低sar值的手机天线的制作方法

文档序号:9827473阅读:343来源:国知局
低sar值的手机天线的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种低SAR值的手机天线。
【背景技术】
[0002]目前随着科技的发展,手机偏向超薄化、小型化、金属化、宽频多频化发展,而人们对手机天线性能的要求越来越高,天线的性能(包括:TRP (全向辐射功率),TI S (总全向灵敏度),RL(回波损耗),Efficiency(效率)等),随着手机性能的提高,而手机对人体的辐射也势必增加,这些辐射被人体吸收,于是就产生了人体单位面积吸收的辐射量(SAR值)这一定义,由于人体单位面积吸收的辐射量(SAR值)与手机天线的性能是成反比的,因此在设计天线性能的时候,很难做到既要保证手机天线的SAR值达标,又要保证手机天线的良好性能。

【发明内容】

[0003]本发明的目的在于克服现有技术之缺陷,提供了一种低SAR值的手机天线,其具有结构简单、降低辐射的特性。
[0004]本发明是这样实现的:一种低SAR值的手机天线,其包括:
[0005]—外壳,其内设置一主板,所述主板设置有主天线馈点;
[0006]—主天线,所述主天线为PIFA天线,所述PIFA天线上设置有二触脚,所述触脚向下弯折延伸并连接至主天线馈点;
[0007]—平面电磁晶体EBG贴片,设置于主板的金属地上,且位于所述主天线下方。
[0008]本发明平面电磁晶体EBG贴片设置于主板的金属地上,且位于所述主天线下方,通过平面电磁晶体EBG贴片与附近金属地的接通与断开,以改变主天线的辐射方向,达到控制手机天线波束指向的目的,从而有效控制电磁波的传播,降低手机天线对人体方向的辐射,使手机天线SAR值控制在规定的范围内。
【附图说明】
[0009]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1为本发明实施例提供的立体图;
[0011 ]图2为本发明提供的侧视图。
【具体实施方式】
[0012]下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0013]如图1-图2,本发明实施例提供一种低SAR值的手机天线,其包括:一外壳,其内设置一主板,所述主板设置有主天线馈点;一主天线,所述主天线为PIFA天线,所述PIFA天线上设置有二触脚,所述触脚向下弯折延伸并连接至主天线馈点,主天线两地一馈,主天线去掉寄生单元地,通过在信号馈点和地馈点间开槽来耦合出寄生单元所增加的高频部分,这样做增加了天线带宽,在保证了手机天线性能的同时,降低了手机天线辐射对人体的影响;一平面电磁晶体EBG贴片,设置于主板的金属地上,且位于所述主天线下方,在天线下方主板金属地上加载一块小型化的平面电磁晶体EBG贴片,平面电磁晶体EBG贴片与附近金属地的接通与断开能够改变主天线的辐射方向,达到控制手机天线波束指向的目的,从而有效控制电磁波的传播,降低手机天线对人体方向的辐射,使手机天线SAR值控制在规定的范围内,最大限度地减少手机福射对人体的伤害。
[0014]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种低SAR值的手机天线,其特征在于,包括: 一外壳,其内设置一主板,所述主板设置有主天线馈点; 一主天线,所述主天线为PIFA天线,所述PIFA天线上设置有二触脚,所述触脚向下弯折延伸并连接至主天线馈点; 一平面电磁晶体EBG贴片,设置于主板的金属地上,且位于所述主天线下方。
【专利摘要】本发明提供了一种低SAR值的手机天线,其包括;一外壳,其内设置一主板,所述主板设置有主天线馈点;一主天线,所述主天线为PIFA天线,所述PIFA天线上设置有二触脚,所述触脚向下弯折延伸并连接至主天线馈点;一平面电磁晶体EBG贴片,设置于主板的金属地上,且位于所述主天线下方,通过平面电磁晶体EBG贴片与附近金属地的接通与断开,以改变主天线的辐射方向,达到控制手机天线波束指向的目的,从而有效控制电磁波的传播,降低手机天线对人体方向的辐射,使手机天线SAR值控制在规定的范围内。
【IPC分类】H01Q1/50, H01Q1/24
【公开号】CN105591189
【申请号】CN201510881057
【发明人】赵春雷, 吕佳乐, 江荣, 邹荣凯
【申请人】深圳市天鼎微波科技有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年12月3日
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