专利名称：一种有效抑制开机噪声的软启动电源的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种计算机应用技术领域，具体地说是一种有效抑制开机噪声的软启动电源。
背景技术：
众所周知，由于在电路启动时，电源供应器会对输出端输出大电流(噪声)而造成负载或者其他组件的伤害，为了避免在电路启动时的伤害，电源供应器在启动之初会控制输出的能量由小逐渐上升至正常的操作，以避免对电路的伤害。而带有此种控制功能的电源控制器的成本比较高，不适合大范围应用，为此有些设计中将不带软启动功能的电源芯片反馈回路上增加接地电容等措施来抑制开机噪声，但是也不能从根本上彻底消除。
发明内容
本发明的目的是提供一种有效抑制开机噪声的软启动电源。本发明的目的是按以下方式实现的，电路结构包括场效应管Ql、Q3、Q4，三级管Q2，电阻R1-R5，电容Cl，场效应管Ql的S1、S2极串接电阻Rl接辅助电源VAUX，G极串电阻R2接辅助电源VAUX，场效应管Ql的D极接场效应管Q4的G极，三极管Q2的集电极串电阻R3接场效应管Ql的G极，三极管Q2的发射极接地，基极接电源外部控制信号端Power_EN，场效应管Q3的G极接三极管Q2的集电极，D极串电阻接场效应管Ql的D极，S极接地，电容Cl点组R5 二极管Dl并接场效应管Q3的D极和S极，场效应管Q4的S1-S3极并接电源输出端VOUT，D1-D4极并接电源输入端VIN ；
软启动步骤如下
在电源外部控制信号Power_EN为低，即电源未开启时，三极管Q2基极为低，处于截止状态，集电极为高，场效应管Ql的gate端电压等于S端的电压，Vgs=O,处于截止状态；而场效应管Q3 Gate端为高，Vgs>0场效应管Q3处于导通状态，D端和S端导通，由于S算接地，所以D端等效为地，从而电源输出使能信号Vout_EN保持为低。而Vaux由于场效应管Ql和三极管Q2都处于截止状态，无法形成通路，从而实现减少系统漏电的功能；
在电源外部控制信号Power_EN由低变高时，三极管Q2基极于发射极因压差产生电流导通，从而使Q2的集电极端电压为低，导致PMOS场效应管Ql gate端电压变化为Vaux*R3/ (R2+R3)小于S端电压Vaux，从而使场效应管Ql导通，而场效应管Q3的VGS=O处于截止状态，场效应管Q4 gate端电压为VauX*R5/(Rl+I )为高，使场效应管Q4导通，电压输出；
而电容Cl在此过程中滤掉PMOS场效应管Ql在开启过程中产生的噪声，并减小场效应管Q4 gate端的电压上升斜率，减缓mos的打开速度，实现软启动，而稳压二极管Dl则把gate端的电压在一定的值之下，从而有效的抑制上冲噪声，减少对场效应管Q4的冲击，从而更有效的保护线路；
在电源外部控制信号Power_EN由高变低时，场效应管Ql和三极管Q2处于截止状态，而场效应管Q3处于导通状态，此时，场效应管Q4 gate端的电会迅速通过2条通路；
a.经由R4和场效应管Q3放电到地；
b.经由R5放电到地，加快场效应管Q4gate端的电压下降速度，防止在场效应管Q4关闭过程中由于电压的降低导致电流增大损坏电子元器件，达到保护电路的目的，通过控制低电平的Power_EN来控制较高电平的电压开关，实现小控大。本发明的有益效果是可以通过控制低电平的Power_EN来控制较高电平的电压开关，实现小控大。此软启动电源电路采用一些常用的三极管和MOS，稳压二极管，因此成本低廉，可以广泛应用于各种电路系统。
图1是软启动电源的电路原理图。
具体实施例方式参照说明书附图对本发明的软启动电源作以下详细地说明。电路结构包括场效应管Q1、Q3、Q4，三级管Q2，电阻R1-R5，电容Cl，场效应管Ql的Si、S2极串接电阻Rl接辅助电源VAUX，G极串电阻R2接辅助电源VAUX，场效应管Ql的D极接场效应管Q4的G极，三极管Q2的集电极串电阻R3接场效应管Ql的G极，三极管Q2的发射极接地，基极接电源外部控制信号端Power_EN，场效应管Q3的G极接三极管Q2的集电极，D极串电阻接场效应管Ql的D极，S极接地，电容Cl点组R5 二极管Dl并接场效应管Q3的D极和S极，场效应管Q4的S1-S3极并接电源输出端V0UT，D1_D4极并接电源输入端VIN ；
软启动步骤如下
