专利名称：通过射频扼流器的esd块隔离的制作方法
技术领域：
本发明的电路和方法涉及集成电路。更具体地，本发明的系统和方法涉及用于集成电路的静电放电(“ESD”)保护。
背景技术：
随着集成电路(“1C”)器件继续小型化，当前趋势是制作具有较浅节深度、较薄栅 氧化层、轻掺杂漏极(“LDD”)结构、浅沟槽隔离(“STI”)结构、以及自对准硅化物(“自对准多晶硅化物”)エ艺的集成电路，将所有这些预先用在亚四分之ー微米互补金属氧化物半导体(“CMOS”)技术中。所有这些エ艺导致相关CMOS IC产品由于ESD现象更易受损坏。因此，在芯片上建立ESD保护电路以保护在IC上的器件和电路防止ESD损坏。鉴于在RF电路的器件中减小的栅氧化层厚度和降低的击穿电压，ESD保护尤其考验射频(“RF”)1C。这些传统ESD器件通常使RF电路的性能退化。
发明内容
为了解决现有技术中存在的缺陷，根据本发明的ー个方面，提供了一种电路，包括第一节点，被配置为接收射频(“RF”)信号；第一静电放电(ESD)保护电路，连接至用于RF电路的第一电压电源导轨和第二节点；第二 ESD保护电路，连接至所述第二节点和用于所述RF电路的第二电压电源节点；以及RF扼流电路，被配置为与所述第一节点并联并且连接至所述第二节点和在所述第一节点和所述RF电路之间设置的第三节点。在该电路中，所述第一 ESD保护电路包括第一ニ极管，所述第一ニ极管具有连接至所述第一电压电源导轨的阳极和连接至所述第二节点的阴极，所述第二 ESD保护电路包括第二ニ极管，所述第二ニ极管具有连接至所述第二电压电源导轨的阴极和连接至所述第ニ节点的阳极；或者所述RF扼流电路基本上没有电容并且包括电感器；或者所述扼流电路包括与第一电感器并联连接的第一电阻器。该电路进ー步包括第二电阻器，被设置为与彼此并联设置的所述第一电阻器和所述第一电感器串联；以及第二电感器，被配置为与彼此并联设置的所述第一电阻器和所述第一电感器串联。该电路进ー步包括第二 ESD电路，与所述RF电路并联地连接至所述第一电源导轨和所述第二电源导轨；或者第三ESD保护电路，被设置为与所述RF电路并联并且连接至所述第一电压电源导轨和所述第二电压电源导轨。根据本发明的另一方面，还提供了ー种方法，包括在连接至第一电路和RF扼流电路的第一节点处接收射频信号，所述RF扼流电路连接至第一 ESD保护电路和第二 ESD保护电路之间设置的第二节点；在没有静电放电现象的情况下，在所述第一电路和所述第一ESD保护电路和所述第二 ESD保护电路之间设置的所述第二节点之间提供阻抗隔离；以及在静电放电现象期间，通过所述RF电路从所述第一节点至所述第二节点传导电流，放电电流通过所述第一 ESD保护电路和所述第二 ESD保护电路中的至少ー个。
在该方法中，所述RF扼流电路基本上没有电容并且包括电感器；或者所述RF扼流电路包括与第一电感器并联设置的第一电阻器。在该方法中，所述RF扼流电路包括第二电阻器，所述第二电阻器被设置为与彼此并联设置的所述第一电阻器和所述第一电感器串联；或者所述RF扼流电路包括第二电感器，所述第二电感器被设置为与彼此并联设置的所述第一电阻器和所述第一电感器串联。根据本发明的又一方面，提供了一种用于保护射频(“RF”)电路防止静电放电(“ESD”)的电路，包括ニ极管串包括第一ニ极管，具有连接至用于所述RF电路的第一电压电源线的阳极和连接至第一节点的阴极，以及第ニニ极管，具有连接至所述第一节点的阴极和连接至用于所述RF电路的第二电压电源线的阳扱；以及RF扼流电路，连接至所述第一节点和在所述RF电路和第三节 点之间设置的第二节点，所述RF电路通过所述第三节点接收RF信号，所述RF扼流电路被配置为在没有ESD现象的情况下在所述ニ极管串和所述RF电路之间提供阻抗隔离并且在ESD现象期间将电流从所述第三节点传导至所述第一节点。在该电路中，所述RF扼流电路基本上没有电容并且包括电感器；或者所述RF扼流电路包括电感器和电阻器。在该电路中，所述电感器和所述电阻器被设置为彼此串联；或者所述电感器和所述电阻器被设置为彼此并联；或者所述RF扼流电路包括第二电阻器，与所述电阻器和所述电感器的并联组合串联连接；或者所述RF扼流电路包括第二电感器，与所述电阻器和所述电感器的并联组合串联连接。
