过温检测电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种过温检测电路，所述过温检测电路包括阈值生成电路、过温比较电路和过温检测信号输出电路。阈值生成电路用于根据参考电压生成过温检测阈值；过温比较电路用于根据PN结导通电压和过温检测阈值输出过温信号；过温检测信号输出电路用于根据所述过温信号按预设电平输出过温检测信号；其中，过温检测信号输出电路包括滤波电路，所述滤波电路用于对过温信号滤波，过温检测信号输出电路根据滤波后的信号输出过温检测信号。本实用新型解决了现有技术中由于脉冲群干扰引起的异常停机的问题，提高了过温检测电路的脉冲群抗扰度。
【专利说明】过温检测电路
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及电路领域，具体涉及一种过温检测电路。
【背景技术】
[0002] 过温检测电路常用于对电路工作温度进行检测，在电路工作温度达到预定值以后 输出控制信号，完成关断电路、关断电源等功能，起到保护电路的作用。
[0003] 现有技术中，通过过温检测电路PN结导通电压的变化检测电路工作温度，例如， 在PN结导通电压为负温度系数时，将过温检测阈值与PN结导通电压进行比较，其中，过温 检测阈值对应预定温度，当温度低于预定温度时，PN结导通电压高于过温检测阈值，过温检 测电路保持正常输出状态；当温度高于预定温度时，由于PN结导通电压随温度的升高而下 降到低于过温检测阈值，过温检测电路的输出状态跳变触发过温保护。
[0004] 当供电电压存在脉冲群干扰时，过温检测阈值信号也会出现脉冲群干扰，脉冲群 干扰的峰值大约十几伏到几十伏，由于过温检测电路的过温检测阈值会随着脉冲峰值显著 升高，导致PN结导通电压低于过温检测阈值，触发过温保护。同时，由于用于生成PN结导 通电压的电子器件存在寄生电容，使得脉冲群结束后过温检测电路存在一段恢复时间，在 恢复时间内会引起后级锁存电路输出过温保护信号，导致整机异常停机。 实用新型内容
[0005] 有鉴于此，本实用新型的目的在于提出一种过温检测电路，以提高过温检测电路 脉冲群抗扰度。
[0006] 根据本实用新型的一方面，提供一种过温检测电路，包括阈值生成电路、过温比较 电路和过温检测信号输出电路。所述阈值生成电路用于根据参考电压生成过温检测阈值； 所述过温比较电路用于根据PN结导通电压和过温检测阈值输出过温信号，所述PN结导通 电压与温度成比例；所述过温检测信号输出电路用于根据所述过温信号按预设电平输出过 温检测信号。其中，所述过温检测信号输出电路包括滤波电路，所述滤波电路用于对所述过 温信号滤波，所述过温检测信号输出电路根据滤波后的信号输出过温检测信号。
[0007] 优选地，所述过温检测信号输出电路包括第一输出晶体管、第一电阻、滤波电路、 第二电阻和第二输出晶体管。
[0008] 所述第一输出晶体管连接在参考电压输入端和中间端之间，所述第一输出晶体管 的控制端输入所述过温信号。所述第一电阻连接在所述中间端和接地端之间。所述滤波电 路包括滤波电阻和滤波电容，所述滤波电阻连接在所述中间端和所述第二输出晶体管的控 制端之间，所述滤波电容连接在所述第二输出晶体管的控制端和接地端之间。所述第二电 阻和所述第二输出晶体管串联连接在参考电压输入端和接地端之间，从所述第二电阻和所 述第二输出晶体管的连接节点输出所述过温检测信号。
[0009] 优选地，所述第一输出晶体管为PNP型双极性晶体管。
[0010] 优选地，所述过温检测信号输出电路包括第一输出晶体管、滤波电路、第一电阻、 第二输出晶体管和第二电阻。
[0011] 所述滤波电路包括滤波电阻和滤波电容，所述滤波电阻连接在参考电压输入端和 中间端之间，所述滤波电容连接在所述中间端和接地端之间。所述第一输出晶体管连接在 所述中间端和接地端之间，所述第一输出晶体管的控制端输入所述过温信号。所述第一电 阻连接在所述中间端和所述第二输出晶体管的控制端之间。所述第二电阻和所述第二输出 晶体管串联连接在参考电压输入端和接地端之间，从所述第二电阻和所述第二输出晶体管 的连接节点输出所述过温检测信号。
