所述，随着＋电极14与一电极15按所定间隔固定，就有异常放电产生，为了抑制这异常放电，电极盒13采用ABS树脂材料制成，在其侧下墙壁或按使用者所要求的位置，设置安装容易的螺钉孔13g′、13n′、13i′的突起部13g、13n、13i及电源线插入沟13f。另外，在电极盒13一侧上面设置的托架13′，分别设置＋电极贯插固定的贯通孔13c和－电极15贯插固定的贯通孔13c。在贯通孔13e、13c之间，仅在＋电极14及－电极15尖端部分的附近发生阴离子，比各电极14、15尖端部分高度低的绝缘壁19，与电极盒13形成一体。另外，在前述贯通 孔13c、13e的左右侧及绝缘壁19下部。为了固定＋电极14及－电极15而不移动，如图3所示，按照所定间隔分别设置电极插入孔16c、16e及凹部16d、16d，在与其固定构件16的贯通孔16a、16a、16a对应的三个固定螺钉17上，分别设置螺合的螺母13a、19a。
另外，如图2(b)所示，前述各电极14、15的贯通孔13c、13c的下端部分，约在各电极14、15中间部分插入绝缘破坏时，异常放电或通过电极盒13高电流漏电，为防止此类事发生，在用氧化铝及陶土粘土制成的陶瓷电杆14b、15b的中间部分，分别设置法兰部14d、15d的一部分，插入后固定位置，分别形成四角形状的凹部13c′、13e′。
其次，参照图4说明有关的－电极15及＋电极14。
首先，－电极15示如图4(a)至(b)，电极心子中间部分15a(参照图2)用考塔尔铁铬铝材料制成，为防止绝缘破坏而产生的异常放电，大致与电极心子轴心对称可弯成直角方向，另外，电极尖端部分由于容易形成局部电场而作成尖状。而且，电极基端部分15c与电极心子轴心对称，尖端部分的弯曲方向与其他方向大致成直角形状，弯曲的一端部侧面插入电源线接线用的杆终端15f。由于在电极心子A中间部15a与基端部15c之间，插入陶瓷制的电杆15b，所以，过度湿度发生或尘土污染绝缘破坏时，电极中间部分附近的导常放电不仅可以防止，而且对各电极14、15的尖端部分附近发生的放电现象也起作用。另外，陶瓷制的电杆15b在其中央部分设置法兰部15d，在电极盒13的托架部13′形成的贯通孔13c插入－电极15时，托架部13′下部形成的四角形凹部13c′，其法兰部15d插入容易固定位置。
其次，＋电极14如图4(c)所示的结构，与前述－电极15不同之点，是电极心子B不可折成直线延伸，其尖端部分与一电极15相同制成尖形。如果把这种－电极插入设置在托架13′的贯通孔13e，那末形成电杆上的法兰部14d，插入贯通孔13e下端形成的四角形凹部13e′位置固定容易，在其他端插入杆终端。
另一方面，插入各＋电极14及－电极15的电杆14b、15b的法兰部14d、15d另一部分，如图3(c)所示，插入固定构件16形成的凹部16d、16d。
前述说明中，把电杆14b、15b的法兰部14d、15d作成四角形状，这些法兰部14d、15d，在插入固定的固定构件16及托架13′所形成的凹部16d、16d、13e′的形状也作成四角形，插入固定电杆14b、15b法兰部14d、15d及其法兰部的凹部16d、16d、13e′的形状，当然是与前述电极14、15尖端部分相互对置的三角形以上的形状。
下面，再就这种结构设计的阴离子发生器装配进行说明。首先，大致相对心子的轴心把各电极心子A、B一端侧弯成直角，其后从另一端的方向插入陶瓷制的电杆14b、15b。再将固定构件16形成的电极插入孔16e、16c各杆终端14f、15f分别按插入方向插入，再插入固定构成16形成的凹部16d、16d内电杆14b、15b的法兰部14d、15d，在各贯通孔13e、13c分别插入各电极心子A、B的尖端部分，一面把电杆14b、15b形成的法兰部14d、15d插入四角形状的凹部13e′、13c′，一面将＋电极14及一电极15的位置按照图2(b)进行排列，其后用三个固定螺钉17通过固定构件16形成的贯通孔16a，用托架13′螺合螺母13a、13a、19a固定各电极14、15的位置。最后于各电极14、15的基端插入杆终端14f、15f后，将负(－)高压引线(图中未表示)和接地引线分别插入电源杆终端(图中未表示)15f和杆终端14f，这样阴离子发生器的装配便完成了。
