专利名称：最大或最小值输出电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及最大或最小值输出电路，特别涉及选择地输出多个输入信号之中最大或最小电平的信号的最大或最小值输出电路。
背景技术：
冷阴极荧光管(CCFLCold Cathode Fluorescent Lamp)，例如作为液晶监视器的背景光原使用。在用于驱动冷阴极荧光管的驱动系统中，安装有用于检测冷阴极荧光管的异常状态，保护冷阴极荧光管的保护系统。
以往，在这样的保护系统中，检测冷阴极荧光管的施加电压或供给电流的最大值，来检测冷阴极荧光管的状态。这时，峰值保持向冷阴极荧光管施加的电压或驱动电流，根据其峰值保持值，直流输出最大值(例如，参照专利文献1、专利文献2)。
专利文献1特开平6-267674号公报。
专利文献2特开2002-134293号公报。
发明内容
可是，以往的冷阴极荧光管的保护电路，通过峰值保持向冷阴极荧光管施加的电压或驱动电流，来检测施加电压或驱动电流的最大值，并供给比较放大器等，通过与基准电压等进行比较，来检测冷阴极荧光管的状态，在比较放大器等的前段，需要峰值保持电路等附加的电路，因此存在构成变复杂等的问题。
本发明是鉴于上述问题而提出的，目的在于提供不必设置附加的电路，以简单的构成可以输出最大值的最大值输出电路。
本发明，是从多个输入信号V12、V13，Vin1～Vinn之中选择地输出最大或最小电平的信号的最大或最小值输出电路，其特征在于，具有向基极输入各自不同的输入信号，并联连接集电极-发射极的多个输入晶体管Q11、Q12，Q21～Q2n，Q31～Q3n；输出与多个输入晶体管Q11、Q12，Q21～Q2n，Q31～Q3n中所流的电流相应的电流的电流反射镜电路M21、M22；通过使与电流反射镜电路M21、M22的输出电流相应的电流流向集电极-发射极间，从基极输出与输入给多个输入晶体管Q11、Q12，Q21～Q2n，Q31～Q3n的基极的输入信号V12、V13，Vin1～Vinn之中最大或最小电平的输入信号相应的信号的输出晶体管Q13、Q41。
其特征在于，多个输入晶体管Q11、Q12，Q21～Q2n，Q31～Q3n以及输出晶体管Q13、Q41由双极晶体管构成。
其特征在于，电流反射镜电路M21、M22由MOS晶体管构成；其特征在于，多个输入晶体管Q11、Q12，Q21～Q2n，Q31～Q3n以及输出晶体管Q13、Q41，由相同特性的晶体管构成。
另外，上述参照符号说到底仅是参考，权利要求的范围不受此限定。
根据本发明，利用构成多个输入晶体管、电流反射镜电路、输出晶体管的晶体管的开关特性，可以选择地输出输入信号之中最大电平的信号。
图1是本发明的一个实施例的框图构成图；图2是驱动IC13的框图构成图；图3是PWM控制部61的框图构成图；图4是保护电路部62的框图构成图；图5是最大值输出电路91的框图构成图；图6是最大值输出电路91的动作说明图；图7是最大值输出电路91的变形例的框图构成图；图8是最小值输出电路的框图构成图。
图中1-冷阴极荧光管点灯系统，11-冷阴极荧光管部，12-共振电路，13-驱动IC，14-保护IC，15-保持电路，16-基准电压源，21、22-冷阴极荧光管对，31、32、41、42-冷阴极荧光管，61-PWM控制部，62-保护电路部，C1、C2-电容器，91-最大值输出电路，92、95～97、112-比较放大器，94-乘系数电路，98-基准电压源，99-AND门，100-输出电路，101-平均化电路，D1、D2-二极管，121、221-电流源，Q11、Q12、Q13、Q21～Q2n-NPN双极晶体管，Q31～Q3n-PNP双极晶体管，M21、M22-n沟道MOS场效应晶体管，M31、M32-p沟道MOS场效应晶体管。
具体实施例方式
在本实施例中，对将最大值输出电路用于冷阴极荧光管点灯系统的场合进行说明。首先，对冷阴极荧光管点灯系统进行说明。
系统构成图1表示本发明的一种实施例的框图构成图。