[0012] 优选地，所述第一输出晶体管为NPN型双极性晶体管。
[0013] 优选地，所述过温比较电路包括过温比较晶体管；所述过温比较晶体管的控制端 输入所述过温检测阈值，所述过温比较电路基于所述过温比较晶体管的导通和关断控制输 出过温信号。
[0014] 优选地，所述过温比较电路还包括第三电阻和第四电阻；所述过温比较晶体管为 NPN型双极性晶体管。
[0015] 所述过温比较晶体管的发射极与接地端连接，所述第三电阻和第四电阻串联连接 在参考电压输入端和所述过温比较晶体管的集电极之间。从所述第三电阻和所述第四电阻 的连接节点输出所述过温信号。
[0016] 优选地，所述过温比较电路还包括第三电阻；所述过温比较晶体管为NPN型双极 性晶体管。
[0017] 所述过温比较晶体管的发射极与接地端连接，所述第三电阻连接在参考电压输入 端和所述过温比较晶体管的集电极之间。从所述过温比较晶体管与所述第三电阻的连接节 点输出所述过温信号。
[0018] 优选地，所述阈值生成电路包括第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻和开 关电路。所述第一分压电阻、第二分压电阻和第三分压电阻串联连接在参考电压输入端和 接地端之间，所述开关电路与所述第三分压电阻并联，在未过温状态导通，在过温状态关 断。
[0019] 优选地，所述滤波电路的时间常数大于过温检测恢复时间，所述过温检测恢复时 间是所述过温比较电路在遇到干扰脉冲后恢复到正常状态的时间。
[0020] 通过在过温检测电路的过温检测信号输出电路中加入滤波电路，对由电子器件寄 生电容导致的延迟波形进行滤波，避免了延迟波形导致的恢复时间对过温检测电路的影 响，提高了过温检测电路的脉冲群抗扰度；同时，增加了系统在抗扰度上的设计余量，节省 了系统针对抗扰度的设计成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0021] 通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述，本实用新型的上述以及其他目 的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
[0022] 图1为根据本实用新型第一实施例的过温保护系统的系统示意图；
[0023] 图2为根据本实用新型第二实施例的过温检测电路的示意图；
[0024] 图3为根据对本实用新型实施例进行电快速瞬变脉冲群抗扰实验所施加的电快 速瞬变脉冲群的波形示意图；
[0025] 图4为根据本实用新型第二实施例的过温检测电路的工作波形图；
[0026] 图5为根据本实用新型第三实施例的过温检测电路的示意图。
【具体实施方式】
[0027] 以下将参照附图更详细地描述本实用新型的各种实施例。在各个附图中，相同的 元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘 制。
[0028] 图1为根据本实用新型第一实施例的过温保护系统的系统示意图。过温保护系统 1包括参考电压产生电路10、过温检测电路20和锁存电路30。
[0029] 其中，参考电压产生电路10在供电电压Vcc驱动下生成不随温度变化的参考电压 VMf。参考电压产生电路10可以为带隙基准电压源。
[0030] 过温检测电路20用于进行过温检测输出过温检测信号01\。
[0031] 锁存电路30用于对过温检测信号0?\进行锁存，向后级电路输出过温保护启动信 号F0以在电路过温时启动过温保护。
[0032] 过温检测电路20包括阈值生成电路21、过温比较电路22和过温检测信号输出电 路23。
[0033] 阈值生成电路21用于根据参考电压VMf生成过温检测阈值VA。
[0034] 过温比较电路22用于根据PN结导通电压VB和过温检测阈值VA输出过温信号0T。
[0035] 过温检测信号输出电路23用于根据所述过温信号0T按预设电平输出过温检测信 号 〇1\。
[0036] 其中，PN结导通电压与温度成反比例，也即，PN结导通电压为负温度系数参数。
