专利名称：电子设备间的连接方法和连接电缆的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子设备间的连接方法及连接电缆。
背景技术：
如
图12(a)-(b)所示，为了将信号从第1电子设备1a传送到第2电子设备1b，使用以第1外部导体3a屏蔽信号线2的连接电缆4，如图12(a)或图12(b)所示进行接线处理。
图12的(a)所示的接线处理中，信号线2的一端与第1电子设备1a的信号输出5连接，信号线2的另一端与第2电子设备1b的信号输入6连接，第1外部导体3a的一端与第1电子设备1a的基准电位即框架7连接，第1外部导体3a的另一端与第2电子设备1b的基准电位即框架8连接。
这样接线时，在框架7、8之间无电位差的情况下，能实现良好的信号传递，但在信号电平低且框架7与框架8之间有电位差的情况下，噪声会混入第2电子设备1b的信号输入6。
在这样的情况下，实施一点接地处理，即，如图12(b)所示，不进行将第1外部导体3a的另一端与第2电子设备1b的框架8连接这样的处理，将第1外部导体3a仅与第1电子设备1a的框架7连接。
但是，当设想第1电子设备1a与第2电子设备1b间的配置间隔较长且用信号线2传送低频信号(频率范围为几十KHz-几十MHz)和高频信号(频率范围为几十MHz以上)的场合及传送频率高的数字信号的场合时，在如图12(b)所示的一点接地处理的情况下，就存在从第1外部导体3a发向空间的高频信号的干扰辐射电平升高的问题。
另外在该现有例子中，以1条连接电缆4的场合为例进行了说明，但在第1电子设备1a与第2电子设备1b之间用并行配置的多条连接电缆连接时，还存在从并行配置的各连接电缆4辐射出的噪声相互干扰而使干扰辐射进一步增大的问题。
本发明的目的在于，提供一种在上述这样的情况下，能很好传递低频信号，并能显著降低高频信号的干扰辐射电平的连接方法及连接电缆。
发明的公开本发明的电子设备间的连接方法特点在于，对第1外部导体进行一点接地处理，将第1电子设备1a与第2电子设备1b连接，同时，将第2外部导体的第2电子设备1b侧的端部高频连接第2电子设备1b的基准电位，进行电子设备间的连接处理，能很好进行低频信号的传递并能显著降低高频信号的干扰辐射电平。
权利要求1记载的电子设备间的连接方法的特征在于，当电子设备之间用连接电缆连接时，用第1外部导体将连接电缆的信号线从一端至另一端的区间加以屏蔽，并将该第1外部导体的一端连接所述电子设备中的一个电子设备的基准电位，而且用第2外部导体屏蔽第1外部导体，并将第2外部导体连接另一电子设备的基准电位，通过第1外部导体与第2外部导体之间的杂散电容使一个电子设备的基准电位与另一个电子设备的基准电位耦合。
若采用该结构，将第1外部导体与第1电子设备进行一点接地处理，第1电子设备与第2电子设备之间的基准电位的电位之差不会带入第2电子设备，能实现低频信号的良好传送，且第1外部导体对高频信号的阻抗下降，能降低干扰辐射。
权利要求2记载的电子设备间的连接方法的特征在于，当电子设备之间用连接电缆连接时，分别用第1外部导体将多条连接电缆的信号线从一端至另一端的区间加以屏蔽，并将各第1外部导体的一端连接所述电子设备中的一个电子设备的基准电位，而且用共同的第2外部导体屏蔽各第1外部导体，并将第2外部导体连接另一电子设备的基准电位，通过第1外部导体与第2外部导体之间的杂散电容使一个电子设备的基准电位与另一电子设备的基准电位耦合。
若采用该结构，将各第1外部导体与第1电子设备进行一点接地处理，第1电子设备与第2电子设备之间的基准电位的电位之差不会带入第2电子设备，能实现低频信号的良好传送，且各第1外部导体对高频信号的阻抗下降，能降低干扰辐射。