在电源外部控制信号Power_EN为低，即电源未开启时，三极管Q2基极为低，处于截止状态，集电极为高，P沟道MOS Ql的gate端电压等于S端的电压，Vgs=O,处于截止状态；而NMOS Q3 Gate端为高，Vgs>0 Q3处于导通状态，D端和S端导通，由于S算接地，所以D端等效为地，从而电源输出使能信号Vout_EN保持为低。而Vaux由于Ql和Q2都处于截止状态，无法形成通路，从而实现减少系统漏电的功能。在电源外部控制信号Power_EN由低变高时，三极管Q2基极于发射极因压差产生电流导通，从而使Q2的集电极端电压为低，导致Ql gate端电压变化为Vaux*R3/(R2+R3)小于S端电压Vaux，从而使Ql导通。而Q3的VGS=O处于截止状态。Q4 gate端电压为Vaux*R5/(Rl+R5)为高，使mos Q4导通，电压输出。而电容Cl在此过程中滤掉Ql在开启过程中产生的噪声，并减小Q4 gate端的电压上升斜率，减缓mos的打开速度，实现软启动，而稳压二极管Dl则可以把gate端的电压在一定的值之下，从而可以有效的抑制上冲等噪声，减少对MOS Q4的冲击，从而更有效的保护线路。在电源外部控制信号Power_EN由高变低时，Ql和Q2处于截止状态，而Q3处于导通状态，此时，Q4 gate端的电会迅速通过2条通路a.经由R4和Q3放电到地。b.经由R5放电到地。加快Q4 gate端的电压下降速度，防止在Q4关闭过程中由于电压的降低导致电流增大损坏电子元器件，达到保护电路的目的。
除说明书所述的技术特征外，均为本专业技术人员的已知技术。
权利要求
1. 一种有效抑制开机噪声的软启动电源，其特征在于包括场效应管Ql、Q3、Q4，三级管Q2，电阻R1-R5，电容Cl，场效应管Ql的Si、S2极串接电阻Rl接辅助电源VAUX，G极串电阻R2接辅助电源VAUX，场效应管Ql的D极接场效应管Q4的G极，三极管Q2的集电极串电阻R3接场效应管Ql的G极，三极管Q2的发射极接地，基极接电源外部控制信号端Power_ EN,场效应管Q3的G极接三极管Q2的集电极，D极串电阻接场效应管Ql的D极，S极接地， 电容Cl点组R5 二极管Dl并接场效应管Q3的D极和S极，场效应管Q4的S1-S3极并接电源输出端VOUT，D1-D4极并接电源输入端VIN ；软启动步骤如下在电源外部控制信号Power_EN为低，即电源未开启时，三极管Q2基极为低，处于截止状态，集电极为高，场效应管Ql的gate端电压等于S端的电压，Vgs=O,处于截止状态； 而场效应管Q3 Gate端为高，Vgs>0场效应管Q3处于导通状态，D端和S端导通，由于S 算接地，所以D端等效为地，从而电源输出使能信号Vout_EN保持为低，而Vaux由于场效应管Ql和三极管Q2都处于截止状态，无法形成通路，从而实现减少系统漏电的功能；在电源外部控制信号Power_EN由低变高时，三极管Q2基极于发射极因压差产生电流导通，从而使Q2的集电极端电压为低，导致PMOS场效应管Ql gate端电压变化为 Vaux*R3/ (R2+R3)小于S端电压Vaux，从而使场效应管Ql导通，而场效应管Q3的VGS=O 处于截止状态，场效应管Q4 gate端电压为VauX*R5/(Rl+I )为高，使场效应管Q4导通， 电压输出；而电容Cl在此过程中滤掉PMOS场效应管Ql在开启过程中产生的噪声，并减小场效应管Q4 gate端的电压上升斜率，减缓mos的打开速度，实现软启动，而稳压二极管Dl则把 gate端的电压在一定的值之下，从而有效的抑制上冲噪声，减少对场效应管Q4的冲击，从而更有效的保护线路；在电源外部控制信号Power_EN由高变低时，场效应管Ql和三极管Q2处于截止状态， 而场效应管Q3处于导通状态，此时，场效应管Q4 gate端的电会迅速通过2条通路；a.经由R4和场效应管Q3放电到地；b.经由R5放电到地，加快场效应管Q4gate端的电压下降速度，防止在场效应管Q4关闭过程中由于电压的降低导致电流增大损坏电子元器件，达到保护电路的目的，通过控制低电平的Power_EN来控制较高电平的电压开关，实现小控大。
全文摘要
本发明提供一种有效抑制开机噪声的软启动电源，包括场效应管Q1、Q3、Q4，三级管Q2，电阻R1-R5，电容C1，场效应管Q1的S1、S2极串接电阻R1接辅助电源VAUX，G极串电阻R2接辅助电源VAUX，场效应管Q1的D极接场效应管Q4的G极，三极管Q2的集电极串电阻R3接场效应管Q1的G极，三极管Q2的发射极接地，基极接电源外部控制信号端Power_EN，场效应管Q3的G极接三极管Q2的集电极，D极串电阻接场效应管Q1的D极，S极接地，电容C1点组R5二极管D1并接场效应管Q3的D极和S极，场效应管Q4的S1-S3极并接电源输出端VOUT，D1-D4极并接电源输入端VIN。该启动电源可以通过控制低电平的Power_EN来控制较高电平的电压开关，实现小控大。
文档编号H02M1/36GK102570788SQ20121003325
公开日2012年7月11日 申请日期2012年2月15日 优先权日2012年2月15日
发明者张磊 申请人:浪潮电子信息产业股份有限公司