[0037] 优选地，预设电平为：当过温检测电路保持正常状态时输出高电平，当过温检测电 路处于过温保护状态时输出低电平。当然，本领域技术人员容易理解预设电平可以根据实 际需要设置成其它状态。
[0038] 阈值生成电路21根据参考电压VMf生成过温检测阈值VA，过温检测阈值V A对应预 定温度TH。
[0039] 优选地，阈值生成电路21可以为电阻分压网络，通过对参考电压VMf分压获得对 应的过温检测阈值V A。
[0040] 过温比较电路22通过将过温检测阈值VA与PN结导通电压VB进行比较检测电路 是否过温。在PN结导通电压V B与温度成反比例时，如果温度低于预定温度TH时，则PN结 导通电压VB高于过温检测阈值V A，过温比较电路22保持正常状态，输出的过温信号0T为 高电平；当温度高于预定温度TH时，PN结导通电压V B下降到低于过温检测阈值VA，过温比 较电路22输出过温信号0T为低电平。
[0041] 过温检测信号输出电路23根据过温信号0T输出过温检测信号01\。
[0042] 其中，过温检测信号输出电路23包括滤波电路231。滤波电路231对所述过温信 号0T进行滤波，滤除高频脉冲干扰信号以及高频脉冲干扰信号结束后由于寄生电容导致 的延迟信号。
[0043] 过温检测电路输出的过温检测信号01\可以提供给后级锁存电路30。优选地，当 过温检测信号〇?\为低电平时，锁存电路30输出保护信号F0,正常情况下保护信号F0触发 后，保护状态将持续一定时间（典型20us以上），以使过温保护系统控制的部分保护停机。
[0044] 由于过温检测电路20需要利用PN结导通电压来检测温度，而PN结器件通常带有 寄生电容，导致高频脉冲干扰信号结束后电路不能立刻恢复正常，使得寄生电容的延迟效 应具有一个恢复时间。在该恢复时间内，过温检测电路20输出过温检测信号01\仍不能恢 复正常。而同时，由于供电电压V。。中的高频脉冲干扰已经结束，锁存电路30恢复正常，锁 存电路30会默认接收的过温检测信号0?\是在过温检测电路20正常工作状态下输出的， 由此会导致对于过温状态的错误检测。
[0045] 在过温检测信号输出电路23中加入滤波电路231后，不但由于高频脉冲干扰信号 导致的过温信号0Τ中的错误脉冲被滤除，由于寄生电容的延迟效应导致的延迟信号（对应 于上述的恢复时间）也被滤除。而由于温度变化的低频特性，也即，电路的工作温度相对高 频脉冲以及上述的恢复时间是缓慢变化的，滤波电路不会对于由于电路工作温度上升导致 的过温信号变化产生影响，所以，本实施例的过温检测电路可以较好解决由于脉冲群干扰 而引起的系统异常停机的问题，提高过温检测电路的脉冲群抗扰度；另一方面，还可以增加 了整机系统在抗扰度上的设计余量，节省了整机系统针对抗扰度的设计成本。
[0046] 图2为根据本实用新型第二实施例的过温检测电路的示意图。过温检测电路20' 包括阈值生成电路21'、过温比较电路22'和过温检测信号输出电路23'。
[0047] 阈值生成电路21'用于根据参考电压VMf生成过温检测阈值VA。
[0048] 优选地，阈值生成电路21'为电阻分压网络。
[0049] 优选地，阈值生成电路21'用于在未过温状态根据参考电压生成过温检测阈值VA， 在过温状态根据参考电压生成过温恢复阈值 '，过温恢复阈值 '低于过温检测阈值VA。阈 值生成电路21'包括第一分压电阻Rfl、第二分压电阻R f2、第三分压电阻Rf3和开关电路211。 其中第一分压电阻Rfl、第二分压电阻R f2和第三分压电阻Rf3串联连接在参考电压输入端和 接地端之间，开关电路211与第三分压电阻R f3并联。
[0050] 在图2中，开关电路211在未过温状态关断，由此，使得阈值生成电路21'生成过 温检测阈值V A :
[0051] ^ ^ · Vr，r
[0052] 在过温状态导通，使得第三分压电阻Rf3被短路，由此，阈值生成电路21'生成一个 较低的过温恢复阈值' :
[0053] VL = Viet