本实施例的冷阴极荧光管点灯系统1，例如是作为液晶监视器的背景光源等使用的系统，由冷阴极荧光管部11、共振电路部12、驱动IC(integratedcircuit)13、保护IC(integrated circuit)14、峰值保持电路15、基准电压源16、电容器C1、C2构成。
冷阴极荧光管部11，是被做成并联配置冷阴极荧光管对21、22的结构。冷阴极荧光管对21，是被做成并联配置2根冷阴极荧光管31、32的结构，冷阴极荧光管对22，是被做成并联配置2根冷阴极荧光管41、42的结构。
在冷阴极荧光管31、32、41、42的一端连接有共振电路12。另外，冷阴极荧光管31、32的另一端通过检测用电阻Rs1、Rs2接地，冷阴极荧光管41、42的另一端通过检测用电阻Rs3、Rs4接地。
冷阴极荧光管31、32、41、42与共振电路12一起构成共振电路。冷阴极荧光管31、32、41、42，如果在其两端施加规定频率例如50kHz的电压，则驱动电流流向冷阴极荧光管31、32、41、42，冷阴极荧光管31、32、41、42点灯，如果施加比50kHz低的频率或高的频率，例如施加100kHz的电压，则在冷阴极荧光管31、32、41、42中不流驱动电流，冷阴极荧光管31、32、41、42熄灭。
规定频率的驱动信号从驱动IC13供给共振电路12。共振电路12由电阻、电容器、变压器等构成，通过那些电容、电感等构成共振电路，与由驱动IC13所供给的驱动信号发生共振，供给冷阴极荧光管部11驱动电力。
驱动IC13图2表示驱动IC13的框图构成图。
驱动IC 13，由电压控制振荡电路51、起动电路52、误差放大器53、电压控制电路54构成。
电压控制振荡电路51，具有控制端子Tcnt及振荡输出端子Tost。在电压控制振荡电路51的控制端子Tcnt上，连接有起动电路52和误差放大器53、电压控制电路54以及端子T4。电压控制振荡电路51，从输出端子Tosc输出与控制端子Tcnt的施加电压相应的频率的振荡输出。
电压控制振荡电路51的输出端子Tosc，与驱动IC13的输出端子T1连接，电压控制振荡电路51的振荡输出，。由输出端子T1向共振电路12输出。
起动电路52，控制电压控制振荡电路51的控制电压，以便在电流投入时加快冷阴极荧光管31、32、41、42的点灯。
在误差放大器53的反相输入端子上，连接有端子T2，在非反相输入端子上连接有端子T3。平均值信号由保护IC14供给端子T2。由基准电压源将基准电压供给端子T3。误差放大器53，输出与平均信号与基准信号的差对应的电压。误差放大器53的输出，在供给电压控制振荡电路51的控制端子Tcnt的同时，供给端子T4。
在电压控制电路54上，连接有端子T5。端子T5与保护IC14的端子T14连接，由保护IC14供给停止信号。电压控制电路54，根据来自保护IC14的停止信号，将电压控制振荡电路51的控制端子Tcnt固定在高电平。这时，电压控制电路54，如果将其输出固定在高电平，则将输出维持在高电平，直到通过切断电源等进行复位为止。
端子T4，与保护IC14的端子T15连接。在端子T4和端子T15的连接点与接地之间连接有电容器C1。电压控制振荡电路51，根据电容器C1的充电电压来控制施加加给控制端子Tcnt的控制电压，并控制振荡频率。
保护IC14保护IC14，如图1所示，由PWM(pulse width modulation)控制部61及保护电路部62构成。PWM控制部61是用于PWM控制驱动IC13所包含的电压控制振荡电路51的振荡状态的电路。
PWM控制部61图3表示PWM控制部61的框图构成图。
PWM控制部61，由三角波生成电路71、比较放大器72、门电路73、模拟开关74、放电用开关75、比较放大器76、电阻R11、R12、R13、电容器C11构成。
用于决定亮度的设定亮度信号由外部供给端子T17。供给端子T17的设定亮度信号，被供给比较放大器72的反相输入端子。三角波由三角波生成电路71供给比较放大器72的非反相输入端子。比较放大器72，比较亮度信号与三角波，当三角波比亮度信号大时，将其输出置为高电平，当三角波比亮度信号小时将其输出置为低电平。通过比较放大器72，生成与三角波的频率对应的，并且与亮度信号的电平对应的脉冲宽度的脉冲。