权利要求3记载的电子设备间的连接方法的特征在于，当电子设备之间用连接电缆连接时，分别用第1外部导体将多条连接电缆的信号线从一端至另一端的区间加以屏蔽，将各第1外部导体的一端连接所述电子设备中的一个电子设备的基准电位，并使各第1外部导体的另一端相互间连接，而且用共同的第2外部导体屏蔽各第1外部导体，并将第2外部导体连接另一电子设备的基准电位，通过第1外部导体与第2外部导体之间的杂散电容使一个电子设备的基准电位与另一电子设备的基准电位耦合。
若采用这样的结构，因为在权利要求2的结构之上，又使第1外部导体的另一端相互电连接，所以与未主动使第1外部导体的另一端相互成为相同电位的场合相比，高频信号的各第1外部导体系统稳定，各第1外部导体中不会产生各自的驻波。
权利要求4记载的电子设备间的连接方法的特征在于，在权利要求1、权利要求2或权利要求3中，根据针对抑制干扰辐射的频率，对第2外部导体与第1外部导体的对置长度进行调整。
权利要求5记载的电子设备间的连接方法的特征在于，在权利要求1、权利要求2、权利要求3或权利要求4中，在第1外部导体与第2外部导体之间连接电容值满足针对抑制干扰辐射的频率的电容器元件来进行调整。
采用这样的结构，利用第1、第2外部导体之间的杂散电容的作用，能降低高频区的干扰辐射，并且通过连接在第1外部导体与第2外部导体之间的电容器元件，能调整低频区高端的截止频率，抑制干扰辐射。
权利要求6记载的电子设备间的连接方法的特征在于，当电子设备之间用连接电缆连接时，分别用第1外部导体将多条连接电缆的信号线从一端至另一端的区间加以屏蔽，将各第1外部导体的一端连接所述电子设备中的一个电子设备的基准电位，并将各第1外部导体的另一端相互间电气连接，而且用共同的第2外部导体屏蔽各第1外部导体，将第2外部导体连接另一电子设备的基准电位，将所述各第1外部导体的另一端相互间电气连接，再用与多条连接电缆的第1外部导体束的外侧接触且与第2外部导体对置的第3外部导体覆盖，通过第2外部导体与第3外部导体之间的杂散电容使一个电子设备的基准电位与另一电子设备的基准电位耦合。
采用该结构，因为用第3外部导体覆盖多条连接电缆的第1外部导体束，用第2外部导体与第3外部导体之间产生的杂散电容将第1外部导体连接第2电子设备的基准电位，所以第2外部导体与第3外部导体之间产生的杂散电容值不会受到各第1外部导体直径的影响。
权利要求7记载的电子设备间的连接方法的特征在于，在权利要求6中，根据针对抑制干扰辐射的频率，调整第3外部导体与第2外部导体对置的长度。
权利要求8记载的电子设备间的连接方法的特征在于，在权利要求6、权利要求7中，在第3外部导体与第2外部导体之间，连接电容值满足针对抑制干扰辐射的频率的电容器元件来进行调整。采用该构成能有选择地抑制对象频率的干扰辐射。
权利要求9记载的电子设备间的连接方法的特征在于，在权利要求1-权利要求8中，第1外部导体、第2外部导体及第3外部导体中的至少一个为编织线。
权利要求10记载的电子设备间的连接方法的特征在于，在权利要求6、权利要求7、权利要求8中，将中间夹着绝缘薄膜、两侧的第1和第2导体片对置的片卷绕在连接电缆上，将内侧的第1导体片作为第3外部导体，将外侧的第2导体片作为第2外部导体，通过第1导体片与第2导体片之间的杂散电容使一个电子设备的基准电位与另一个电子设备的基准电位耦合。
采用该结构，能减少末端处理的工序数，并能减薄片的绝缘薄膜的厚度，获得大的杂散电容。
权利要求11记载的电子设备间的连接方法的特征在于，电子设备之间用连接电缆连接时，分别用第1外部导体将多条连接电缆信号线的一端至另一端的区间加以屏蔽，将各第1外部导体的一端连接所述电子设备中的一个电子设备的基准电位，并将各第1外部导体的另一端相互电连接，而且连接到另一电子设备的基准电位，以使各连接电缆的第1外部导体不产生各自的驻波。
采用该结构，与未主动使第1外部导体的另一端相互间成为相同电位时相比，高频信号的各第1外部导体系统较稳定，各第1外部导体中不会产生各自的驻波，所以适合数字信号的传送。