[0054] 开关电路211可以包括开关晶体管Q2、反馈电阻Rf和反馈晶体管Q 3，反馈电阻Rf 和反馈晶体管仏连接在参考电压输入端和接地端之间，反馈晶体管Q3的控制端通过一电阻 R7输入与过温信号0T或与过温信号0T相关的信号或过温检测信号0?\，从而根据检测状态 导通或关断。通过反馈晶体管Q 3的通断控制反馈电阻Rf和反馈晶体管Q3的连接节点的电 压，进而控制开关晶体管Q 2的导通和关断，实现在不同的状态输出不同的阈值。
[0055] 过温比较电路22'用于根据PN结导通电压VB和过温检测阈值VA输出过温信号 0Τ〇
[0056] 过温比较电路22'包括过温比较晶体管％。过温比较晶体管％的控制端输入过 温检测阈值VA，过温比较电路22'基于过温比较晶体管Qi的导通和关断控制输出过温信号 0Τ〇
[0057] 在本实施例中，过温比较晶体管为NPN型双极性晶体管，其控制端为基极，其基 极-发射极导通电压V BE作为PN结导通电压。过温比较电路22'还包括第三电阻R3和第 四电阻R4。过温比较晶体管％的发射极与接地端连接，第三电阻R 3和第四电阻R4串联连 接在参考电压输入端和过温比较晶体管的集电极之间。
[0058] 从第三电阻R3和第四电阻R4的连接节点输出过温信号0T。
[0059] 过温比较晶体管％的输入特性曲线随温度升高向左移，温度每升高1°C，过温比较 晶体管％的正向导通电压V BE减小2-2. 5mV。
[0060] 过温检测信号输出电路23'用于根据所述过温信号0T按预设电平输出过温检测 信号。过温检测信号输出电路包括第一输出晶体管Q&、第一电阻&、滤波电路231、第二 电阻R 2和第二输出晶体管Q&。
[0061] 其中，第一输出晶体管连接在参考电压输入端和中间端V2之间，第一输出晶体 管Q M的控制端输入过温信号0T ;第一电阻&连接在中间端V2和接地端之间。
[0062] 滤波电路231包括滤波电阻RF1和滤波电容CF1，滤波电阻R F1连接在中间端V2和 第二输出晶体管〇。2的控制端之间，所述滤波电容c F1连接在第二输出晶体管〇。2的控制端和 接地端之间。
[0063] 第二电阻R2和第二输出晶体管0。2串联连接在参考电压输入端和接地端之间，从 第二电阻R 2和第二输出晶体管0。2的连接节点输出过温检测信号〇!\。
[0064] 优选地，第一输出晶体管Qd可以为PNP型双极性晶体管。
[0065] 其中，第一输出晶体管I的基极接收过温信号0T。当0T为高电平时，第一输出 晶体管t关断，中间端v 2的电压为低电平，使得第二输出晶体管〇。2也关断，过温检测信号 输出电路23'输出的过温检测信号0?\为高电平。
[0066] 当0Τ为低电平时，第一输出晶体管1导通，滤波电容CF1开始通过滤波电阻RF1充 电，滤波电容CF1持续充电直到过温检测恢复（即第一输出晶体管I关断）。
[0067] 为了测试系统的抗扰性能，通常需要进行电快速瞬变脉冲群抗扰度试验，在进行 该实验时，向交流电源施加如图3所示的电快速瞬变脉冲群，电快速瞬变脉冲群的出现会 引起集成电路芯片供电电压上同步的脉冲群干扰，该脉冲群干扰的脉宽同样很小（几十纳 秒），峰值幅度则因系统设计的差异而不同，从几十伏到上百伏。
[0068] 图4是本实施例的过温检测电路的工作波形图。如图4所示，交流电源上出现的 脉冲群导致供电电压V。。出现脉冲群干扰。
[0069] 供电电压输入的脉冲群干扰会导致在参考电压生成电路输出的参考电压VMf 上也出现脉冲群干扰，峰值大约十几伏到几十伏。过温检测阈值VA会随着参考电压VMf的 脉冲峰值一起显著升高，从而使过温比较晶体管Qi导通，触发过温信号。此时，后级锁存电 路由于供电电压也有脉冲群干扰，输出会出现保护脉冲（与脉冲群同步），此保护脉冲 没有恢复时间，待脉冲群结束后立即恢复正常工作。
[0070] 但是，由于过温比较晶体管的集电极和发射极之间存在寄生电容Cp，在脉冲群干 扰结束后，过温比较晶体管关断，而其输出的过温信号0T不会立即变化为高电平，参考电 压输入端通过第三电阻r3和第四电阻r4对寄生电容cp充电，使得过温信号0T缓慢上升， 进而使得第一输出晶体管1保持导通，由此，会使得οτ具有一个恢复时间tr。
