专利名称：无触点浪涌保护装置脱离器的制作方法
技术领域：
本实用新型是一种用于电力系统的无触点浪涌保护装置脱离器。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是本脱离器由低熔点导体、发热电阻、电流互感器和监控模块组成。其中，低熔点导体接于相线L中。电流互感器位于相线L一旁，其线圈两端与监控模块脚1、2相连。监控模块脚3通过发热电阻与相线L相接，监控模块脚4与零线N相接。
本实用新型和常规的断路器相比，具有以下优点由于采用了热熔断的方式对浪涌保护装置进行过流保护，在主回路中没有触点连接，因此，本脱离器既可以保证雷电流正常通过，又可以在浪涌保护装置漏电流过大时使浪涌保护装置可靠地从系统中脱离，从而避免了浪涌保护装置的烧毁现象发生。
图2是
图1中监控模块的结构示意图。
图3是图1与浪涌浪涌保护装置的连接示意图。
本实用新型采用了漏流采集比判，延时控制，可靠脱离的整体保护设计构思。
本脱离器1的结构如图1所示由低熔点导体2、发热电阻3、电流互感器4和监控模块组成。其中，低熔点导体2接于相线L中。电流互感器4位于相线L一旁，其线圈两端与监控模块脚1、2相连。监控模块脚3通过发热电阻3与相线L相接，监控模块脚4与零线N相接。
上述监控模块的结构如图2所示设有漏流采集比判、延时控制电路，延时控制电路由二极管D、电容C组成，漏流采集比判电路设有可控硅STR，其中，二极管D的负极、电容C一端、可控硅STR栅极共接，二极管D的正极、电容C另一端分别与监控模块脚1、2相接，电容C另一端、可控硅STR阴极共接于监控模块脚4，可控硅STR阳极与监控模块脚3相接。
上述的发热电阻3，可采用RX20型或其它型号产品。
如图3所示本实用新型装在输入线路与浪涌浪涌保护装置之间。
本实用新型产品的技术参数可以达到如下指标(仅供参考)1.最大冲击通流容量100KA。
2.最小工频熔断电流30mA。
3.工频电流过流熔断时间小于3分钟。
4.8/20μs波100kA冲击下的残压小于1200V。
5.阻抗小于2mΩ。
6.耐压4kV。
下面，简述一下本实用新型的工作过程。
电流互感器4用于采集浪涌保护装置的漏电流，监控模块通过判断漏电流是否达到保护门限值来控制发热电阻3的接通。当浪涌保护器因老化而使其漏电流增大到某个危险值时，监控模块接通发热元件，使低熔点导体2迅速熔断，从而使浪涌保护装置从电力系统中脱离。监控模块中的延时电路，用于避免雷电流或电网中其它的各种瞬间过电压引起的误动，由此可提高本实用新型产品的工作稳定性和可靠性。
权利要求1.一种无触点浪涌保护装置脱离器，其特征是脱离器(1)由低熔点导体(2)、发热电阻(3)、电流互感器(4)和监控模块组成，其中，低熔点导体(2)接于相线L中，电流互感器(4)位于相线L一旁，其线圈两端与监控模块脚1、2相连，监控模块脚3通过发热电阻(3)与相线L相接，监控模块脚4与零线N相接。
2.根据权利要求1所述的无触点浪涌保护装置脱离器，其特征是监控模块设有漏流采集比判、延时控制电路，延时控制电路由二极管D、电容C组成，漏流采集比判电路设有可控硅STR，其中，二极管D的负极、电容C一端、可控硅STR栅极共接，二极管D的正极、电容C另一端分别与监控模块脚1、2相接，电容C另一端、可控硅STR阴极共接于监控模块脚4，可控硅STR阳极与监控模块脚3相接。
3.根据权利要求1所述的无触点浪涌保护装置脱离器，其特征是所述的发热电阻(3)，采用RX20型产品。
专利摘要本实用新型是一种无触点浪涌保护装置脱离器，其特征是脱离器(1)由低熔点导体(2)、发热电阻(3)、电流互感器(4)和监控模块组成，其中，低熔点导体(2)接于相线L中，电流互感器(4)位于相线L一旁，其线圈两端与监控模块脚1、2相连，监控模块脚3通过发热电阻(3)与相线L相接，监控模块脚4与零线N相接。本实用新型既可以保证雷电流正常通过，又可以在浪涌保护装置漏电流过大时使浪涌保护装置可靠地从系统中脱离，从而避免了浪涌保护装置的烧毁现象发生。
文档编号H02H3/20GK2569412SQ0227913
公开日2003年8月27日 申请日期2002年9月12日 优先权日2002年9月12日
发明者刘旭, 王富元 申请人:武汉爱劳高科技有限责任公司