权利要求12记载的连接电缆的特征在于，设有将从信号线的一端至另一端的区间加以屏蔽的第1外部导体，以及，夹着绝缘体与第1外部导体对置，并屏蔽第1外部导体的第2外部导体，所述信号线一端的第1外部导体连接用所述信号线连接的一个电子设备的基准电位，所述信号线另一端的第2外部导体连接另一电子设备的基准电位。
权利要求13记载的连接电缆的特征在于，设有将从信号线的一端至另一端的区间加以屏蔽的第1外部导体，以及，夹着绝缘体与第1外部导体对置并屏蔽第1外部导体的所述另一端一部分的第2外部导体，所述信号线一端的第1外部导体连接用所述信号线连接的一个电子设备的基准电位，所述信号线另一端的第2外部导体连接另一电子设备的基准电位，并且，根据针对抑制干扰辐射的频率，设定第2外部导体的与第1外部导体的对置长度、第1外部导体与第2外部导体的电极间隔及所述绝缘体材料的材质之中的至少一个参数。
权利要求14记载的连接电缆的特征在于，在权利要求13中，设置连接在第1外部导体与第2外部导体之间的电容器元件，并将电容器元件的电容值设定为满足针对抑制干扰辐射的频率的值。
权利要求15记载的连接电缆的特征在于，在权利要求12-权利要求14中，使第2外部导体为编织线，并使该编织线第2外部导体的前端折回信号线一端的一侧。
附图的简单说明图1所示为本发明实施例1的连接方法及连接电缆的剖视图。
图2所示为在实施例1的第1、第2外部导体之间形成杂散电容的说明图。
图3所示为实施例2的连接方法用的连接电缆的剖视图。
图4为示出实施例2的另外实施例的连接电缆的剖视图。
图5所示为实施例3的连接方法用的连接电缆的剖视图。
图6为示出实施例3的另外实施例的连接电缆的剖视图。
图7(a)-(e)所示为在本发明实施例4的连接方法中使用的连接电缆末端处理的工序图。
图8所示为实施例4的末端处理完成状态的立体图。
图9(a)-(e)所示为在本发明实施例5的连接方法中使用的连接电缆末端处理的工序图。
图10(a)-(e)所示为在本发明实施例6的连接方法中使用的连接电缆末端处理的工序图。
图11所示为在本发明实施例7的连接方法中使用的连接电缆的说明图。
图12(a)、(b)所示为说明传统连接方法用的连接电缆的局部剖切图。
实施发明的最佳形态以下根据图1-图11，说明本发明的各实施例。
(实施例1)图1和图2示出实施例1。
连接第1电子设备1a与第2电子设备1b的连接电缆4，从其连接第1电子设备1a的信号输出5与第2电子设备1b的信号输入6之间的信号线2的一端4a至另一端4b，几乎其整个长度被作为编织线的第1外部导体3a所包卷而屏蔽。
第1外部导体3a的外侧被第1外部包覆层9a包覆，再在其外侧，从信号线2的一端至另一端，用作为编织线的第2外部导体3b包卷进行屏蔽。在第2外部导体3b的外侧包覆着第2外部包覆层9b。
第1外部导体3a的一端通过导线10连接作为第1电子设备1a的基准电位的框架7。第1外部导体3a的另一端不连接作为第2电子设备1b的基准电位的框架8。
第2外部导体3b在电缆另一端4b一侧的端部通过导线11连接作为第2电子设备1b的基准电位的框架8。
由于结构如上所述，当从第1电子设备1a来看第2电子设备1b一侧时，连接电缆4在低频信号区(频率范围为数十KHz-数十MHz)与第1电子设备1a的框架7进行了一点接地处理，故即使在第1电子设备1a的框架7与第2电子设备1b的框架8之间发生了电位差，也能将信号很好传送给第2电子设备1b的信号输入6。在高频信号区(频率范围为数十MHz以上)，第1电子设备1a的框架7与第2电子设备1b的框架8之间通过如图2所示在夹着第1外部包覆层9a对置的第1、第2外部导体3a、3b之间产生的杂散电容C而耦合，尽管对第1外部导体3a进行了一点接地处理，也能降低高频信号区中第1外部导体3a的阻抗。
