用于操作变换器电路的方法
【专利摘要】说明了用于操作变换器电路(1)的方法，在所述方法中，所述变换器电路(1)的整流器单元(2)的可操控功率半导体开关借助于整流器开关信号(SG)来操控并且所述变换器电路（1）的所述逆变器单元（4）的可操控功率半导体开关借助于逆变器开关信号(SW)来操控。为了减少变换器电路（1）在无负载状态下的损耗，如果满足所定义的变换器电路（1）的条件，则闭锁所述整流器开关信号(SG)，以便关断整流器单元（2）的可操控功率半导体开关。这些条件尤其包含直流电压中间回路中的电压以及由所连接电网所需的有效功率和/或无功功率。
【专利说明】用于操作变换器电路的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及功率电子器件领域。本发明基于根据独立权利要求前序部分所述的、用于操作变换器电路的方法。
【背景技术】
[0002]当今，在许多应用中采用变换器电路。这种变换器电路例如具有整流器单元，第一交变电压电网经由电网侧阻抗连接到所述整流器单元的交变电压侧上。电网侧的阻抗能够是电感或者变压器。此外，该变换器电路包括电容性储能回路，所述电容性储能器回路与整流器单元的直流电压侧相连接。该整流器单元具有多个可操控和不可操控的功率半导体开关并且允许四象限操作。此外，该变换器电路具有逆变器单元，电容性储能回路与所述逆变器单元的直流电压侧相连接并且负载侧阻抗在所述逆变器单元的交变电压侧相连接，所述负载侧阻抗能够构造为电感或者构造为变压器。该逆变器单元具有多个可操控以及不可操控的功率半导体开关并且允许四象限操作。通常而言，在负载侧的阻抗上连接有第二交变电压电网，通常有电负载与第二交变电压电网相连接。
[0003]在操作变换器电路时，整流器单元的可操控功率半导体开关通过整流器开关信号来操控。逆变器单元的可操控功率半导体开关通过逆变器开关信号来操控。整流器开关信号以及逆变器开关信号在变换器操控单元中产生。如果有电负载与第二交变电压电网相连接并且如果要从第一交变电压电网给该电负载馈电，则该变换器操控单元根据给该电负载馈电的需要来生成整流器开关信号和逆变器开关信号。
[0004]如果在变换器电路操作期间未向电负载供应电能，也就是说，没有有效功率或者几乎没有有效功率输出给电负载，则通常仍然由变换器操控单元按照开关序列来产生整流器开关信号，使得电容性储能回路上的电压保持在可预定值。此外，在变换器电路的该状态下，该变换器操控单元按照开关序列来产生逆变器开关信号，使得馈入第二交变电压电网所需要的无功功率。
[0005]在先前所述的无负载状态下操作变换器电路时是有问题的，即，通过按照整流器开关信号来开关可操控功率半导体开关，在整流器单元中出现开关损耗并且因而还在电网侧的阻抗中出现不能容忍的损耗。
【发明内容】
[0006]因而，本发明的任务是说明用于操作变换器电路的方法，通过所述方法，在变换器电路未向电负载输出有效功率或者几乎未向电负载输出有效功率的情况下，能够减少变换器电路的损耗。该任务通过权利要求1的特征。在从属权利要求中说明了本发明的有利改进方案。
[0007]在根据本发明、用于操作变换器电路的方法中，变换器电路包括整流器单元，所述整流器单元具有多个可操控的功率半导体开关以及不可操控的功率半导体开关，其中，第一交变电压电网经由电网侧阻抗连接在整流器单元的交变电压侧上。该变换器电路还包括电容性储能回路，所述电容性储能回路与整流器单元的直流电压侧相连接，并且所述变换器电路还包括逆变器单元，所述逆变器单元具有多个可操控以及不可操控的功率半导体开关，其中，电容性储能回路与逆变器单元的直流电压侧相连接并且第二交变电压电网经由负载侧阻抗连接在逆变器单元的交变电压侧上。在方法方面，整流器单元的可操控功率半导体开关借助于整流器开关信号来操控。此外，逆变器单元的可操控功率半导体开关借助于逆变器开关信号来操控。按照本发明的方法的特征在于:
(a)连续确定电容性储能回路上的电压；
(b)连续确定逆变器单元的交变电压侧上的有效功率实际值；
(C)连续确定逆变器单元的交变电压侧上的无功功率实际值；并且如果
Cd)电容性储能回路上的电压位于可预定范围内，并且
Ce)逆变器单元的交变电压侧上的有效功率实际值位于可预定值以下和/或该无功功率实际值基本上等于可预定无功功率额定值，则闭锁整流器开关信号，以便关断整流器单元的可操控功率半导体开关。
[0008]由于在条件(d)和(e)得到满足的情况下为了关断整流器单元的可操控功率半导体开关而闭锁整流器开关信号，所以不进行对整流器单元的可操控功率半导体开关的开关处理，由此能够有利地减少或者甚至几乎完全避免在变换器电路没有向电负载输出有效功率或者几乎没有向电负载输出有效功率的情况下变换器电路的损耗。根据本发明、用于操作变换器电路的方法因而整体上实现起来极其简单。