比较放大器72的输出脉冲，在通过由电阻R11、电容器C11所构成的延迟电路供给开关75的同时，供给门电路73。开关75连接在端子T15与接地之间，根据将比较放大器72的输出脉冲只延迟由电阻R11、电容器C11所决定的时间的脉冲来进行开关。开关75，在脉冲为低电平时断开，从接地切断端子T15，使电容器C 1可以充电，在脉冲为高电平时闭合，将端子T15接地短路，使电容器C 1放电。
门电路73，反相输入比较放大器72的输出脉冲。另外，比较放大器76的输出供给门电路73。门电路73，输出将比较放大器72的输出反相后的反相输出与比较放大器76的输出的AND逻辑。门电路73的输出被供给模拟开关74。
模拟开关74连接在端子T15与端子T16之间，根据门电路73的输出进行开关，连接或切断端子T15与端子T16的连接。模拟开关74，在门电路73的输出为高电平时闭合，短路端子T15与端子T16，在门电路73的输出为低电平时断开，断开端子T15与端子T16。
端子T16与比较放大器76的反相输入端子连接，电阻R12与电阻R13的连接点和非反相输入端子连接。电阻R12，一端与比较放大器76的非反相输入端子连接，另一端与端子T15连接。电阻R13，一端与比较放大器76的非反相输入端子和电阻R12的一端的连接点连接，在另一端施加电源电压Vdd。
比较放大器76，比较电阻R12和电阻R13连接点的电位与端子T16的电位，如果电阻R12和电阻R13连接点的电位比端子T16的电位大，则将输出作为高电平，如果电阻R12与电阻R13的连接点的电位比端子T16的电位小，则将输出作为低电平。
下面，说明PWM控制部61的动作。
首先，如果比较放大器72的输出脉冲变为高电平，则开关74断开，端子T15与端子T16断开。由此，电容器C1和电容器C2变为被切断的状态。
接着，开关75通过电阻R11、电容器C11被延迟，并变为高电平。由此，开关75在比较放大器72的输出变为高电平之后、稍微延迟后闭合。由于开关75闭合，所以与端子T15连接的电容器C1被放电。
电容器C1一放电，则端子T15的电位降低。接着，由三角波生成电路71所输出的三角波降低，比较放大器72的输出一变为低电平，则通过电阻R11及电容器C11稍微延迟后，开关75断开。由于开关75断开，电容器C1通过驱动IC13的端子14的电位被充电。
由于电容器C1充电，端子T15的电位上升。由于端子T15的电位上升，比较放大器76的非反相输入端子的电位上升。
比较放大器76的非反相输入端子的电位上升，如果上升超过端子T16的电位，即根据电容器C2的充电电压，则比较放大器76的输出变为高电平。如果比较放大器76的输出变为高电平，则门电路73的输出变为高电平，模拟开关74闭合。由于闭合模拟开关74，电容器C1和电容器C2变为与端子T4连接的状态。
这样，电容器C1的充电电压，对于电容器C2的充电电压在达到了所希望的电压时，模拟开关74闭合，电容器C1和电容器C2变为与端子T4连接的状态，由此可以防止电容器C1充电时的过冲。
接着，如果三角波生成电路71的三角波变为比设定亮度信号大，比较放大器72的输出变为高电平，则门电路73的输出变为低电平，模拟开关74断开。由于断开模拟开关74，电容器C2保持驱动IC13的端子T4的电位。另外，模拟开关74断开后，稍微经过一段之后，开关75闭合，电容器C1放电。这时，因为是模拟开关74断开之后，所以电容器C2上仍然保持端子T4的电位。
通过以上动作，根据比较放大器72的输出脉冲，可以脉冲状控制驱动IC13的端子T4的电位。
驱动IC13，通过脉冲状驱动端子T4的电位，可以使电压控制振荡电路51的振荡频率在约50kHz与100kHz之间间歇地变化。如果电压控制振荡电路51的振荡频率变为50kHz，则共振电路12进行共振，冷阴极荧光管31、32、41、42点灯。另外，如果电压控制振荡电路51的振荡频率变为100kHz，则从供振电路12向冷阴极荧光管31、32、41、42的电力供给停止，冷阴极荧光管31、32、41、42熄灭。
