专利名称：半桥式换流装置的制作方法
半桥式换流装置技术领域一种半桥式换流装置，尤指一种可以利用推挽式控制芯片控制半桥式换 流器，并驱动负载的换流装置。
背景技术：
TFT面板背光源的电力供应(Power Supply)主要是使用换流电路 (Inverter Circuit)来达成能量的转换及驱动冷阴极安光灯管(CCFL)的 发光。公知的换流电路(Inverter Circuit)因电路拓朴的不同， 一般分有 半桥式换流电路、全桥式换流电路及推挽式换流电路等，是将直流电转换成 交流电的换流电路。请参考图1，为公知推挽式换流电路应用于CCFL负载的电路示意图。变 压器Tl将电路区分成为一次侧的前级电路101与二次侧的后级电路102。该 一次侧101包括有 一直流电源Vcc、 一第一开关Q1、 一第二开关Q2等，该 二次侧102包括有至少一电容器(Cl、 C2、 C3)、 一负载(Load)、至少 一二极管(D1、 D2)等。再者， 一次侧101与二次侧102间连接有一推挽式 控制芯片103。参考图l，同时配合图2，为公知推挽式控制芯片输出信号及负栽端输出 波形示意图。推挽式控制芯片103输出 一第一控制信号a与一第二控制信号b, 其中第一控制信号a与第二控制信号b分别控制一次側101的第一开关Ql与 第二开关Q2的切换动作，同时依据直流电源Vcc的电压，用以提供能量并借 由变压器Tl将直流电源Vcc的电压升压转换到二次侧102,用以驱动
上述说明中该推挽式控制芯片103为LINFINITY(MICROSEMI)公司生产的 芯片，其型号为LX1686及LX1688与LX1691等系列，或为02 Micro international Limited公司生产的芯片,其型号为02-9RR、 OZ9930、 0Z9938、 0Z9939和TEXAS INSTRUMENTS公司生产的芯片,其型号为TL-494、 TL-594其 型号为列，和Beyond Innovation Technology >^司生产的芯片，其型号为 BIT3193、 BIT3713、 BIT3715、 BIT3501等系列因厂牌综多而无法——举例， 仅以常用型号列举。请参考图3，为公知半桥式换流电路驱动负栽的电路示意图。变压器T2 是将电路区分成为一次侧的前级电路201与二次侧的后级电路202, —次侧 201包括有 一直流电源Vcc、 二个电子开关(Q1、 Q2)、 一半桥式控制芯片 TL494、 二电容器(C1、 C2)及一驱动变压器Tr等，二次侧202包括有一 负栽(Load)。参考图3,同时配合图4，为公知半桥式控制芯片输出控制信号及交流电 源电压波形示意图。半桥式控制芯片TL494是由二个输出端D1、 D2输出控制 信号Dl-D2,控制信号Dl-D2通过驱动变压器Tr用以分别控制Ql、 Q2 二个电 子开关的切换动作。该二个电子开关Q1、 Q2为N信道场效晶体管或P信道场 效晶体管。借由该二个电子开关Q1、 Q2的切换动作，将储存于电容器C1、 C2 的电能通过一交连电容C3分别传送至变压器T2的一次側端点T21，用以形成 一交流电源ac。电容器C1、 C2的电压为直流电源Vcc的一半电压Vcc/2。该 交流电源ac用以提供能量给变压器T2,并借由变压器T2将交流电源升压转 换到二次侧202,用以驱动负载(Load)。上述说明中，若使用的换流电路(Inverter Circuit)为半桥式换流电 路时则需要搭配半桥式控制芯片的控制才能动作，若为推挽式换流电路则需 要搭配推挽式控制芯片的控制才能动作。因此，在实用上缺乏弹性与共享性。 再者，换流电路(Inverter Circuit)于使用上亦常受限于控制芯片，而导 致换流电路(Inverter Circuit)因受制于以上叙述，而使控制芯片无法共