图IA示出了包括改善的防静电放电保护的射频电路的ー实例。图IB示出了包括改善的防静电放电保护的射频电路的另ー实例。图2A 图2F示出了根据具有在图I中所示的改善的防静电放电保护的射频电路的射频扼流电路的多个实施例。图3A 图3D示出了可以在根据图IA和图IB的射频扼流电路中实施的电感器的几个实施例。图4为具有改善的防静电放电保护的射频电路的操作方法的一实例的流程图。
具体实施例方式本发明的用于静电放电(“ESD”)保护的电路和方法包括射频(“RF”)扼流器，该射频扼流器有利地降低了 RF电路的噪声同时提供保护以防止通过ESD现象所导致的损坏。如图IA所示，通过电源导轨VDD和VSS提供内部RF电路102。电源导轨ESD箝位电路104与在电源导轨VDD和VSS之间的RF电路102并联连接。在某些实施例中为低噪声放大器(“LNA”)的RF电路102从输入节点106接收RF信号。ニ极管串108通过RF扼流电路112连接至设置在输入节点106和RF电路102之间的节点110。ニ极管串108包括在节点118处连接在一起并连接至RF扼流电路112的第一二极管114和第二ニ极管116。ニ极管116具有连接至低电压电源导轨VSS的阳极和连接至节点118和ニ极管114的阳极的阴极，该ニ极管114具有连接至高电压电源导轨VDD的阴极。图IB示出了连接至设置在内部RF电路102和输入节点106之间的节点110和连接至设置在双向ESD箝位电路120-1、120-2对(共同称作“ESD箝位电路” 120或者“双向ESD箝位电路120”)之间的节点118的RF扼流电路112的另ー实例。双向ESD箝位电路120能够代替电源导轨ESD箝位电路104。ESD箝位电路120的实例包括，但不限于，彼此背靠背所形成的源极体连的NMOS器件对,例如在由Vashchenko等公开的美国专利第7，639，464号中所公开的双向ESD箝位电路，其发明结合于此作为援引。在某些实施例中，如本领域技术人员所理解的，该双向ESD箝位电路可以为双背靠背ニ极管或者双向可控硅整流器(“SCR”)。RF扼流电路112可以具有多种结构之一。例如，图2A 图2F示出了扼流电路112的多个实例。如图2A所示，扼流电路112可以包括设置在节点110和节点118之间的电感器122。在某些实施例中，如图2B所示，扼流电路112包括设置在节点110和节点118之间 实施例中，选择电阻器124约为IkQ或更高，但是本领域的技术人员应该理解，电阻器124可以为其他电阻值。RF扼流电路112还可以包括如彼此串联和/或并联的电感器122和电阻器124。例如，图2C示出了在节点110和节点118之间串联起来的电感器122和电阻器124。图2D示出了电感器122和电阻器124在节点110和节点118之间彼此并联的RF扼流电路112。如图2E和2F所示，第二电阻器126和/或电感器128可以与电感器120和电阻器122的
并联组合串联。图3A 图3D示出了可以作为在RF扼流电路112中的电感器122和128实施的多种类型的电感器。如图3A所不，电感器122、128可以为具有在第一金属层上或者第一金属层下的第二金属层上设置的中心接头132且形成在单金属层中的平面线圈130。在某些实施例中，电感器122、128为包括形成在相同金属层或者相邻金属层中的第一线圈和第二线圈的变压器形式。图3C示出了具有包括通过垂直部分136连接在一起的多个平行部分134的线性线圈型金属线的电感器122、128的实施例。在某些实施例中，例如在图3D中所示的实施例中，电感器122、128可以为包括多条平行金属线138的线性电感器。