一种高精度过温保护电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种高精度过温保护电路，其包括顺次电性连接的带隙基准电路、阈值产生电路及迟滞比较器输出电路；所述带隙基准电路用于产生一个与温度无关的基准电压；所述阈值产生电路用于根据带隙基准电路产生的基准电压来产生两个阈值电压；所述迟滞比较器输出电路首先从阈值产生电路产生的两个阈值电压中选择一个阈值电压作为比较值，将两个NPN三极管基极发射极电压差之和作为另一比较值，通过两个比较值的比较结果来判断是否过温。
【专利说明】
-种高精度过溫保护电路
技术领域
[0001] 本发明设及电子技术领域，特别设及一种高精度过溫保护电路。
【背景技术】
[0002] 随着半导体集成电路技术的不断发展W及半导体工艺的进步，集成电路的集成度 越来越高，功耗也越来越大，从而使得忍片局部溫度过高，对忍片损坏较大。为使集成电路 忍片免受高溫的损坏，需要设计专口的过溫保护电路。溫度超过一定阔值时，过溫保护电路 输出关断信号，从而使忍片部分或完全停止工作。
[0003] 传统的过溫保护电路一般通过电压比较器来实现，通过调节电阻的阻值来实现热 关断、热开启W及迟滞量的调节。在不同的工艺条件下，电阻的阻值变化很大，且不同的电 源电压下，电阻上的电压也会随之改变，不同的工艺和电源电压时，电路的溫度阔值点和热 迟滞量将发生较大变化。运种过溫保护电路，同时受电阻W及正负溫度系数器件影响，影响 因素多，而且受工艺影响较大，不容易调节到精确的热关断溫度，无法实现高精度过溫保 护。
【发明内容】
[0004] 因此，针对上述的问题，本发明提出一种高精度过溫保护电路，该过溫保护电路通 过带隙基准电路产生一个与溫度无关的基准电压Vref;采用阔值产生电路产生两个阔值电 压;利用比较器比较所述两个阔值电压与两个NPN=极管基极发射极电压差之和，实现过溫 保护。该方法可W实现高精度过溫保护，保证电路的溫度阔值点和热迟滞量基本不受工艺 和电源电压变化的影响。
[0005] 为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案如下：
[0006] -种高精度过溫保护电路，包括顺次电性连接的带隙基准电路、阔值产生电路及 迟滞比较器输出电路;所述带隙基准电路用于产生一个与溫度无关的基准电压;所述阔值 产生电路用于根据带隙基准电路产生的基准电压来产生两个阔值电压;所述迟滞比较器输 出电路首先从阔值产生电路产生的两个阔值电压中选择一个阔值电压作为比较值，将两个 NPNS极管基极发射极电压差之和作为另一比较值，通过两个比较值的比较结果来判断是 否过溫。两个NPN立极管基极发射极电压差之和为整个电路溫度检测对应的电压，迟滞比较 器输出电路从阔值产生电路产生的两个阔值电压中选择出的一个阔值电压是由基准电压 得到的一个参照电压，两者比较来判断是否过溫，避免电路的溫度阔值点和热迟滞量受工 艺和电源电压变化的影响。
[0007] 其中，作为一种简单可行的方案，所述迟滞比较器输出电路包括比较器和传输口， 阔值产生电路产生的两个阔值电压通过传输口的开启与关断选择一阔值电压作为所述比 较器的负极输入端，两个NPNS极管串联后，连接于所述比较器的正极输入端，利用S极管 基极与发射极两端电压差的负溫特性检测电路溫度变化，并将溫度转化为与之对应的电压 信号。
[000引作为一个优选的方案，所述带隙基准电路包括电源电压VDD、PM0S管MP1、PM0S管 MP2、第一运算放大器OPl、第一电阻Rl、第二电阻R2、第S电阻R3、第一NPNS极管QNl、第二 NPNS极管QN2及接地端GND;所述PMOS管MPl的源极与PMOS管MP2的源极及电源电压VDD连 接;所述PMOS管MPl的栅极与第一运算放大器OPl的输出端及PMOS管MP2的栅极连接;所述 PMOS管MPl的漏极与第一电阻Rl的输入端连接;所述第一电阻Rl的输出端与第一运算放大 器OPl的负极输入端W及第一 NPNS极管QNl集电极和基极连接;所述第一 NPNS极管QNl的 发射极与第二NPNS极管QN2的发射极连接，并接地;所述PMOS管MP2的源极与PMOS管MPl的 源极及电源电压VDD连接;所述PMOS管MP2的栅极与第一运算放大器OPl的输出端及PMOS管 MPl的栅极连接;所述PMOS管MP2的漏极与第二电阻R2的输入端连接;所述第二电阻R2的输 出端与第一运算放大器OPl的正极输入端W及第S电阻R3的输入端连接;所述第S电阻R3 的输出端与第二NPN立极管QN2集电极和基极连接;所述第二NPN立极管QN2的发射极与第一 NPN立极管QNl的发射极连接，并接地。