享并统一购料，或需要搭配更多复杂的电路。同时，公知的半桥式换流电路需要使用隔离变压器来控制电子开关的切 换动作，无法由半桥式控制芯片直接驱动电子开关。并且，公知的半桥式换流电路使用的电子开关系同为N信道场效晶体管与同为P信道场效晶体管或 为一 P信道场效晶体管和一 N信道场效晶体管所组成的。发明内容有鉴于此，本发明提供一种半桥式换流装置，是使用一驱动电路连接于 推挽式控制芯片的输出端与二个N信道场效晶体管所组成的半桥式开关组件， 该驱动电路接受推挽式控制芯片的控制，用以驱动半桥式开关组件的切换动作。本发明一种半桥式换流装置，其是于公知半桥式换流电路的二个电子开 关与控制芯片之间连接该驱动电路。并且，控制芯片更替为推挽式控制芯片， 进而控制该二个电子开关的切换动作。上述说明中，本发明提供的半桥式换流装置，包括有 一设有一第一输 出端与一第二输出端的推挽式控制芯片，该输出占空比小于50%的第一控制信 号与第二控制信号； 一第一开关，耦接于一参考端，以及通过一第一緩沖电路耦接于该推挽式控制芯片的第一输出端； 一限流电阻，耦接于该第一开关 与该直流电源； 一第二开关，耦接于该第一开关与该参考端，以及通过该限 流电阻耦接于该直流电源；一SCR开关，该SCR开关的栅极耦接于该第二开 关，该SCR开关的阳极耦接于该直流电源； 一第一N信道场效晶体管，其栅 极耦接于该SCR开关的阴极，其漏极耦接于该直流电源，其源极耦接于该变 压器的一次侧；及一第二 N信道场效晶体管，其栅极通过一第二緩冲电路耦 接于该推挽式控制芯片的第二输出端，其漏极耦接于该第一 N信道场效晶体 管的源极，其源极耦接到该参考端。如此，本发明一种半桥式换流装置，使用一驱动电路于公知半桥式换流
电路，即可以搭配使用推挽式控制芯片进行控制，在实用上更具有弹性，且 不会受限于控制芯片。并且，业者只需使用推挽式控制芯片即可依实际需求 来驱动控制推挽式换流电路或半桥式换流电路。
图1为公知推挽式换流电路驱动负栽的电路示意图； 图2为公知推挽式控制芯片输出控制信号及负载端输出电压波形示意图； 图3为公知半桥式换流电路驱动负栽的电路示意图； 图4为公知半桥式控制芯片输出控制信号及交流电源电压波形示意图； 图5为本发明第一实施例的半桥式换流装置的电路示意图 图6为本发明第二实施例的半桥式换流装置的电路示意图 图7为本发明第三实施例的半桥式换流装置的电路示意图 图8为本发明第四实施例的半桥式换流装置的电路示意图；及 图9为本发明推挽式控制芯片的输出信号及交流电源电压波形示意图 符号说明IOI前级电路 102后级电路 103推挽式控制芯片 Tl变压器a第一控制信号 b第二控制信号c变压器T1的二次侧输出电压波形201前级电路 T2变压器TL494半桥式控制芯片 D1-D2输出控制信号 Q2控制信号 103推挽式控制芯片 32半桥式开关组件202后级电路Ql控制信号 ac交5虎电源 30驱动电路 34第一緩冲电路36第二緩沖电路GND参考端Cl电容器LOAD负栽AC交流电源Vcc直流电源T2变压器C2共振电容器具体实施方式
以上的概述与接下来的详细说明皆为示范性质，是为了进一步说明本发 明的申请专利范围。而有关本发明的其它目的与优点，将在后续的说明与图 标加以阐述。请参考图5，为本发明第一实施例的半桥式换流装置的电路示意图。其中 本发明第一实施例的半桥式换流装置连接于一变压器T2的一次侧，用以将一 直流电源Vcc转换成为一交流电源AC,该交流电源AC通过变压器T2提供负 载LOAD动作所需的能量。复参考图5，本发明第一实施例的半桥式换流装置包括有 一推挽式控制 芯片103、 一第一緩沖电路34、 一第二緩沖电路36、 一驱动电路30及一半桥 式开关组件32。