參照图I、图2、以及图4描述了 RF扼流电路112的操作，其中，图4为提供保护防止ESD现象的方法400的一实例的流程图。如图4所示，在框402，在通过节点110连接至RF电路102的节点106处接收RF信号。在正常高频工作期间(例如约大于等于15GHz的频率)，在框304，RF扼流电路112作为开路工作提供在节点110和118之间的阻抗隔离。通过RF扼流电路112有效用作开路，在节点106处所接收的输入RF信号的功率在节点106和内部RF电路102之间没有损失。与利用以某些频率谐振的LC储能电路并且因此具有窄频带运行的传统ESD保护电路不同，当RF信号从节点106传播至内部RF电路102的时候，RF扼流电路112没有以某些频率谐振以使该RF扼流电路提供宽频带ESD保护而没有影响RF信号。在框406，在节点106和设置在VDD的第一电压电源导轨或者设置在VSS处的第二电压电源导轨之间的ESD现象期间，RF扼流电路112作为在节点110和节点118之间的短路。在ESD现象期间用作在节点110和节点118之间的短路的RF扼流电路112建立用于由ESD现象所生产的高电流的通道以使高电流远离RF电路102流至节点118，然后将电流引导至设置在VDD或者VSS处的电压电源导轨之一。在某些实施例中，电路包括第一节点，被配置为接收射频(“RF”)信号；第ー静电放电(ESD)保护电路，连接至用于RF电路的第一电压电源导轨和第二节点；以及第ニ ESD保护电路，连接至第二节点和用于RF电路的第二电压电源节点。将RF扼流电路连接至第ニ节点和设置在第一节点和RF电路之间的第三节点。在某些实施例中，方法包括在连接至第一电路和RF扼流电路的第一节点处接收射频信号。将RF扼流电路连接至设置在第一 ESD保护电路和第二 ESD保护电路之间的第ニ节点。在没有静电放电现象的情况下，在第一电路和设置在第一ESD保护电路和第二ESD保护电路之间的第二节点之间提供阻抗隔离。在静电放电现象期间，将电流通过RF扼流电路从第一节点引导至第二节点，放电电流通过第一 ESD保护电路和第二 ESD保护电路中的至少ー个。在某些实施例中，用于保护射频(“RF”)电路防止静电放电(“ESD”)的电路包括 ニ极管串和RF扼流电路。ニ极管串包括第一ニ极管，具有连接至用于RF电路的第一电压电源线的阳极和连接至第一节点的阴极。第二ニ极管具有连接至第一节点的阴极和连接至用于RF电路的第二电压电源线的阳扱。将RF扼流电路连接至第一节点和设置在RF电路和第三节点之间的第二节点，其中RF电路通过该第三节点接收RF信号。将RF扼流电路配置为在没有ESD现象的情况下在ニ极管串和RF电路之间提供阻抗隔离，并且配置为在ESD现象期间将电流从第三节点传导至第一节点。本文所公开的电路有利地提供了在用于接收RF信号的输入节点和内部RF电路(例如，LNA)之间的直接通道，该直接通道产生较低的功率损耗。另外，在ESD保护电路和沿着在输入节点和内部RF电路之间的传输路径所设置的节点之间的RF扼流电路说明了改善的噪声性能并且与进行谐振并且窄频带工作的ー个或多个LC储能电路的可选电路相比较，支持用于高频(例如，15GHz或以上)工作的宽频带工作。尽管已经根据示例性实施例描述了电路和方法，但是电路和方法不仅限于这些实施例。相反地，应该充分理解，在不背离该电路和方法的等同替换范围的情况下，所附权利要求包括可由本领域的技术人员制作的该电路和方法的其他变形例和实施例。
权利要求
1.一种电路,包括 第一节点，被配置为接收射频(“RF”)信号； 第一静电放电(ESD)保护电路，连接至用于RF电路的第一电压电源导轨和第二节点； 第二 ESD保护电路，连接至所述第二节点和用于所述RF电路的第二电压电源节点；以及 RF扼流电路，被配置为与所述第一节点并联并且连接至所述第二节点和在所述第一节点和所述RF电路之间设置的第三节点。