[0009] 所述阔值产生电路包括第二运算放大器0P2、第四电阻R4、第五电阻R5及第六电阻 R6;所述第二运算放大器0P2的正极输入端与所述PMOS管MP2的漏极W及第二电阻R2的输入 端连接，连接点为d;所述第二运算放大器0P2的负极输入端与其输出端连接，构成一个单位 增益缓冲器;所述第二运算放大器0P2的输出端与第四电阻R4的输入端连接;所述第四电阻 R 4的输出端与第五电阻R 5的输入端连接；第五电阻R 5的输出端与第六电阻R 6的输入端连 接;第六电阻R6的输出端与第一 NPN立极管QNl的发射极W及第二NPN立极管QN2的发射极连 接，并接地。
[0010] 所述迟滞比较器输出电路包括第一传输口 TGl、第二传输口 TG2、PMOS管MP3、第S NPN立极管QN3、第四NPN立极管QN4、比较器COMP、第一反相器INVl、第二反相器INV2、第S反 相器INV3及输出电压Vo化;所述第一传输口 TGl的输入端与第四电阻R4的输出端W及第五 电阻R5的输入端连接，连接点为f;所述第一传输口 TGl的输出端与第二传输口 TG2的输出端 W及比较器COMP的负极输入端连接;所述第一传输口 TGl的PMOS控制端窃与第二反相器 INV2的输出端W及第S反相器INV3的输入端连接，连接点为k;所述第一传输口 TGl的NMOS 控制端Cl与第一反相器INVl的输出端W及第二反相器INV2的输入端连接，连接点为j;所述 第二传输口 TG2的输入端与第五电阻R5的输出端W及第六电阻R6的输入端连接，连接点为 g;所述第二传输口 TG2的输出端与第一传输口 TGl的输出端W及比较器COMP的负极输入端 连接;所述第二传输口 TG2的PMOS控制端巧与第一反相器INVl的输出端W及第二反相器 INV2的输入端连接，连接点为j ;所述第二传输口 TG2的醒OS控制端C1与第二反相器INV2的 输出端W及第S反相器INV3的输入端连接，连接点为k;所述PMOS管MP3的源极与PMOS管MPl 的源极、PMOS管MP2的源极W及电源电压VDD连接;所述PMOS管MP3的栅极与PMOS管MP1的栅 极、第一运算放大器OP1的输出端W及PMOS管MP2的栅极连接;所述PMOS管MP3的漏极与第S NPN立极管QN3集电极和基极W及比较器COMP的正极输入端连接;所述第SNPN立极管QN3的 发射极与第四NPN立极管QN4集电极和基极连接，所述第四NPN立极管QN4的发射极与第六电 阻R6的输出端、第一 NPN立极管QNl的发射极W及第二NPN立极管QN2的发射极连接，并接地； 所述比较器COMP的输出端连接第一反相器INVl的输入端;所述第一反相器INVl的输出端连 接第二反相器INV2的输入端;第二反相器INV2的输出端连接第S反相器INV3的输入端;第 S反相器INV3的输出端连接输出电压Votp。
[0011] 作为优选方式，所述第一 NPN立极管QNl、第二NPN立极管QN2、第SNPNS极管QN3和 第四NPN立极管QN4的基极、发射极电压差为负溫度系数，即其随着绝对溫度上升，电压绝对 值减小。
[001^ 作为优选方式，所述PMOS管MPUPMOS管MP2的宽长比相等，设定PMOS管M化的宽长 比为（Wzl)MPn，则（W/L)MP1=(W/L)MP2。
[0013] 本发明采用上述方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：
[0014] 本发明通过合理设计带隙基准电路，得到与溫度无关的基准电压Vref,并且该基准 电压不受电源电压变化、正负溫度系数器件及工艺影响。
[0015] 本发明利用一个阔值可调的高精度迟滞比较器，通过带隙基准电路得到基准电压 Vref，并产生两个与溫度无关的基准电压Vg及Vf，分别接入两个传输口的输入端，通过两个传 输口选择输出其中一个电压信号化作为比较器的负极输入端，且采用具有负溫特性的两个 =极管基极与发射极电压差之和Vi作为比较器的正极输入端，通过比较电压信号Vh和两个 =极管基极与发射极电压差之和Vi,实现过溫保护，该电路的溫度阔值点和热迟滞量基本 不受工艺和电源电压变化的影响，精度高。
[0016] 本发明所采用的技术方案简单，成本低廉，易于大规模应用，具有很好的实用性。
【附图说明】
[0017] 图1为本发明一种高精度过溫保护电路的电路原理图。
【具体实施方式】
[0018] 现结合附图和【具体实施方式】对本发明进一步说明。