通过以上动作，可间歇地向冷阴极荧光管31、32、41、42供给电力，使亮度保持一定。
这时，通过在电容器C1充电时开关模拟开关74，控制与电容器C1、C2的连接，使容量发生变化，可以抑制在端子T4的电位发生过冲。因此，可以稳定通过端子T4的电位控制振荡频率的电压控制振荡电路51的振荡输出。
保护电路部62下面，对保护电路部62进行说明。
保护电路部62，是用于检测冷阴极荧光管部11的施加电压和供给电流的最大值，并检测冷阴极荧光管部11的异常的电路。
图4表示保护电路部62的框图构成图。
保护电路部62由最大值输出电路91、比较放大器92、基准电压源93、乘系数电路94、比较放大器95、96、97、基准电压源98、AND门99，输出电路100、二极管D1、D2构成。
检测电压由端子T12、T13输入给最大值输出电路91。在端子T12，在其与接地之间反向连接有二极管D1。另外，在端子T13，在其与接地之间反向连接有二极管D2。
二极管D1、D2作为保护IC13的保护元件发挥作用。通过二极管D1、D2，半波整流来自端子T12、T13的检测电压。由端子T12、T13所供给的、通过二极管D1、D2半波整流过的信号被供给最大值输出电路91。
最大值输出电路91，选择地输出由端子T12所供给的检测电压和由端子T13所供给的检测电压之中大的一方的检测电压。
由最大值输出电路91所输出的最大值信号，供给比较放大器92的非反相输入端子以及乘系数电路94。从基准电压源93向比较放大器92的反相输入端子施加基准电压。在基准电压源93所发生的基准电压，被设定为最大值信号的下限值。
如果来自最大值输出电路91的最大值信号比在基准电压源93所发生的基准电压大，则比较放大器92将输出置为高电平，如果来自最大值输出电路91的最大值信号比在基准电压源93所发生的基准电压小，则比较放大器92将输出置为低电平。比较放大器92的输出供给AND门99。
另外，乘系数电路94，将由最大值输出电路91所输出的最大值信号乘以0.8倍。即输出最大值的80％的信号。由乘系数电路94乘以0.8倍后的信号被供给比较放大器95、96的反相输入端子。
端子T12所供给的检测信号V12被供给比较放大器95的非反相输入端子。如果检测信号V12比来自乘系数电路94的最大值的80％的信号大，则比较放大器95将输出置为高电平，如果检测信号V12比来自乘系数电路94的最大值的80％的信号小，则比较放大器95将输出置为低电平。
端子T13所供给的检测信号V13被供给比较放大器96的非反相输入端子。如果检测信号V13比来自乘系数电路94的最大值的80％的信号大，则比较放大器96将输出置为高电平，如果检测信号V13比来自乘系数电路94的最大值的80％的信号小，则比较放大器96将输出置为低电平。比较放大器95、96的输出被供给AND门99。
保持电路15的输出，由端子T11被供给比较放大器97的反相输入端子。保持电路15，保持检测电阻Rs1与检测电阻Rs2的连接点的电压以及检测电阻Rs3与检测电阻Rs4的连接点的最大电压。另外，基准电压由基准电压源98施加给比较放大器97的反相输入端子。由基准电压源98所发生的基准电压，被设定为符合最大驱动电压的电压。
如果保持电路15的输出电压比来自基准电压源98的基准电压大，则比较放大器97将输出置为低电平，如果保持电路15的输出电压比来自基准电压源98的基准电压小，则比较放大器97将输出置为高电平。比较放大器97的输出供给AND门99。
比较放大器92、95、96、97的输出供给AND门99。AND门99输出比较放大器92、95、96、97的输出的AND逻辑。AND门99，在比较放大器92、95、96、97的输出全部为高电平时，输出为高电平，如果比较放大器92、95、96、97的输出之中任意1个变为低电平，则输出变为低电平。AND 门99的输出供给输出电路100。
输出电路100，由电流源111、比较放大器112、基准电压源113、电容器C21、晶体管M11、M12构成。