这样，将＋电极14及－电极15固定的固定构件16，固定于电极盒13内之后，如负电极15附加负(－)高压，这样电极14、15之间的电位势垒失去平衡时便产生自由电子的阴离子。此时，由于绝缘壁19湿度增大，或者尘土污染而引起绝缘破坏，即使有这种情况，在电极14、15的尖端部以外的中间也不产生异常放电现象。
在前述实施例说明中，由于电极14、15的尖端附近放电产生阴离子，而将－电极15的中间部分大致与电极心子轴心对着弯曲为直角方向，本设计不受此限制，例如＋电极14的中间与电极心子的轴心对着弯曲为直角方向，当然也包含于本设计中。
而且，在前述实施例的说明中，电极心子的尖端或基端的一方对着心子轴心弯曲成直角后，与固定构件结合，本设计不受此限制，例如电极心子与电杆预先结合，接着将与固定构件结合后的心子对着轴心弯曲成直角当然也可以。
以上说明的本设计阴离子发生器，由于电极间形成绝缘壁，湿度急剧增加或者有尘土，本设计可以抑制由于上述原因而产生的绝缘破坏，而且对着心子轴心将放电电极尖端大致弯曲成直角，在电极心子插入陶瓷电杆，可以防止各电极尖端以外产生效电，这种效果非常好。
附图简单说明〔图1(a)〕固定以前的阴离子发生器电极的托架构件平面图。
〔图1(b)〕图1的A－A′线断面图。
〔图1(c)〕电极安装的固定构件斜视图。
〔图2(a)〕本设计一实施例的斜视图。
〔图2(b)〕
图2(a)的B－B′线分解断面图。
〔图3(a)〕本设计一实施例适用的固定构件平面图。
〔图3(b)〕图3(a)箭头方向C－C断面图。
〔图3(c)〕图3(a)的底面图。
〔图4(a)及图4(b)〕－电极详细图。
〔图4(c)〕＋电极详细图。
〔符号说明〕1托架构件2固定构件4引线8放电电极(－电极)13电极盒13′托架部13c、13e凹部14＋电极(＋电极构件)14b、15b电杆(电杆构件)14f、15f杆终端(杆终端构件)15－电极(－电极构件)16固定构件
16a贯通孔17固定螺钉(固定手段)19绝缘壁A、B 电极心子
权利要求1.一种阴离子发生器，其特征是无论哪一方，其尖端部分对电极心子A、B轴心弯曲可大致形成直角，另外，+电极构件及-电极构件14、15，是沿着电极心子轴心长度方向分别插入陶瓷制的电杆构件14b、15b得到的；以上述电极构件14、15所定间隔的固定构件16；在上述+电极构件14及-电极构件15的心子中间附近，有防止高电压绝缘破坏的绝缘层19，在此处有托架13′；备有上述托架13′及固定构件16结合固定的固定手段17，阴离子就发生在上述电极构件14、15之间。
2.根据权利要求1所述的阴离子发生器，其特征是上述电杆构件14b、15b在其中间部分分别形成法兰部分，其材料为氧化铝及陶土粘土。
3.根据权利要求1所述的阴离子发生器，其特征是上述电极构件14、15由考塔尔铁铬铝材料制成，其尖端部分为尖形状。
4.根据权利要求1所述的阴离子发生器，其特征是上述绝缘壁19的高度比上述电极构件14、15的尖端部分的高度低。
5.根据权利要求1所述的阴离子发生器，其特征是上述托架部分由ABS树脂材料制成。
6.根据权利要求1所述的阴离子发生器，其特别是上述固定构件16插入＋电极构件14及一电极构件15的心子，其电杆构件14b、15b的法兰部分14d、15d分别为多角形状的凹部。
专利摘要本实用新型提供了容易产生阴离子，而且防止异常放电的阴离子发生器，其结构，无论何方，其尖端部分与电极心子A、B对着可大致弯曲为直角。另外，本阴离子发生器的特点是分别沿着电极心子轴心长度方向，插入陶瓷电杆构件14b、15b的+电极构件14及-电极构件15；在前述+电极构件14及-电极构件15的心子中间部分附近，有形成防止高压绝缘破坏的绝缘壁托架13′；备有结合固定前述托架13′及固定构件16的固定手段17，从而在前述电极构件14、15之间产生阴离子。
文档编号H01T23/00GK2098746SQ9120594
公开日1992年3月11日 申请日期1991年4月12日 优先权日1990年4月21日
发明者权赫九 申请人:三星电子株式会社