[0071] 与此同时，当第一输出晶体管t因 VMf干扰脉冲打开时，滤波电容CF1开始通过滤 波电阻RF1充电，在滤波电容C F1充电过程中，一旦滤波电容CF1上的电压达到第二输出晶体 管9。2的导通阈值V Q (通常0. 7V)，过温检测信号0?\会跳变为低电平误触发保护。充电时 间如果大于恢复时间tr，则可以避免错误地触发保护。
[0072] 由此，可以通过设置滤波电阻RF1和滤波电容CF1的值，来区分高频脉冲干扰信号和 低频过温信号。
[0073] 脉冲干扰信号脉宽极小，引起滤波电容CF1电压变化极小可忽略，所以CF1充电方程 如下 lc
[0074] VQ=Vref ( )
[0075] 使VQ = 0. 7V，考虑V,ef = 2. 5V，可计算滤波电路时间常数tc满足：
[0076] tc = 0. 33RF1CF1
[0077] 因此，只要增大滤波电阻RF1和滤波电容CF1的值，使滤波时间常数tc大于过温检 测恢复时间tr并有足够余量，那么第二输出晶体管〇。 2在脉冲群干扰过程中以及其后的恢 复时间中就不会导通，则过温检测信号〇1\不会出现错误保护信号。
[0078] 通过在过温检测电路的过温检测信号输出电路中加入滤波电路，对由电子器件寄 生电容导致的延迟波形进行滤波，避免了延迟波形导致的恢复时间对过温检测电路的影 响，提高了过温检测电路的脉冲群抗扰度；同时，增加了系统在抗扰度上的设计余量，节省 了系统针对抗扰度的设计成本。
[0079] 图5为根据本实用新型第三实施例的过温检测电路的示意图。本实施例中，过温 检测电路20"包括阈值产生电路21'、过温比较电路22"和过温检测信号输出电路23"。其 中，阈值产生电路21'与第二实施例的对应电路结构相同。
[0080] 过温比较电路22"包括过温比较晶体管Qi。过温比较晶体管Qi的控制端输入过 温检测阈值V A，过温比较电路22"基于过温比较晶体管％的导通和关断控制输出过温信号 0Τ〇
[0081] 在本实施例中，过温比较晶体管为NPN型双极性晶体管，其控制端为基极，其基 极-发射极导通电压V BE作为PN结导通电压。过温比较电路22"还包括第三电阻馬。过温 比较晶体管％的发射极与接地端连接，第三电阻R 3连接在参考电压输入端和过温比较晶体 管％的集电极之间。
[0082] 从过温比较晶体管Qi与第三电阻R3的连接节点输出所述过温信号。
[0083] 过温检测信号输出电路23"包括第一输出晶体管Q。/、第一电阻&、滤波电路 231"、第二电阻馬、第二输出晶体管〇。 2。
[0084] 其中，滤波电路23 Γ包括滤波电阻RF2和滤波电容CF2，滤波电阻RF2连接在参考电 压输入端和中间端v 2之间，滤波电容CF2连接在所述中间端和接地端之间。
[0085] 第一输出晶体管Q。/连接在中间端V2和接地端之间，第一输出晶体管Q。/的控制 端输入过温信号0T ;第一电阻Ri连接在中间端V2和第二输出晶体管〇。2的控制端之间；第 二电阻R 2和第二输出晶体管0。2串联连接在参考电压输入端和接地端之间，从第二电阻R2 和第二输出晶体管9。 2的连接节点输出所述过温检测信号〇1\。
[0086] 优选地，第一输出晶体管Q。/可以为NPN型双极性晶体管。
[0087] 第一输出晶体管Q。/接收过温信号0T。当0T为高电平时，第一输出晶体管Q。/导 通，中间端电压为低电平，第二输出晶体管9。2关断，过温检测信号输出电路输出过温检测 信号0?\为高电平。
[0088] 当0Τ为低电平时，第一输出晶体管Q。/关断，滤波电容CF2开始通过滤波电阻RF2 充电，电容CF2持续充电直到过温检测恢复（即第一输出晶体管Q2导通）。充电时间为tc。
[0089] 在滤波电容CF2充电过程中，一旦滤波电容CF2上的电压达到第二输出晶体管0。2导 通阈值VQ (通常0. 7V)，过温检测信号0?\跳变为低电平误触发保护。
[0090] 优选地，通过设置滤波电阻RF2和滤波电容CF2的值，来区分高频脉冲干扰信号和低 频过温信号。
[0091] 脉冲干扰信号脉宽极小，引起滤波电容CF1电压变化极小可忽略，所以CF1充电方程 如下
[0092]
【权利要求】