该推挽式控制芯片1Q3设有一第一输出端A与一第二输出端 B，该第一输出端A与该第二输出端B分别输出占空比(duty cycle )小于50% 的一第一控制信号a与一第二控制信号b。该第一緩沖电路34耦接于该推挽 式控制芯片103的第一输出端A;该第二緩沖电路36则耦接于该推挽式控制 芯片103的第二输出端B;该驱动电路30通过该第一緩沖电路34耦接于该推 挽式控制芯片103的第一输出端A与该直流电源Vcc，接受该第一控制信号a; 该半桥式开关组件32是由二个N信道场效晶体管(Ql、 Q2)组成，该半桥式 开关組件32耦接于该直流电源Vcc、该驱动电路30、该第二緩沖电路36及 该变压器T2，该半桥式开关组件32受控于该驱动电路30，用以将该直流电 源Vcc切换为该交流电源AC传送至该变压器T2的一次侧。复参考图5,该驱动电路30包括有 一第一开关Q4、 一限流电阻R3、 一
第二开关Q5及一 SCR开关Q3。该第一开关Q4耦接于该第一緩冲电路34与一 参考端GND;该限流电阻R3耦接于该第一开关Q4与该直流电源Vcc;该第二 开关Q5耦接于该第一开关Q4与该参考端GND，以及通过该限流电阻R3耦接 于该直流电源Vcc;该SCR开关Q3的栅极(G)耦接于该第二开关Q5，该SCR 开关Q3的阳极U)耦接于该直流电源Vcc，该SCR开关Q3的阴极(K)耦接 于该半桥式开关组件32。复参考图5，该半桥式开关组件32包括有一第一N信道场效晶体管Ql与 一第二 N信道场效晶体管Q2。该第一 N信道场效晶体管Ql的栅极耦接于该 SCR开关Q3的阴极(K)，该第一N信道场效晶体管Ql的漏极耦接于该直流 电源Vcc,该第一 N信道场效晶体管Ql的源极耦接于该变压器T2的一次侧。 该第二 N信道场效晶体管Q2的栅极通过该第二緩冲电路36耦接于该推挽式 控制芯片103的第二输出端B,该第二 N信道场效晶体管Q2的漏极耦接于该 第一 N信道场效晶体管Ql的源极，该第二 N信道场效晶体管Q2的源极耦接 到该参考端GND。上述中，该直流电源Vcc经由第一N信道场效晶体管Ql的 导通，提供一正直流电源+Vcc给该变压器T2,以形成一正半周驱动，或是 经由第二N信道场效晶体管Q2的导通，提供一负直流电源-Vcc给该变压器 T2，以形成一负半周驱动。复参考图5，该第一緩冲电路34包括有 一第一加速二极管Dl与一第一 电阻R1。第一加速二极管Dl的负极(N)端耦接该推挽式控制芯片103的第 一输出端A，正极(P)端耦接到该第一开关Q4。该第一电阻Rl并联耦接于 该第一加速二极管Dl。该第二緩沖电路36包括有 一第二加速二极管D2与 一第二电阻R2。第二加速二极管D2的负极(N)端耦接该推挽式控制芯片103 的第二输出端B,正极(P)端耦接到该第二N信道场效晶体管Q2的栅极。第 二电阻R2并联耦接于该第二加速二极管D2。复参考图5,本发明的半桥式换流装置进一步包括有一电容器Cl,该电 容器Cl耦接于该第一 N信道场效晶体管Ql的栅-源极间。电容器Cl可以视
电路特性的需求而加入装置中。在电路设计上电容器C1可以由该第一N信道场效晶体管Ql栅-源极间的一极际电容Q取代。配合图5,请参考图9，图9为本发明的推挽式控制芯片输出信号及交流 电源电压波形示意图。推挽式控制芯片103为UNFINITY(MICROSEMI)公司生 产的芯片，其型号为LX1686及LX1688与LX1691等系列，或为02 Micro international Limited公司生产的芯片,其型号为02-懇、OZ9930、 0Z9938、 0Z9939和TEXAS INSTRUMENTS公司生产的芯片,其型号为TL-494、 TL-594其 型号为列，和Beyond Innovation Technology公司生产的芯片，其型号为 BIT3193、 BIT3713、 BIT3715、 BIT3501等系列因厂牌众多而无法——举例， 仅以常用型号列举。