因此，随信号线2所加信号感应到第1外部导体3a向外部辐射的干扰信号电平与传统的相比能显著降低。
另外，第1、第2外部导体3a、3b都是编织线，但即使将该两外部导体或其中之一换成铝箔或金属管，也可望获得相同的效果。
(实施例2)图3和图4示出实施例2。
实施例1的第2外部导体3b与第1外部导体3a的几乎全部区域相对设置，但在此实施例2中，第2外部导体3b仅在第1外部导体3a在电缆另一端4b一侧的一部分，就对置长度D的范围与第1外部导体3a相对设置。该对置长度D设定为产生能使低频信号区中第1外部导体3a的阻抗增高、高频信号区中第1外部导体3a的阻抗降低的杂散电容所必需的对置距离。
由于结构如上所述，故通过改变对置长度D，能任意调整针对抑制干扰辐射的频率。另外，因为与实施例1相比能减短第2外部导体3b的长度，所以连接电缆4的制造方便。
再有，通过如图4所示，在图3所示的连接电缆4的第2电子设备1b一侧，将数十pF-数万pF的陶瓷电容器12夹装在第1外部导体3a与第2外部导体3b之间，就能使低频信号区的高频部分干扰辐射电平也一起降低。具体是，通过利用陶瓷电容器12来添加用上述杂散电容得不到的大电容量，从而在数十KHz-10MHz的低频信号区，能使连接电缆在低频信号区的阻抗降低。
另外，第1、第2外部导体3a、3b都用编织线构成也好，两者或其中之一换成铝箔或金属管也好，都能获得相同的效果。
(实施例3)图5和图6示出实施例3。
在实施例1和实施例2中，是在单一的第2外部导体3b的内侧设有用单一的第1外部包覆层9a包覆的信号线2。但在本实施例3中，在单一的第2外部导体3b的内侧，设有分别用第1外部包覆层9a包覆的多条信号线2。
在图5中，各第1外部导体3a的另一端相互间用绝缘体(或导电体)的捆绑带13捆扎成束，通过将捆绑带13扎紧，使各第1外部导体3a相互接触而电连接。其它与图3的相同。
此外，不是用捆绑带13将第1外部导体3a的另一端相互间捆扎成束，而是将单线或编织线卷绕成第1外部导体3a的另一端相互间捆扎成束的状态，再进行锡焊，也能获得相同的效果。在用导体将第1外部导体3a的另一端相互间捆扎成束时，采用绝缘措施使第1外部导体3a与第2外部导体3b不会通过导线11而导通。
由于结构如上所述，故即使在多条信号线2被施加不同频率信号的情况下，也不会在每条频率不同的第1外部导体3a产生不同的驻波，高频信号区中的多个第1外部导体3a的系统稳定。
图6是在图5所示的结构中增加了小电容量的陶瓷电容器12，其它的与图4的相同。
另外，第1、第2外部导体3a、3b都用编织线构成也好，两者或其中之一换成铝箔或金属管也好，都能获得相同的效果。
(实施例4)图7(a)-(e)和图8示出实施例4。
在实施例3中，分别进行多条第1外部导体3a的扎束工序及与陶瓷电容器12的锡焊工序，而在本实施例4中，如图7(a)所示，使陶瓷电容器12一端的导线12a沿第1外部导体3a之上配置，再在其外侧包覆耐热性热收缩管14。
该耐热性热收缩管14的内侧两端设有粘结带15，中央固定有可发生变形使直径变小的C形环16。环16上预先加有焊锡或焊锡糊。如图7(b)所示包覆上如上所述固定有粘结带15和环16的耐热性热收缩管14，并使陶瓷电容器12一端的导线12a夹在第1外部导体3a与环16之间，接着，用热鼓风机等热风加热装置(未图示)加热耐热性热收缩管14的外侧。
由于该加热，耐热性热收缩管14如图7(c)所示收缩而直径变小。装在耐热性热收缩管14内的环16也随着该收缩发生变形，直径变小，从而收紧，将多条第1外部导体3a捆扎成束。还有，由于被来自上述热风加热装置的热量加热而温度上升，加在环16上的焊锡或焊锡糊熔化，环16、陶瓷电容器12的导线12a及多条第1外部导体3a被焊接。收缩后的耐热性热收缩管14利用粘结带粘贴在已捆扎成束的第1外部导体3a上，以使其位置不发生移动。
