专利名称：零待机功耗充电上限控制电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及涉及一种零待机功耗充电上限控制电路，可用电池充电器零待机管理。
背景技术：
目前，用于电池充电，一般只在直流低压端启控，充电完成后，仍有电能消耗，低碳 环保趋向，要求提供一种低功耗，低成本的零待机功耗控制。
发明内容本实用新型零待机功耗充电上限控制电路，可用于电池充电器零待机功耗控制。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是采用TL431门限比较构成电压 检测，对充当上限电压设置门限，充电时启动由SW轻触键开关供电，低压端得电，当电池低 于门限电压，光藕合驱动可控硅导通，交流回路供电自锁维持供电，充电器工作，当电池高 于门限电压，光藕合截止可控硅供电，充电器停止工作。采用通用元件，低功耗，低成本，零 待机功耗充电上限控制电路实现充电器无待机功耗管理。本实用新型的有益效果是，电池充电用户巨大，零待机功耗充电上限控制电路的 普及对节能降耗同样巨大。
以下结合附图和实例对本实用新型进一步说明。图中.是本实用新型零待机功耗充电上限控制电路图。
具体实施方案
图1.TL431高门限比较器，电池低于最高充电限值时1815三极管导通，光藕合817 驱动可控硅导通，交流供电回路自锁维持供电，充电器工作，电池高于最高充电限值时1815 三极管截止，光藕合817截止合817可控硅交流供电回路，充电器停止工作。图1.控制电路3. 2伏供电是由Rl限电阻和对地连接的3. 2V稳压管获得；TL431 正极由1. 5kΩ限流电阻连接3. 2伏供电；驱动控制是3. 2伏供电端经IkQ限流电阻连接 光藕合经三极管C-E到LED接地，三极管的B经IOk Ω电阻连接TL431正极；三极管E极的 LED是1.8V，有电压指示和电平限制双重功能。充电器的低压正端到电池正端由整流二极 管隔离，TL431取样连接到电池端。Rw是TL431门限比较上限调整点，可根具需要设置。图2.是充电器交流回路控制电路，单向可控硅正极由限流电阻经光藕合C-E连接 可控硅控制极，Sff轻触键开关连接在光藕合C-E两端，为充电器提供短时供电，当电池低于 门限电压，光藕合C-E是导通状，可控硅维持导通，锁定交流供电回路，电池高于最高充电 限值时，光藕合C-E是截止状，R6的下拉作用使可控硅退出导通。
3[0012 ]不同批次的可控硅其导通维持电流有些变化，调正R5和R6可以满足控制要求。零待机功耗充电上限交流开关电路，有着广泛的用途和节能环保意义。
权利要求零待机功耗充电上限控制电路，其特征是采用TL431门限比较构成电压检测，控制电路3.2伏供电是由R1限电阻和对地连接的3.2V稳压管获得；TL431正极由1.5kΩ限流电阻连接3.2伏供电；驱动控制是3.2伏供电端经1kΩ限流电阻连接光藕合经三极管C E到LED接地，三极管的B经10kΩ电阻连接TL431正极；三极管E极的LED是1.8V，有电压指示和电平限制双重功能，充电器的低压正端到电池正端由整流二极管隔离，TL431取样连接到电池端，单向可控硅正极由限流电阻经光藕合C E连接可控硅控制极，SW轻触键开关连接在光藕合C E两端，为充电器提供短时供电，当电池低于门限电压，光藕合C E是导通状，可控硅维持导通，锁定交流供电回路，电池高于最高充电限值时，光藕合C E是截止状，R6的下拉作用使可控硅退出导通。
专利摘要目前，手机充电器，一般只在直流低压端启控，充电完成后，仍有电能消耗，低碳环保趋向，要求提供一种低功耗，低成本的零待机功耗手机充电器。零待机功耗手机充电器，是一种环保式手机充电器。是采用手机充器的交直流变换器嵌入零待机功耗充电上限控制电路，采用TL431门限比较构成电压检测，对充当上限电压设置门限，充电时启动由SW轻触键开关供电，低压端得电，当电池低于门限电压，光藕合驱动可控硅导通，交流回路供电自锁维持供电，充电器工作，当电池高于门限电压，光藕合截止可控硅供电，充电器停止工作。采用通用元件，低功耗，低成本，零待机功耗手机充电器实现充电结束后的零待机功耗管理。手机充电器用户巨大，零待机功耗手机充电器的普及对节能降耗同样巨大。
文档编号H02J7/02GK201742138SQ201020277940
公开日2011年2月9日 申请日期2010年8月2日 优先权日2010年8月2日
发明者王雁尘 申请人:王雁尘