如图9所示，推挽式控制芯片103输出端A输出该第一控制信号a,输出 端B输出该第二控制信号b。并于变压器T2 —次侧可得到交流电源AC的电压 波形ac。复配合图5，参考图9，于时间tl-t2时，第一控制信号a为高电位，第 二控制信号b为低电位。第一控制信号a通过第一緩冲电路34传送至第一开 关Q4的控制端，控制第一开关Q4导通(0N)。导通的第一开关Q4将第二开 关Q5的控制端耦接到参考端GND，使第二开关Q5维持截止(OFF)状态。截 止的第二开关QS让SCR开关Q3的栅极(G)形成浮接(floating)状态，此 时直流电源Vcc会跨于SCR开关Q3的阳极A与阴极K之间，用以驱动SCR开 关Q3进入导通(ON)状态。随着SCR开关Q3的导通(ON ),直流电源Vcc 即驱动第一N信道场效晶体管Ql进入导通(ON)状态。此外，低电位的第二控制信号b通过第二緩冲电路36传送至第二N信道 场效晶体管(32的栅极，控制第二N信道场效晶体管Q2截止(OFF)。所以在 时间tl-t2时，第一N信道场效晶体管Ql为导通(ON)状态，第二N信道场 效晶体管Q2为截止(OFF)状态。此时，直流电源Vcc可以经由第一 N信道 场效晶体管Ql的导通(ON),而将能量传送至变压器T2的一次侧与一共振
电容器C2，此时变压器T2—次側得到的电压波形ac为正直流电源+Vcc,而 形成一正半周驱动。此时共振电容器C2 二端会建立一直流电压。复配合图5,参考图9，于时间t2-t3时，第一控制信号a是从高电位降 到低电位，第二控制信号b仍保持为低电位。此时，第一开关Q4通过第一加 速二极管Dl而加速进入截止(OFF)状态，而直流电源Vcc则通过限流电阻 R3控制第二开关Q5进入导通(0N)状态。导通的第二开关Q5是将SCR开关 Q3的栅极(G )拉到接地端GND,根据SCR开关Q3的特性，此时SCR开关Q3 为截止(OFF)状态，所以第一N信道场效晶体管Ql则进入截止(OFF)状态。 由于第二控制信号b仍保持为低电位，所以第二 N信道场效晶体管Q2仍为截 止(OFF)状态。由上述说明中可知，于时间t2-t3时，第一N信道场效晶体管Q1与第二 N信道场效晶体管Q2为截止(OFF)状态，让变压器T2的一次側形成开路。 此时变压器T2 —次侧得到的电压波形ac为零电位。复配合图5，参考图9,于时间t3-t4时，第一控制信号a仍保持低电位， 第二控制信号b是由低电位上升至高电位。第二控制信号b通过第二緩冲电 路36传送至第二 N信道场效晶体管Q2的栅极，控制第二 N信道场效晶体管 Q2导通(0N)。由于第一控制信号a仍保持为低电位，所以第一N信道场效 晶体管Ql仍为截止(OFF)状态。此时，第一 N信道场效晶体管Ql为截止(OFF)状态，第二N信道场效 晶体管Q2为导通(0N)状态。此时，建立在共振电容器C2 二端上的直流电 压根据导通(ON)的第二N信道场效晶体管Q2,传送至变压器T2的一次側， 此时变压器T2 —次侧得到的电压波形ac为负直流电源-Vcc，而形成一负半 周驱动。复配合图5，参考图9,于时间t4-t5时，第一控制信号a仍为低电位， 第二控制信号b是由高电位下降到低电位。此时，第一N信道场效晶体管Q1 与第二N信道场效晶体管Q2为截止(OFF)状态，让变压器T2的一次侧形成