接着如图7(d)所示，将陶瓷电容器12的另一端导线12b焊接在外部导体3b上，最后如图7(e)所示，在外侧包覆热收缩管18，加工成如图8所示。
在本实施例中，如图7(a)所示，第2外部导体3b的端部向第1电子设备1a一侧弯折，并如图8所示，用捆绑带17扎束进行末端处理，这是考虑到当第2外部导体3b为编织线时，编织线松开后编织线的一部分会与第1外部导体3a接触而发生装配不良，为避免发生这样的装配不良而采取的措施。
另外，第1外部导体3a用编织线构成也好，换成铝箔或金属管也好，都可望有同样的效果。
(实施例5)图9(a)-(e)示出实施例5。
在实施例4中，第2外部导体3b与多条第1外部导体3a对置而产生杂散电容C，由于包围第1外部导体3a外侧的第1外部包覆层9a的厚度及材质的不同，其电容量值也变化。在本实施例5中，通过在第1、第2外部导体3a、3b之间设置第3外部导体3c，来使杂散电容稳定。
首先，如图9(a)所示，与图5一样，用捆绑带13将被第1外部导体3a屏蔽的多条电缆捆扎成束。再如图9(b)所示，在第1外部导体3a的外侧包覆筒状的第3外部导体3c，使第1外部导体3a与第3外部导体3c接触而电连接。接着如图9(c)所示，用第3外部包覆层9c包覆第3外部导体3c，再如图9(d)所示，设置第2外部导体3b，而且如图9(e)所示，第2外部导体3b与上述实施例一样，通过导线11与第2电子设备1b的框架8连接。另外，也可以用第2外部包覆层(未图示)包覆第2外部导体3b。
这样被包覆的第3外部导体3c与第1外部导体3a相抵接的部位用捆绑带20a牢固捆绑，使第3外部导体3c与第1外部导体3a的电连接可靠。同样，用捆绑带20b捆绑第2外部导体3b的外侧，使第3外部导体3c与第2外部导体3b的对置面可靠。
由于结构如上所述，故第1外部导体3a的端部通过第2外部导体3b与第3外部导体3c之间形成的杂散电容与第2电子设备1b的框架8耦合。此外，该杂散电容的大小由第2外部导体3b与第3外部导体3c的对置长度及间隔等参数决定，即使第1外部导体3a与第2外部导体3b的距离等有变动，也能获得规定大小的杂散电容。
另外，在本实施例5中，也可以与实施例4一样，将第2外部导体3b的端部向第1电子设备1a一侧弯折进行末端处理，并以增大杂散电容为目的，在第2外部导体3b与第1外部导体3a之间，或者在第2外部导体3b与第3外部导体3c之间，连接陶瓷电容器。
另外，第1、第2、第3外部导体3a、3b、3c都是用编织线构成的，但若将其中之一、或其二或其三换成铝箔或金属管，也可望有同样的效果。
(实施例6)图10(a)-(d)示出实施例6。
在实施例5中，是在第1外部导体3a之上包覆第3外部导体3c，然后依次形成第3外部包覆层9c、第2外部导体3b及第2外部包覆层(未图示)，构成连接电缆4。但在本实施例6中，与实施例5相比可减少终端处理的工序数。
首先，如图10(a)所示，与图5一样，用捆绑带13将被第1外部导体3a屏蔽的多条电缆捆扎成束。如图10(b)、图10(c)所示，在其上卷绕层叠薄膜21，再如图10(d)所示，从卷绕的层叠薄膜21的外侧用捆绑带22进行捆绑，终端处理就此结束。
具体是，层叠薄膜21通过使第1导体片30c与第2导体片30b在中间夹入绝缘薄膜23相对置而构成。
由于结构如上所述，故通过包卷层叠薄膜21，就使第1外部导体3a与第1导体片30c接触而电连接，从而与实施例5一样，在第1导体片30c与第2导体片30b之间形成对象杂散电容。此外，可以减薄绝缘薄膜23的厚度而获得大的杂散电容。
另外，因为在单纯包卷层叠薄膜21的情况下，在包卷结束的末端，内侧面的第1导体片30c会重叠在外侧面的第2导体片30b上而使两者间导通，所以，具体是，至少在层叠薄膜21的包卷末端，在第1导体片30c与第2导体片30b之间夹装绝缘薄膜，将两者之间绝缘。
