专利名称：矿用变频器多路测温结构的制作方法
技术领域：
本实用新型属于变频器技术领域，具体说是一种矿用变频器多路测温结构。
背景技术：
矿用变频器底板易发热元件需要实时测量温度，当温度超过保护温度时，由于采用单点测温，不能精准的保护变频器，造成变频器易发热器件炸毁。
发明内容本实用新型的目的是提供一种矿用变频器多路测温结构，以解决现有底板发热元件温度值回测不精准、发热元件易坏等问题。本实用新型的目的是这样实现的:它包括设置在矿用变频器上的底板，散热器，绝缘栅双极型晶体管，可控硅，其特征是:所述绝缘栅双极型晶体管与可控硅设置在变频器底板上，底板上设有散热器；在靠近每个绝缘栅双极型晶体管的位置上分别设置有一晶体管测温传感器，在靠近每个可控硅的位置上同样分别设置有一可控硅测温传感器；所述的测温传感器其输出端依次通过热电转换电路、控制电路及显示报警电路相连。所述晶体管测温传感器设置在绝缘栅双极型晶体管的U型槽内。所述可控硅测温传感器设置在两可控硅并联的间隙内。本实用新型的优点及有益效果如下:本实用新型采用多点测温可以测量矿用变频器底板的所有易发热元件的温度，并通过通讯线实时上传给控制系统最高的温度，保证控制系统始终在第一时间保护了易发热器件；增加了测温触点，减小了测量误差；将不同的测温电阻设置在易超温的位置上，提高了上传最高温度值精准度，保证变频器中的易发热原件温度过高而损坏；提高了变频器的安全性，降低了生产维护成本。
下面将结合附图对本实用新型作进一步详细说明。图1为本实用新型的外观结构示意图；图2为本实用新型绝缘栅双极型晶体管处测温电阻的外观结构示意图；图3为本实用新型可控硅处测温电阻的外观结构示意图；图4为本实用新型测温原理方框图。附图部分的符号说明:1散热器、2底板、3绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、4绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的U型槽、5绝缘栅双极型晶体管(IGBT)处测温传感器、6可控硅、7两可控硅并联间隙、8可控硅处测温传感器。下面将结合附图并通过实例对实用新型作进一步详细说明，但下述的实例仅仅是本实用新型其中的例子而已，并不代表本实用新型所限定的权利保护范围，本实用新型的权利保护范围以权利要求为准。
具体实施方式
根据图1至图4对本实用新型进行详细描述。本实用新型的一种矿用变频器多路测温结构，其包括设置在矿用变频器上的底板，散热器1，绝缘栅双极型晶体管3，可控硅6，绝缘栅双极型晶体管3与可控硅6设置在变频器底板上，底板上设有散热器I ;在靠近每个绝缘栅双极型晶体管的位置上分别设置有一晶体管测温传感器5，在靠近每个可控硅的位置上同样分别设置有一可控硅测温传感器8 ;测温传感器其输出端依次通过热电转换电路、控制电路及显示报警电路相连。晶体管测温传感器设置在绝缘栅双极型晶体管的U型槽4内。可控硅测温传感器设置在两可控硅并联的间隙7内。变频器在运行过程中，易发热元件比如绝缘栅双极型晶体管和可控硅会发热，散热器会散出一部分热量，采用测温电阻测量这些易发热元件的温度，热电转换电路将热量转换为电压，控制系统将这些模拟量转换为数字量，并上传给显示电路，若发现温度超过报警值，控制系统输出报警标志位，变频器报警。本实施例中，绝缘栅双极型晶体管处测温传感器与可控硅处测温传感器均选用相同的测温传感器，可选用测温电阻。
权利要求1.一种矿用变频器多路测温结构，它包括设置在矿用变频器上的底板，散热器，绝缘栅双极型晶体管，可控硅，其特征是:所述绝缘栅双极型晶体管与可控硅设置在变频器底板上，底板上设有散热器；在靠近每个绝缘栅双极型晶体管的位置上分别设置有一晶体管测温传感器，在靠近每个可控硅的位置上同样分别设置有一可控硅测温传感器；所述的测温传感器其输出端依次通过热电转换电路、控制电路及显示报警电路相连。
2.根据权利要求1所述的矿用变频器多路测温结构，其特征是:所述晶体管测温传感器设置在绝缘栅双极型晶体管的U型槽内。
3.根据权利要求1所述的矿用变频器多路测温结构，其特征是:所述可控硅测温传感器设置在两可控硅并联的间隙内。
专利摘要一种矿用变频器多路测温结构，它包括设置在矿用变频器上的底板，散热器，绝缘栅双极型晶体管，可控硅，其技术要点是所述绝缘栅双极型晶体管与可控硅设置在变频器底板上，底板上设有散热器；在靠近每个绝缘栅双极型晶体管的位置上分别设置有一晶体管测温传感器，在靠近每个可控硅的位置上同样分别设置有一可控硅测温传感器；所述的测温传感器其输出端依次通过热电转换电路、控制电路及显示报警电路相连。解决了现有底板发热元件温度值回测不精准、发热元件易坏等问题。
文档编号H02M1/00GK203056837SQ201320056260
公开日2013年7月10日 申请日期2013年2月1日 优先权日2013年2月1日
发明者毕鑫, 范久斌, 徐 明, 史欢欢 申请人:沈阳辽通电气有限公司