开路。此时变压器T2 —次侧得到的电压波形ac为零电位。复配合图5,参考图9,本发明半桥式换流装置的电路动作以及变压器T2 一次侧4f到的电压波形ac,是在时间t5-t6时又回复到时间U-12时的动作 与波形，依序如上述说明，形成提供能量的交流电源AC。同时，变压器T2将 交流电源AC升压转换后，从二次側提供能量给负栽(LOAD)。配合图5,请参考图6，为本发明第二实施例的半桥式换流装置的电路示 意图。在本发明第二实施例中的组件与第一实施例相同的，以相同符号标示。 第二实施例与第一实施例的电路动作原理与达成的功效相同，经过比较下， 其主要的差异处在于第二实施例是将第一实施例中的第二开关Q5以光偶合 开关取代，借由光偶合开关的开关特性来保护半桥式换流装置中的电路组件。配合图5,请参考图7，为本发明第三实施例的半桥式换流装置的电路示 意图。在本发明第三实施例中的組件与第一实施例相同的，以相同符号标示。 第三实施例与第 一 实施例的电路动作原理与达成的功效相同，经过比较下， 其主要的差异处在于第三实施例是将第一实施例中的SCR开关Q3以一 PNP 晶体管Q31耦接一 NPN晶体管Q32等效取代。配合图5,请参考图8:为本发明第四实施例的半桥式换流装置的电路示 意图。在本发明第四实施例中的組件与第一实施例相同的，以相同符号标示。 第四实施例与第一实施例的电路动作原理与达成的功效相同，经过比较下， 其主要的差异处在于第四实施例是将第一实施例中的第二开关Q5以光偶合 开关取代，借由光偶合开关的开关特性来保护半桥式换流装置中的电路组件。 同时，第四实施例是将第一实施例中的SCR开关Q3以一PNP晶体管Q31耦接 一 NPN晶体管Q32等效取代。此外，第四实施例是将第一实施例中的第一开 关Q4以一双极晶体管开关(BJT)取代，另，第一緩沖电路34仅使用第一电 阻R1。综上所述，本发明半桥式换流装置，可连接驱动电路30于公知半桥式换 流电路，即可以搭配使用推挽式控制芯片103进行控制，在实用更具有弹性，
且不会受限于控制芯片。并且，业者只需使用推挽式控制芯片103即可依实际需求来驱动控制推挽式换流电路或半桥式换流电路。以上所述，仅为本发明最佳之一的具体实施例的详细说明与图式，任何 熟悉该项技艺者在本发明的领域内，可轻易思及的变化或修饰皆可涵盖在本 案的专利范围。
权利要求
1.一种半桥式换流装置，其特征在于，连接于一变压器的一次侧，系将一直流电源转换为一交流电源，包括有一推挽式控制芯片，设有一第一输出端与一第二输出端，该第一输出端与该第二输出端分别输出占空比小于50％的一第一控制信号与一第二控制信号；一第一开关，耦接于一参考端与该推挽式控制芯片的第一输出端；一限流电阻，耦接于该第一开关与该直流电源；一第二开关，耦接于该第一开关与该参考端，以及通过该限流电阻耦接于该直流电源；一SCR开关，该SCR开关的栅极耦接于该第二开关，该SCR开关的阳极耦接于该直流电源；一第一N信道场效晶体管，该第一N信道场效晶体管的栅极耦接于该SCR开关的阴极，该第一N信道场效晶体管的漏极耦接于该直流电源，该第一N信道场效晶体管的源极耦接于该变压器的一次侧；及一第二N信道场效晶体管，该第二N信道场效晶体管的栅极耦接于该推挽式控制芯片之第二输出端，该第二N信道场效晶体管的漏极耦接于该第一N信道场效晶体管的源极，该第二N信道场效晶体管的源极耦接到该参考端。
2. 如权利要求1所述的半桥式换流装置，其特征在于，该直流电源经由 第一 N信道场效晶体管的导通，提供一正直流电源给该变压器，以形成一正 半周驱动。
3. 如权利要求1所述的半桥式换流装置，其特征在于，进一步包括有一 共振电容器，该共振电容器耦接于该变压器的一次侧。
4. 如权利要求3所述的半桥式换流装置，其特征在于，经由第二 N信道 场效晶体管的导通，该共振电容器提供一负直流电源给该变压器，以形成一 负半周驱动。