以上对通过包卷层叠薄膜21来使第1外部导体3a与第1导体片30c抵接而电连接进行了说明，但也可以构成为，将层叠薄膜21包卷在第1外部包覆层9a之上，然后将从第1导体片30c引出的导线与第1外部导体3a连接。
在本实施例中，对使第1导体片30c与第2导体片30b中间夹着绝缘薄膜23相对置的3层结构的层叠薄膜21进行了说明。但在单纯包卷层叠薄膜21的情况下，为了使第1导体片30c与第2导体片30b在包卷结束时不导通，也可以使用以绝缘薄膜遮覆第1导体片30c的表面或第2导体片30b的表面之中的至少一个表面的4层或5层的层叠薄膜，并从第1导体片30c、第2导体片30b引出导线。用这样的结构可进一步提高安装效率。
(实施例7)图11示出实施例7。
在上述各实施例中，对从第1电子设备1a向第2电子设备1b传送低频信号和高频信号的情况进行了说明，在本实施例7中，示出了用并列设置的多条连接电缆4a、4b……4n传送高频数字信号的数字专用电子设备间的连接方法的具体例子。
连接电缆4a、4b……4n的各第1外部导体3a的第1电子设备1a侧端部分别通过导线与第1电子设备(相当于图1的1a)的框架(相当于图1的7)连接。9a为覆盖第1外部导体3a外侧的第1外部包覆层。
连接电缆4a、4b……4n的第1外部导体3a的第2电子设备1b一侧的端部用导体或绝缘体的捆绑带23捆扎成束，使第1外部导体3a的另一端相互间电连接，在此基础上，通过导线11连接第2电子设备1b的基准电位。
若结构如上所述，则因为各连接电缆的第1外部导体不发生各自的驻波，所以可望工作稳定及降低干扰辐射。
另外，不用捆绑带23而代之以利用编织线，将第1外部导体3a的另一端相互间焊接在一起，并通过导线11连接第2电子设备1b的基准电位，这样的结构也可望有相同的效果。
在上述各实施例中，一条连接电缆的信号线为多条(2条)，但如同轴电缆中所看到的那样，一条连接电缆的信号线为单一的也一样。
权利要求
1.一种电子设备间的连接方法，当电子设备之间用连接电缆连接时，用第1外部导体将连接电缆的信号线从一端至另一端的区间加以屏蔽，并将该第1外部导体的一端连接所述电子设备中的一个电子设备的基准电位，用第2外部导体屏蔽第1外部导体，将第2外部导体连接另一电子设备的基准电位，通过第1外部导体与第2外部导体之间的杂散电容使一个电子设备的基准电位与另一个电子设备的基准电位耦合。
2.一种电子设备间的连接方法，当电子设备之间用连接电缆连接时，分别用第1外部导体将多条连接电缆的信号线从一端至另一端的区间加以屏蔽，将各第1外部导体的一端连接所述电子设备中的一个电子设备的基准电位，用共同的第2外部导体屏蔽各第1外部导体，将第2外部导体连接另一电子设备的基准电位，通过第1外部导体与第2外部导体之间的杂散电容使一个电子设备的基准电位与另一电子设备的基准电位耦合。
3.一种电子设备间的连接方法，当电子设备之间用连接电缆连接时，分别用第1外部导体将多条连接电缆的信号线从一端至另一端的区间加以屏蔽，将各第1外部导体的一端连接所述电子设备中的一个电子设备的基准电位，并使各第1外部导体的另一端相互间电连接，用共同的第2外部导体屏蔽各第1外部导体，将第2外部导体连接另一电子设备的基准电位，通过第1外部导体与第2外部导体之间的杂散电容使一个电子设备的基准电位与另一电子设备的基准电位耦合。
4.根据权利要求1、2、3中的任一项所述的电子设备间的连接方法，其特征在于，根据针对抑制干扰辐射的频率，对第2外部导体与第1外部导体的对置长度进行调整。
5.根据权利要求1、2、3、4中的任一项所述的电子设备间的连接方法，其特征在于，在第1外部导体与第2外部导体之间连接电容值满足针对抑制干扰辐射的频率的电容器元件来进行调整。
