专利名称：一种二极管整流器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种整流器，尤其涉及一种二极管整流器。
背景技术：
整流器是利用二极管的单向导电特性对交流电进行整流，故被广泛应用于交流电 转换成直流电的电路中。现有二极管产品连接片与引线框焊接区多为直边，用焊片工艺焊 接时时此结构问题不大，转为锡膏工艺焊接时对于小尺寸的产品，连接片与引线框焊接区 域极小，锡膏量不易控制，锡膏量多容易造成锡膏溢出污染，锡膏量少容易造成假焊和连接 片偏位。
发明内容本实用新型提供一种二极管整流器，该二极管整流器的连接片与引线框之间焊接 时其锡膏量易于控制，且粘接更牢固。为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是一种防止晶颗漂移的整流器，该 桥式整流器的环氧封装体内部由连接片、支撑片、二极管晶颗组成，该支撑片的焊接区与所 述二极管晶颗之间通过焊锡膏连接；所述支撑片的焊接区上表面设有凹槽，所述焊锡膏位 于该凹槽内及凹槽周边，所述二极管晶颗位于所述凹槽上方并通过所述焊锡膏与支撑片的 焊接区上连接。由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点本实用新型是一种二极管整流器，在连接片的焊接区域做出半孔结构，当引线框 上的锡膏量略多于设计水平时，半孔内可以贮存少量锡膏，防止多余焊锡膏溢出到整流器 外侧；其次，半孔结构侧面的锡膏，可反向进一步固定连接片，从上下两个方向固定使得粘 接更牢固；再次，焊锡的量可以减少且更均勻，从而避免连接片翘起，减电性失效的几率。再 次，半孔结构焊锡量设计值可以略微偏大，从而减小了锡膏量控制的难度。
附图1为现有引线框结构示意图；附图2为本实用性新型整流器结构主视图；附图3为附图2整流器结构仰视图；附图4为本实用性新型连接片结构示意图。以上附图中1、连接片；2、第一引线框；3、第二引线框；4、二极管晶颗；5、支撑区； 6、电流传输端；7、第一焊接区；8、第二焊接区；9、半孔；10、环氧封装体。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述实施例一种二极管整流器，[0014]该整流器的环氧封装体10内部主要由连接片1、第一引线框2、第二引线框3、二极 管晶颗4组成，该第一引线框2 —端是用于与二极管晶颗4 一端连接的支撑区5，该第一引 线框2另一端是作为所述整流器的电流传输端6 ；所述第二引线框3 —端作为所述整流器 的电流传输端6 ；所述连接片1，所述连接片1第一焊接区7与二极管晶颗4另一端连接，所 述连接片1第二焊接区8与所述第二引线框3另一端连接；所述第二焊接区8上设置有半 孔9，该第二焊接区8与所述第二引线框3通过焊锡膏连接。上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术 的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。 凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之 内。
权利要求一种二极管整流器，该整流器的环氧封装体(10)内部主要由连接片(1)、第一引线框(2)、第二引线框(3)、二极管晶颗(4)组成，该第一引线框(2)一端是用于与二极管晶颗(4)一端连接的支撑区(5)，该第一引线框(2)另一端是作为所述整流器的电流传输端(6)；所述第二引线框(3)一端作为所述整流器的电流传输端(6)；所述连接片(1)，所述连接片(1)第一焊接区(7)与二极管晶颗(4)另一端连接，所述连接片(1)第二焊接区(8)与所述第二引线框(3)另一端连接；其特征在于所述第二焊接区(8)上设置有半孔(9)，该第二焊接区(8)与所述第二引线框(3)通过焊锡膏连接。
专利摘要一种二极管整流器，该整流器的环氧封装体内部主要由连接片、第一引线框、第二引线框、二极管晶颗组成，该第一引线框一端是用于与二极管晶颗一端连接的支撑区，该第一引线框另一端是作为所述整流器的电流传输端；所述第二引线框一端作为所述整流器的电流传输端；所述连接片，所述连接片第一焊接区与二极管晶颗另一端连接，所述连接片第二焊接区与所述第二引线框另一端连接；所述第二焊接区上设置有半孔，该第二焊接区与所述第二引线框通过焊锡膏连接。本实用新型二极管整流器的连接片与引线框之间焊接时其锡膏量易于控制，且粘接更牢固。
文档编号H02M7/02GK201750347SQ20102027796
公开日2011年2月16日 申请日期2010年8月2日 优先权日2010年8月2日
发明者何洪运, 姜旭波, 张雄杰, 程琳 申请人:苏州固锝电子股份有限公司