AND门99的输出供给晶体管M11的栅极。晶体管M11由n沟道MOS场效应晶体管构成，采用源极接地，在漏极-源极并联连接电容器C21的结构。另外，在晶体管M11的漏极和电容器C21的连接点由电流源111供给充电电流。
晶体管M11，在AND门99的输出为高电平时导通，在AND门99的输出为低电平时截止。在晶体管M11截止的状态下，充电电流由电流源111供给电容器C21，电容器C21充电。另外，如果晶体管M12导通，则充电给电容器C21的电荷通过晶体管M11接地放电。这样，电容器C21根据晶体管M11的导通/截止进行充放电。
电容器C21的充电电压，施加给比较放大器112的反相输入端子。基准电压由基准电压源113供给比较放大器112的非反相输入端子。如果电容器C21的充电电压比来自基准电压源113的基准电压大，则比较放大器112将输出置为高电平，如果电容器C21的充电电压比来自基准电压源113的基准电压小，则比较放大器112将输出置为低电平。比较放大器112的输出供给晶体管M12的栅极。
晶体管M12由n沟道MOS场效应晶体管构成，源接地，漏极与输出端子T14连接。晶体管M12，在比较放大器112的输出为高电平时导通，在比较放大器112的输出为低电平时截止。
保护电路部62的动作在通常动作状态下，比较放大器92、95、96、97的输出全部为高电平，则AND门99的输出为高电平。在AND门99的输出为高电平时，晶体管M11导通。由于晶体管M11导通，电容器C21放电，电容器C21的充电电压为低电平。由于电容器的充电电压为低电平，所以比较放大器112的输出为高电平。如果比较放大器112的输出变为高电平，则晶体管M12导通，端子T14为低电平。
另外，如果冷阴极荧光管部11的连接状态、点灯状态出现异常，最大输出电路91的输出变为比基准电压即比最大值信号的下限值小，则比较放大器92的输出变为低电平。
如果比较放大器92的输出变为低电平，则AND门99的输出为低电平。在AND门99的输出为低电平时，晶体管M11截止。由于晶体管M11截止，电容器C21由电流源111充电。电容器C21被充电，如果其充电电压变为比基准电压113大，则比较放大器112的输出变为低电平。如果比较放大器112的输出变为低电平，则晶体管M12截止，端子T14变为高电平。由于端子T14变为高电平，所以可以检知冷阴极荧光管部11的异常状态。
再者，由于冷阴极荧光管部11的连接状态、熄灭等的异常，如果端子T12或端子T13的电压变为比乘系数电路94的输出、最大值信号的80％小，则比较放大器95或96的输出变为低电平。
如果比较放大器92的输出变为低电平，则AND门99的输出变为低电平。在AND门99的输出变为低电平时，晶体管M11截止。由于晶体管M11截止，电容器C21由电流源111充电。电容器C21被充电，如果其充电电压变为比基准电压113大，则比较放大器112的输出变为低电平。如果比较放大器112的输出变为低电平，则晶体管M12截止，端子T14变为高电平。由于端子T14变为高电平，所以可以检知冷阴极荧光管部11的异常状态。
另外，如果冷阴极荧光管部11为过电压状态，一旦端子T11的电压变为比由基准电压源98所生成的基准电压大，则比较放大器97的输出变为低电平。如果比较放大器97的输出变为低电平，则AND门99的输出变为低电平。在AND门99的输出变为低电平时，晶体管M11截止。由于晶体管M11截止，电容器C21由电流源111充电。电容器C21被充电，如果其充电电压变为比基准电压113大，则比较放大器112的输出变为低电平。如果比较放大器112的输出变为低电平，则晶体管M12截止，端子T14变为高电平。由于端子T14变为高电平，所以可以检知冷阴极荧光管部11的异常状态。端子T14与驱动IC13的端子T5连接。
另外，检测信号V12、V13由端子T12、端子T13供给平均值电路101。平均值电路101，生成与检测信号V12、V13的平均值相应的信号，从端子T18输出。端子T18与驱动IC13的端子T2连接。
最大值输出电路91在此，对成为本发明特征的最大值输出电路91进行说明。