5. 如权利要求1所述的半桥式换流装置，其特征在于，进一步包括有一 第一緩沖电路，该第一緩冲电路包括有一第一加速二极管，其负极N端耦接该推挽式控制芯片的第一输出端， 其正极P端耦接到该第一开关；及一第一电阻，并联耦接于该第一加速二极管。
6. 如权利要求1所述的半桥式换流装置，其特征在于，进一步包括有一 第二緩沖电路，该第二緩沖电路包括有一第二加速二极管，其负极N端耦接该推挽式控制芯片的第二输出端， 其正极P端耦接到该第二 N信道场效晶体管的栅极；及 一第二电阻，并联耦接于该第二加速二极管。
7. 如权利要求1所述的半桥式换流装置，其特征在于，进一步包括有一 电容器，该电容器耦接于该第一 N信道场效晶体管的栅-源极间。
8. 如权利要求1所述的半桥式换流装置，其特征在于，该SCR开关可由 一 PNP晶体管耦接一 NPN晶体管等效组成。
9. 如权利要求1所述的半桥式换流装置，其特征在于，该第一开关可为 一双极晶体管开关。
10. 如权利要求1所述的半桥式换流装置，其特征在于，该第二开关可为 一光偶合开关。
11. 一种半桥式换流装置，其特征在于，连接于一变压器的一次侧，是将 一直流电源转换为一交流电源，包括有一推挽式控制芯片，设有一第一输出端与一第二输出端，该第一输出端 与该第二输出端分别输出占空比小于50°/。的一第一控制信号与一第二控制信号;一第 一緩冲电路，耦接于该推挽式控制芯片的第 一输出端； 一第二緩沖电路，耦接于该推挽式控制芯片的第二输出端； 一驱动电路，通过该第一緩冲电路耦接于该推挽式控制芯片的第一输出 端与该直流电源，接受该第一控制信号；及一半桥式开关组件，由二个N信道场效晶体管组成，该半桥式开关组件 耦接于该直流电源、该驱动电路、该第二緩沖电路及该变压器，该半桥式开 关组件受控于该驱动电路，用以将该直流电源切换为该交流电源传送至该变 压器的一次侧。
12. 如权利要求11所述的半桥式换流装置，其特征在于，该驱动电路包 括有一第一开关，耦接于该第一緩沖电路与一参考端； 一限流电阻，耦接于该第一开关与该直流电源；一第二开关，耦接于该第一开关与该参考端，以及通过该限流电阻耦接 于该直流电源；及一SCR开关，该SCR开关的栅极耦接于该第二开关，该SCR开关的阳极 耦接于该直流电源，该SCR开关的阴极耦接于该半桥式开关组件。
13. 如权利要求12所述的半桥式换流装置，其特征在于，该SCR开关可 由一 PNP晶体管耦接一 NPN晶体管等效组成。
14. 如权利要求l2所述的半桥式换流装置，其特征在于，该第一开关可 为一双极晶体管开关。
15. 如权利要求12所述的半桥式换流装置，其特征在于，该第二开关可 为一光偶合开关。
16. 如权利要求11所述的半桥式换流装置，其特征在于，进一步包括有 一电容器，该电容器耦接于该第一N信道场效晶体管的栅-源极间。
17. 如权利要求11所述的半桥式换流装置，其特征在于，进一步包括有 一共振电容器，该共振电容器耦接于该变压器的一次侧。
全文摘要
一种半桥式换流装置，包括有一推挽式控制芯片，输出占空比小于50％的第一控制信号与第二控制信号；一第一缓冲电路耦接于该推挽式控制芯片；一第二缓冲电路耦接于该推挽式控制芯片；驱动电路通过该第一缓冲电路耦接于该推挽式控制芯片与一直流电源，接受该第一控制信号；及一由二个N信道场效晶体管组成的半桥式开关组件，该半桥式开关组件耦接于该直流电源、该驱动电路、该第二缓冲电路及一变压器，该半桥式开关组件受控于该驱动电路，用以将该直流电源切换为该交流电源传送至该变压器的一次侧。
文档编号H02M7/5387GK101119077SQ20061010850
公开日2008年2月6日 申请日期2006年8月3日 优先权日2006年8月3日
发明者王政雄, 陈振刚 申请人:联昌电子企业股份有限公司