[0009]本发明的这些以及其他任务、优点以及特征由下文结合附图对本发明优选实施方式的详细描述得知。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1示出变换器电路的第一实施方式；
图2示出变换器电路的第二实施方式；以及图3示出变换器电路的负载侧的等效电路图。
[0011]在附图中使用的附图标记及其含义在附图标记列表中综合列出。基本上，在附图中相同部件设有相同的附图标记。所描述的实施方式是本发明主题的示例并且没有限制效果O
【具体实施方式】
[0012]在图1中示出变换器电路I的第一实施方式。图2示出变换器电路I的第二实施方式。一般而言，该变换器电路包括整流器单元2，所述整流器单元2具有多个可操控以及不可操控的功率半导体开关，其中第一交变电压电网5经由电网侧阻抗Zn连接到整流器单元2的交变电压侧上，例如如图1所示。出于清楚性的原因电网侧阻抗Zn未在图2中示出。此外，一般而言，变换器电路I还包括电容性储能回路3，其与整流器单元2的直流电压侧相连接。一般而言，电容性储能回路3包括至少一个电容器。此外，变换器电路I还具有逆变器单元4，所述逆变器单元4具有多个可操控的功率半导体开关以及不可操控功率半导体开关，其中，电容性储能回路3与逆变器单元4的直流电压侧相连接并且第二交变电压电网6经由负载侧阻抗A连接到逆变器单元4的交变电压侧上，例如如图1所示。出于清楚性原因，未在图2中示出负载侧阻抗
[0013]整流器单元2以及逆变器单元4的相应可操控功率半导体开关能够构造为关断晶闸管(GT0-栅极关断晶闸管)或者构造为具有换向控制电极的集成晶闸管(IGCT-集成栅极换流晶闸管)。然而也可设想，将先前提及的可操控功率半导体开关例如构造为功率MOSFET或者构造为具有绝缘设置的栅电极的双极晶体管(IGBT)。此外，整流器单元2以及逆变器单元4的相应不可操控功率半导体开关优选构造为二极管。有利的是，有不可操控功率半导体开关与每个可操控功率半导体开关反向并联，使得构成具有可控制单向电流引导方向的双向功率半导体开关。整流器单元2以及逆变器单元4于是能够与这种双向功率半导体开关一起例如实现为桥式电路，其中，可设想本领域技术人员已知的、用于实现整流器单元2以及逆变器单元4的任何连线。
[0014]在用于操作变换器电路的方法中，现在，整流器单元2的可操控功率半导体开关借助于整流器开关信号Se来操控，如在图1和图2中所表明的那样。此外，逆变器单元4的可操控功率半导体开关借助于逆变器开关信号Sw来操控，同样如图1和图2中所表明的那样。在变换器操控单元中产生整流器开关信号Sg以及逆变器开关信号Sw，所述变换器操控单元出于清楚性原因在图1和图2中未示出。
[0015]按照根据本发明的用于操作变换器电路I的方法，现在，
Ca)连续确定电容性储能回路3上的电压Udc ；
(b)连续确定逆变器单元4的交变电压侧上的有效功率实际值Pist；
(c)连续确定逆变器单元4的交变电压侧上的无功功率实际值Qist。
[0016]如果(d)电容性储能回路3上的电压Udc位于可预定范围内，并且(e)逆变器单元4的交变电压侧上的有效功率实际值Pist位于可预定值以下和/或该无功功率实际值Qist基本上等于可预定无功功率额定值Qstjll,则闭锁整流器开关信号SG，以便关断整流器单元2的可操控功率半导体开关。
[0017]由于在条件(d)和(e)得到满足的情况下为了关断整流器单元2的可操控功率半导体开关而闭锁整流器开关信号Se，所以不进行对整流器单元2的可操控功率半导体开关的开关处理，使得能够有利地减少或者甚至几乎完全避免在变换器电路I没有向电负载输出有效功率或者几乎没有向电负载输出有效功率的情况下变换器电路I的损耗。为了能够在变换器电路I的该状态下从电容性储能回路3中将第二交变电压电网6所需要的无功功率馈入第二交变电压电网6中，按照相应的开关序列来产生逆变器开关信号Sw，其中，逆变器单元4的可操控功率半导体开关于是按照该逆变器开关信号3?来开关。该电容性储能回路3在此通过整流器单元2的不可操控功率半导体开关从第一交变电压电网5再充电。因此，在整流器单元2的可操控功率半导体开关的闭锁状态下有利的是，可以将第二交变电压电网6所需要的无功功率从第一交变电压电网5经由电容性储能回路馈入第二交变电压电网6。
[0018]在图3中示出变换器电路I的负载侧的等效电路图，其中完整地示出全部参量，并且是逆变器单元4的交变电压侧上的电压，逛是负载侧阻抗4上的电压，是通过负载侧阻抗&的电流并且迤是第二交变电压电网6的电压。因此，由图3得出下列关系。