图5表示最大值输出电路91的框图构成图。
最大值输出电路91，是选择地输出端子T12或端子T13所供给的检测信号之中最大电平的信号的电路，由双极晶体管Q11、Q12、Q13、MOS型场效应晶体管M21、M22、电流源121构成。
双极晶体管Q11、Q12、Q13，由NPN晶体管构成。另外，晶体管Q11、Q12例如由被设定为大致同等特性的晶体管构成。
晶体管Q11构成输入晶体管，基极与端子T12连接，集电极与晶体管M21的漏极以及栅极和晶体管M22的栅极连接，发射极通过电流源121接地。晶体管Q11从集电极引入与由端子T12所供给的检测信号对应的电流。
另外，晶体管Q12构成输入晶体管，基极与端子T13连接，集电极与晶体管M21的漏极以及栅极和晶体管M22的栅极连接。晶体管Q12从集电极引入与由端子T13所供给的检测信号对应的电流。
再者，晶体管Q13，构成输出晶体管，集电极与晶体管M22的漏极连接，发射极通过电流源121接地。晶体管Q13流有与在晶体管Q11或晶体管Q12中所流电流对应的电流。
晶体管M21、M22由p沟道MOS场效应晶体管构成。晶体管M21给源极施加电源电压Vdd，栅极与漏极以及晶体管M22的漏极连接。另外，晶体管M22向源极施加电源电压Vdd，栅极与晶体管M21的栅极以及漏极连接。晶体管M21、M22构成电流反射镜电路，从晶体管M22的漏极输出与从晶体管Q11或者晶体管Q12的集电极所引入的电流相应的电流。晶体管M22的漏极，与输出晶体管Q13的集电极以及基极连接。
晶体管Q13的发射极，通过电流源121接地。将晶体管M22的漏极和晶体管Q13的集电极及基极的连接点作为最大值输出。最大值输出电路91的输出被供给比较放大器92及乘系数电路94。
图6表示最大值输出电路91的动作说明图。图6(A)表示输入信号，图6(B)表示输出信号。
如图6(A)的期间P11所示，表示在端子T12所输入的检测信号V12比端子T13所输入的检测信号V13大时，根据对于双极晶体管的基极-发射极间电压的集电极电流的特性，晶体管Q11的集电极电流与晶体管Q12的集电极电流相比变为充分大的特性。即，晶体管Q11的电流输出能力与晶体管Q12的电流输出能力相比变为充分大。
这时，由晶体管Q11、Q12的发射极从相同的电流源121引入电流，因为晶体管Q11的电流输出能力与晶体管Q12的电流输出能力比充分大，所以电流几乎由晶体管Q11的发射极引入到电流源121。
晶体管Q11的集电极电流，通过由晶体管M11、M12所构成的电流反射镜电路，在晶体管Q13的集电极也流有与晶体管Q11相同的电流。由此，如图6(B)所示，在晶体管Q13的基极出现与晶体管Q11的基极相同的信号。
另外，如图6(B)的期间P11所示，表示在端子T13所输入的检测信号V13比端子T12所输入的检测信号V12大时，根据对于双极晶体管的基极-发射极间电压的集电极电流的特性，晶体管Q12的集电极电流与晶体管Q11的集电极电流比变为充分大的特性。即，晶体管Q12的电流输出能力与晶体管Q12的电流输出能力比变为充分大。
这时，由晶体管Q11、Q12的发射极从相同的电流源121引入电流，因为晶体管Q12的电流输出能力与晶体管Q11的电流输出能力比充分大，所以电流几乎由晶体管Q12的发射极引入到电流源121。
晶体管Q12的集电极电流，通过由晶体管M11、M12所构成的电流反射镜电路，在晶体管Q13的集电极也流有与晶体管Q12相同的电流。由此，如图6(B)所示，在晶体管Q13的基极出现与晶体管Q12的基极相同的信号。
通过上述动作，可以输出输入信号V12、V13之中大的一方的信号。另外，如本实施例所述，通过将双极晶体管用于输入/输出用晶体管Q11、Q12、Q13，与晶体管Q11和晶体管Q13的检测信号V12、V13对应的电流供给能力的差变大，可以准确地输出最大值。
另外，虽然本实施例的最大值输出电路91，是针对输出2个输入的检测信号之中大的一方的信号的电路进行了说明，但是并不局限于此，也可以适用于从n个输入的信号中输出最大信号的电路。