1. 一种过温检测电路，包括阈值生成电路、过温比较电路和过温检测信号输出电路； 所述阈值生成电路用于根据参考电压生成过温检测阈值； 所述过温比较电路用于根据PN结导通电压和过温检测阈值输出过温信号，所述PN结 导通电压与温度成比例； 所述过温检测信号输出电路用于根据所述过温信号按预设电平输出过温检测信号； 其中，所述过温检测信号输出电路包括滤波电路，所述滤波电路用于对所述过温信号 滤波，所述过温检测信号输出电路根据滤波后的信号输出过温检测信号。
2. 根据权利要求1所述的过温检测电路，其特征在于，所述过温检测信号输出电路包 括第一输出晶体管、第一电阻、滤波电路、第二电阻和第二输出晶体管； 所述第一输出晶体管连接在参考电压输入端和中间端之间，所述第一输出晶体管的控 制端输入所述过温信号； 所述第一电阻连接在所述中间端和接地端之间； 所述滤波电路包括滤波电阻和滤波电容，所述滤波电阻连接在所述中间端和所述第二 输出晶体管的控制端之间，所述滤波电容连接在所述第二输出晶体管的控制端和接地端之 间； 所述第二电阻和所述第二输出晶体管串联连接在参考电压输入端和接地端之间，从所 述第二电阻和所述第二输出晶体管的连接节点输出所述过温检测信号。
3. 根据权利要求2所述的过温检测电路，其特征在于，所述第一输出晶体管为PNP型双 极性晶体管。
4. 根据权利要求1所述的过温检测电路，其特征在于，所述过温检测信号输出电路包 括第一输出晶体管、滤波电路、第一电阻、第二输出晶体管和第二电阻； 所述滤波电路包括滤波电阻和滤波电容，所述滤波电阻连接在参考电压输入端和中间 端之间，所述滤波电容连接在所述中间端和接地端之间； 所述第一输出晶体管连接在所述中间端和接地端之间，所述第一输出晶体管的控制端 输入所述过温信号； 所述第一电阻连接在所述中间端和所述第二输出晶体管的控制端之间； 所述第二电阻和所述第二输出晶体管串联连接在参考电压输入端和接地端之间，从所 述第二电阻和所述第二输出晶体管的连接节点输出所述过温检测信号。
5. 根据权利要求4所述的过温检测电路，其特征在于，所述第一输出晶体管为NPN型双 极性晶体管。
6. 根据权利要求1所述的过温检测电路，其特征在于，所述过温比较电路包括过温比 较晶体管；所述过温比较晶体管的控制端输入所述过温检测阈值，所述过温比较电路基于 所述过温比较晶体管的导通和关断控制输出过温信号。
7. 根据权利要求6所述的过温检测电路，其特征在于，所述过温比较电路还包括第三 电阻和第四电阻；所述过温比较晶体管为NPN型双极性晶体管； 所述过温比较晶体管的发射极与接地端连接，所述第三电阻和第四电阻串联连接在参 考电压输入端和所述过温比较晶体管的集电极之间； 从所述第三电阻和所述第四电阻的连接节点输出所述过温信号。
8. 根据权利要求6所述的过温检测电路，其特征在于，所述过温比较电路还包括第三 电阻；所述过温比较晶体管为NPN型双极性晶体管； 所述过温比较晶体管的发射极与接地端连接，所述第三电阻连接在参考电压输入端和 所述过温比较晶体管的集电极之间； 从所述过温比较晶体管与所述第三电阻的连接节点输出所述过温信号。
9. 根据权利要求1所述的过温检测电路，其特征在于，所述阈值生成电路包括第一分 压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻和开关电路； 所述第一分压电阻、第二分压电阻和第三分压电阻串联连接在参考电压输入端和接地 端之间，所述开关电路与所述第三分压电阻并联，在未过温状态导通，在过温状态关断。
10. 根据权利要求1-9中任一项所述的过温检测电路，其特征在于，所述滤波电路的时 间常数大于过温检测恢复时间，所述过温检测恢复时间是所述过温比较电路在遇到干扰脉 冲后恢复到正常状态的时间。
【文档编号】H02H5/04GK203850820SQ201420289343
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2014年5月29日 优先权日:2014年5月29日
【发明者】程宇, 唐李明, 万汉亮 申请人:杭州士兰微电子股份有限公司