Ms=IrrZiΠ1 y μ—Μι,+Μ.c+?[2]
[0019]其中，优选测量_并且是丨I?Udc (电容性储能回路3上的电压)。此外，电容性储能回路3上的电压Udc优选通过测量来确定。
[0020]得到交变电压侧上的有效功率实际值Pist
Pi:a=Re{U￡-1&*}{3]
并且然后得到交变电压侧上的无功功率实际值Qist
QSi=lm{uQ-1a*}14]
借助于公式[3]和[4]，能够通过计算来确定有效功率实际值Pist和无功功率实际值QistO对有效功率实际值Pist和无功功率实际值Qist的计算有利地在变换器操控单元中进行，其中计算所需的参量输送给变换器操控单元。
[0021]证明为有利的是，如果满足条件(d)和(e)，则先前提及的对整流器开关信号Sg的闭锁在能设定的持续时间之后进行。该能设定的持续时间有利地避免了在满足条件(d)和(e)时立即进行先前提及的对整流器开关信号Se的闭锁。由此在条件(d)和(e)随着时间快速改变的情况下，对整流器开关信号Sg的闭锁变得不敏感。
[0022]此外，可设想，如果除了条件(d)和(e)之外，可预定有效功率额定值Pstjll还位于可预定值以下时，闭锁整流器开关信号Se，以便关断整流器单元2的可操控功率半导体开关。此外还可设想，如果除了条件(d)和(e)之外，无功功率实际值Qist还位于可预定值以下时，则闭锁整流器开关信号Se,以便关断整流器单元2的可操控功率半导体开关。
[0023]整体而言，根据本发明、用于操作变换器电路的方法实现起来非常简单，并且因而注定用于具有变换器电路的新设备和应用，而且注定用于改装已经存在的变换器电路。
[0024]参考标记列表 I变换器电路
2整流器单元 3电容性储能回路 4逆变器单元 5第一交变电压电网 6第二交变电压电网 Zn电网侧阻抗 Zl负载侧阻抗 Sg整流器开关信号 Sff逆变器开关信号。
【权利要求】
1.一种用于操作变换器电路(I)的方法，在所述方法中，所述变换器电路(I)包括 整流器单元(2)，所述整流器单元(2)具有多个可操控的功率半导体开关以及不可操控功率半导体开关，其中，第一交变电压电网(5)经由电网侧阻抗(Zn)连接在所述整流器单元(2)的交变电压侧上； 电容性储能回路(3)，所述电容性储能回路(3)与所述整流器单元(2)的直流电压侧相连接； 逆变器单元(4)，所述逆变器单元(4)具有多个可操控以及不可操控的功率半导体开关，其中，所述电容性储能回路(3)与所述逆变器单元(4)的直流电压侧相连接并且第二交变电压电网(6)经由负载侧阻抗(Z)连接在所述逆变器单元⑷的交变电压侧上，其中，所述整流器单元(2)的可操控功率半导体开关借助于整流器开关信号(Se)来操控并且所述逆变器单元(4)的可操控功率半导体开关借助于逆变器开关信号(Sw)来操控，其特征在于: (a)连续确定所述电容性储能回路(3)上的电压(Udc)； (b)连续确定所述逆变器单元(4)的交变电压侧上的有效功率实际值(Pist)； (c)连续确定所述逆变器单元(4)的交变电压侧上的无功功率实际值(Qist);并且 如果 (d)所述电容性储能回路(3)上的电压(Udc)位于可预定范围内，并且 (e)所述逆变器单元(4)的交变电压侧上的有效功率实际值(Pist)位于可预定值以下和/或所述无功功率实际值(Qist)基本上等于可预定无功功率额定值(Qstjll),则闭锁所述整流器开关信号(Se)，以便关断所述整流器单元(2)的可操控功率半导体开关。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述整流器开关信号(Se)的闭锁在能设定的持续时间之后进行。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，如果额外 Cf)可预定有效功率额定值(Pstjll)位于可预定值以下时，闭锁所述整流器开关信号(Sg),以便关断所述整流器单元(2)的可操控功率半导体开关。
4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，如果额外(g)所述无功功率实际值(Qist)位于可预定值以下时，则闭锁所述整流器开关信号(Se),以便关断所述整流器单元(2)的可操控功率半导体开关。
【文档编号】H02M5/458GK104170233SQ201280071931
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2012年6月6日 优先权日:2012年3月28日
【发明者】P.迈巴奇, T.沙亚德, M.维尔洛米特泽 申请人:Abb 技术有限公司