图7表示最大值输出电路91的变形例的框图构成图。同图中，在与图5相同的构成部分附以相同的符号，故省略其说明。
本变形例的最大值输出电路191，是采用了将n个作为输入晶体管的双极晶体管Q21～Q2n与电流源121与晶体管M11的漏极及栅极、以及，晶体管M12的栅极的连接点并联连接的结构。检测信号Vin1～Vinn由端子Tin1～Tinn供给晶体管Q21～Q2n的基极。
另外，在本变形例中，虽然从输出端子Tout输出了由端子Tin1～Tinn所供给的信号之中最大电平的信号，但是，也可以从输出端子Tout输出由端子Tin1～Tinn所供给的信号之中最小电平的信号。
图8表示最小值输出电路的框图构成图。
最小值输出电路291，由PNP双极晶体管Q31～n、Q41、n沟道MOS场效应晶体管M31、M32、电流源221构成。
晶体管Q31～Q3n、Q41，发射极通过电流源221与电源电压Vdd连接，集电极通由晶体管M31、M32所构成的电流反射镜电路与地连接。信号Vin1～Vinn由端子Tin1～Tinn供给晶体管Q31～Q3n的基极。
晶体管M31、M32构成电流反射镜电路，由晶体管M31、M32所构成的电流反射镜电路，从晶体管Q41的集电极及基极引入与晶体管M31～M3n的集电极电流相应的电流。由此，在晶体管Q41流有与晶体管M31～M3n所流电流之中最小电流对应的电流，由此，在晶体管Q41的基极，发生与由端子Tin1～Tinn供给晶体管Q31～Q3n的基极的信号Vin1～Vinn之中最小电平的信号相应的信号Vmin。在晶体管Q41的基极发生的最小信号Vmin，从输出端子Tout输出。
另外，在本实施例中，虽然对将最大值输出电路91适用于冷阴极荧光管点灯系统1的例子进行了说明，但是，最大值输出电路91、191、最小值输出电路291的适用领域并不仅局限于冷阴极荧光管点灯系统1，不言而喻，也可以普遍适用于选择地输出多个输入信号之中最大或最小电平的信号的电路。
权利要求
1.一种最大或最小值输出电路，用于选择地输出多个输入信号之中最大或最小电平的信号，其特征在于，具有输入晶体管，其在基极输入各自不同的输入信号，并联连接集电极—发射极；电流反射镜电路，其输出与在所述多个输入晶体管中所流的电流相应的电流；和输出晶体管，其通过在集电极—发射极间流过与所述电流反射镜电路的输出电流相应的电流，从基极输出与输入给上述多个输入晶体管的基极的上述输入信号之中最大或最小电平的输入信号相应的信号。
2.根据权利要求1所述的最大或最小值输出电路，其特征在于，所述多个输入晶体管以及所述输出晶体管，是由双极晶体管构成。
3.根据权利要求1或2所述的最大或最小值输出电路，其特征在于，所述电流反射镜电路，是由MOS晶体管构成。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的最大或最小值输出电路，其特征在于，所述多个输入晶体管以及所述输出晶体管，是由相同特性的晶体管构成。
全文摘要
本发明，提供一种选择地输出多个输入信号(V12、V13，Vin1～Vinn)之中最大或最小电平的信号的最大或最小值输出电路，其特征在于，具有在基极输入各自不同的输入信号，并联连接集电极—发射极的多个输入晶体管(Q11、Q12，Q21～Q2n，Q31～Q3n)；输出与在多个输入晶体管(Q11、Q12，Q21～Q2n，Q31～Q3n)中所流的电流相应的电流的电流反射镜电路(M21、M22)；以及通过在集电极—发射极间流过与所述电流反射镜电路(M21、M22)的输出电流相应的电流，从基极输出与输入给多个输入晶体管(Q11、Q12，Q21～Q2n，Q31～Q3n)的基极的输入信号(V12、V13，Vin1～Vinn)之中最大或最小电平的输入信号相应的信号的输出晶体管(Q13、Q41)。
文档编号H02M3/155GK1741704SQ20051000888
公开日2006年3月1日 申请日期2005年2月24日 优先权日2004年8月23日
发明者井上文裕, 箱田真佐美, 万城目匡三 申请人:三美电机株式会社