2.根据权利要求I所述的电路，其中，所述第一ESD保护电路包括第一ニ极管，所述第一二极管具有连接至所述第一电压电源导轨的阳极和连接至所述第二节点的阴极，所述第ニ ESD保护电路包括第二ニ极管，所述第二ニ极管具有连接至所述第二电压电源导轨的阴极和连接至所述第二节点的阳极；或者 所述RF扼流电路基本上没有电容并且包括电感器；或者 所述扼流电路包括与第一电感器并联连接的第一电阻器。
3.根据权利要求2所述的电路，进一歩包括第二电阻器，被设置为与彼此并联设置的所述第一电阻器和所述第一电感器串联；以及 第二电感器，被配置为与彼此并联设置的所述第一电阻器和所述第一电感器串联。
4.根据权利要求I所述的电路，进一歩包括第二ESD电路，与所述RF电路并联地连接至所述第一电源导轨和所述第二电源导轨；或者 第三ESD保护电路，被设置为与所述RF电路并联并且连接至所述第一电压电源导轨和所述第二电压电源导轨。
5.ー种方法，包括 在连接至第一电路和RF扼流电路的第一节点处接收射频信号，所述RF扼流电路连接至第一 ESD保护电路和第二 ESD保护电路之间设置的第二节点； 在没有静电放电现象的情况下，在所述第一电路和所述第一 ESD保护电路和所述第二ESD保护电路之间设置的所述第二节点之间提供阻抗隔离；以及 在静电放电现象期间，通过所述RF电路从所述第一节点至所述第二节点传导电流，放电电流通过所述第一 ESD保护电路和所述第二 ESD保护电路中的至少ー个。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述RF扼流电路基本上没有电容并且包括电感器；或者 所述RF扼流电路包括与第一电感器并联设置的第一电阻器。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述RF扼流电路包括第二电阻器，所述第二电阻器被设置为与彼此并联设置的所述第一电阻器和所述第一电感器串联；或者 所述RF扼流电路包括第二电感器，所述第二电感器被设置为与彼此并联设置的所述第一电阻器和所述第一电感器串联。
8.一种用于保护射频(“RF”)电路防止静电放电(“ESD”)的电路，包括 ニ极管串包括 第一ニ极管，具有连接至用于所述RF电路的第一电压电源线的阳极和连接至第一节点的阴极，以及 第二ニ极管，具有连接至所述第一节点的阴极和连接至用于所述RF电路的第二电压电源线的阳极；以及 RF扼流电路，连接至所述第一节点和在所述RF电路和第三节点之间设置的第二节点，所述RF电路通过所述第三节点接收RF信号，所述RF扼流电路被配置为在没有ESD现象的情况下在所述ニ极管串和所述RF电路之间提供阻抗隔离并且在ESD现象期间将电流从所述第三节点传导至所述第一节点。
9.根据权利要求8所述的电路，其中，所述RF扼流电路基本上没有电容并且包括电感器；或者 所述RF扼流电路包括电感器和电阻器。
10.根据权利要求9所述的电路，其中，所述电感器和所述电阻器被设置为彼此串联；或者 所述电感器和所述电阻器被设置为彼此并联；或者 所述RF扼流电路包括第二电阻器，与所述电阻器和所述电感器的并联组合串联连接；或者 所述RF扼流电路包括第二电感器，与所述电阻器和所述电感器的并联组合串联连接。
全文摘要
一种电路包括第一节点，被配置为接收射频(“RF”)信号；第一静电放电(ESD)保护电路，连接至用于RF电路的第一电压电源导轨；和第二ESD保护电路，连接至第二节点和用于RF电路的第二电压电源节点。将RF扼流电路连接至第二节点和设置在第一节点和RF电路之间的第三节点。本发明还公开了一种通过射频扼流器的ESD块隔离方法。
文档编号H02H9/04GK102646969SQ20121002205
公开日2012年8月22日 申请日期2012年1月31日 优先权日2011年2月17日
发明者叶子祯, 蔡铭宪, 谢协宏, 金俊德 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司