6.一种电子设备间的连接方法，其特征在于，当电子设备之间用连接电缆连接时，分别用第1外部导体将多条连接电缆的信号线从一端至另一端的区间加以屏蔽，将各第1外部导体的一端连接所述电子设备中的一个电子设备的基准电位，并使各第1外部导体的另一端相互间电连接，用共同的第2外部导体屏蔽各第1外部导体，将第2外部导体连接另一电子设备的基准电位，使所述各第1外部导体的另一端相互间电气连接，再用与多条连接电缆的第1外部导体束的外侧接触且与第2外部导体对置的第3外部导体覆盖，通过第2外部导体与第3外部导体之间的杂散电容使一个电子设备的基准电位与另一电子设备的基准电位耦合。
7.根据权利要求6所述的电子设备间的连接方法，其特征在于，根据针对抑制干扰辐射的频率，调整第3外部导体与第2外部导体的对置长度。
8.根据权利要求6或7所述的电子设备间的连接方法，其特征在于，在第3外部导体与第2外部导体之间，连接电容值满足针对抑制干扰辐射的频率的电容器元件来进行调整。
9.根据权利要求要1-8中的任一项所述的电子设备间的连接方法，其特征在于，第1外部导体、第2外部导体及第3外部导体中的至少一个为编织线。
10.根据权利要求6、7、8中的任一项所述的电子设备间连接方法，其特征在于，将中间夹着绝缘薄膜、两侧的第1、第2导体片对置的片卷绕在连接电缆上，将内侧的第1导体片作为第3外部导体，将外侧的第2导体片作为第2外部导体，通过第1导体片与第2导体片之间的杂散电容使一个电子设备的基准电位与另一个电子设备的基准电位耦合。
11.一种电子设备间的连接方法，其特征在于，当电子设备之间用连接电缆连接时，分别用第1外部导体将多条连接电缆信号线从一端至另一端的区间加以屏蔽，将各第1外部导体的一端连接所述电子设备中的一个电子设备的基准电位，使各第1外部导体的另一端相互电连接后再连接另一电子设备的基准电位，以使各连接电缆的第1外部导体不产生各自的驻波。
12.一种连接电缆，其特征在于，设有将信号线从一端至另一端的区间加以屏蔽的第1外部导体，以及，夹着绝缘体与第1外部导体对置并屏蔽第1外部导体的第2外部导体，所述信号线一端的第1外部导体连接由所述信号线连接的一个电子设备的基准电位，所述信号线另一端的第2外部导体连接另一电子设备的基准电位。
13.一种连接电缆，其特征在于，设有将信号线从一端至另一端的区间加以屏蔽的第1外部导体，以及，夹着绝缘体与第1外部导体对置并屏蔽第1外部导体的所述另一端一部分的第2外部导体，所述信号线一端的第1外部导体连接由所述信号线连接的一个电子设备的基准电位，所述信号线另一端的第2外部导体连接另一电子设备的基准电位，并且，根据针对抑制干扰辐射的频率，设定第2外部导体的与第1外部导体的对置长度、第1外部导体与第2外部导体的电极间隔及所述绝缘体材料的材质之中的至少一个参数。
14.根据权利要求13所述的连接电缆，其特征在于，设有连接在第1外部导体与第2外部导体之间的电容器元件，并将电容器元件的电容值设定为满足针对抑制干扰辐射的频率的值。
15.根据权利要求12-14中的任一项所述的连接电缆，其特征在于，使第2外部导体为编织线，并使该编织线第2外部导体的前端折回信号线一端的一侧。
全文摘要
本发明是一种能传送良好的低频信号并能显著改善高频信号的干扰辐射电平的连接方法及连接电缆。电子设备1a、1b之间用连接电缆4连接时,用第1外部导体3a将连接电缆的信号线2从一端至另一端的区间加以屏蔽,并将第1外部导体3a的一端连接电子设备1a的基准电位,而且用第2外部导体3b屏蔽第1外部导体3a,并将第2外部导体3b连接电子设备1b的基准电位,通过第1外部导体3a与第2外部导体3b之间的杂散电容使一个电子设备的基准电位与另一电子设备的基准电位耦合,还根据针对抑制干扰辐射的频率,调整第2外部导体3b与第1外部导体3a的对置长度。
文档编号H01R4/64GK1244963SQ98802062
公开日2000年2月16日 申请日期1998年1月26日 优先权日1997年1月30日
发明者山本隆 申请人:松下电器产业株式会社