[0019] 参见图1，本发明的一种高精度过溫保护电路，包括带隙基准电路100、阔值产生电 路200及迟滞比较器输出电路300;所述带隙基准电路100、阔值产生电路200及迟滞比较器 输出电路300顺次电性连接;所述带隙基准电路100用于产生一个与溫度无关的基准电压 Vref;所述阔值产生电路用于产生两个阔值电压(Vg和Vf);所述迟滞比较器输出电路通过采 用比较器比较所述两个阔值电压与两个NPNS极管基极发射极电压差之和，实现过溫保护。 其中，所述两个阔值电压通过传输口的开启与关断选择一阔值电压化作为所述比较器的负 极输入端;所述两个NPN立极管串联并连接于所述比较器的正极输入端，利用S极管基极与 发射极两端电压差的负溫特性检测电路溫度变化，并将溫度转化为与之对应的电压信号 Vio
[0020] 作为一个具体的实施例，参见图1，所述带隙基准电路100包括电源电压VDD、PM0S 管MPUPMOS管MP2、第一运算放大器OPl、第一电阻RU第二电阻R2、第S电阻R3、第一 NPNS 极管QNl、第二NPNS极管QN2及接地端GND;所述PMOS管MPl的源极与PMOS管MP2的源极及电 源电压VDD连接;所述PMOS管MPl的栅极与第一运算放大器OPl的输出端及PMOS管MP2的栅极 连接;所述PMOS管MPl的漏极与第一电阻Rl的输入端连接;所述第一电阻Rl的输出端与第一 运算放大器OPl的负极输入端W及第一 NPN立极管QNl集电极和基极连接;所述第一 NPN立极 管QNl的发射极与第二NPN立极管QN2的发射极连接，并接地;所述PMOS管MP2的源极与PMOS 管MPl的源极及电源电压VDD连接;所述PMOS管MP2的栅极与第一运算放大器OPl的输出端及 PMOS管MPI的栅极连接;所述PMOS管MP2的漏极与第二电阻R2的输入端连接;所述第二电阻 R2的输出端与第一运算放大器OPl的正极输入端W及第S电阻R3的输入端连接;所述第S 电阻R3的输出端与第二NPN立极管QN2集电极和基极连接;所述第二NPN立极管QN2的发射极 与第一 NPN立极管QNl的发射极连接，并接地。
[0021] 所述阔值产生电路200包括第二运算放大器0P2、第四电阻R4、第五电阻R5及第六 电阻R6;所述第二运算放大器0P2的正极输入端与所述PMOS管MP2的漏极W及第二电阻R2的 输入端连接，连接点为d;所述第二运算放大器0P2的负极输入端与其输出端连接，构成一个 单位增益缓冲器;所述第二运算放大器0P2的输出端与第四电阻R4的输入端连接;所述第四 电阻R 4的输出端与第五电阻R 5的输入端连接;第五电阻R 5的输出端与第六电阻R 6的输入端 连接;第六电阻R6的输出端与第一 NPNS极管QNl的发射极W及第二NPN立极管QN2的发射极 连接，并接地。
[0022 ]所述迟滞比较器输出电路300包括第一传输口 TGl、第二传输口 TG2、PMOS管MP3、第 SNPNS极管QN3、第四NPN立极管QN4、比较器COMP、第一反相器INVl、第二反相器INV2、第S 反相器INV3及输出电压Votp;所述第一传输口 TGl的输入端与第四电阻R4的输出端W及第五 电阻R5的输入端连接，连接点为f;所述第一传输口 TGl的输出端与第二传输口 TG2的输出端 W及比较器COMP的负极输入端连接;所述第一传输口 TGl的PMOS控制端巧与第二反相器 INV2的输出端W及第S反相器INV3的输入端连接，连接点为k;所述第一传输口 TGl的NMOS 控制端Cl与第一反相器INVl的输出端W及第二反相器INV2的输入端连接，连接点为j;所述 第二传输口 TG2的输入端与第五电阻R5的输出端W及第六电阻R6的输入端连接，连接点为 g;所述第二传输口 TG2的输出端与第一传输口 TGl的输出端W及比较器COMP的负极输入端 连接;所述第二传输口 TG2的PMOS控制端巧与第一反相器INVl的输出端W及第二反相器 INV2的输入端连接，连接点为j ;所述第二传输口 TG2的醒OS控制端C1与第二反相器INV2的 输出端W及第S反相器INV3的输入端连接，连接点为k;所述PMOS管MP3的源极与PMOS管MPl 的源极、PMOS管MP2的源极W及电源电压VDD连接;所述PMOS管MP3的栅极与PMOS管MP1的栅 极、第一运算放大器OP1的输出端W及PMOS管MP2的栅极连接;所述PMOS管MP3的漏极与第S NPN立极管QN3集电极和基极W及比较器COMP的正极输入端连接;所述第SNPN立极管QN3的 发射极与第四NPN立极管QN4集电极和基极连接，所述第四NPN立极管QN4的发射极与第六电 阻R6的输出端、第一 NPN立极管QNl的发射极W及第二NPN立极管QN2的发射极连接，并接地； 所述比较器COMP的输出端连接第一反相器INVl的输入端;所述第一反相器INVl的输出端连 接第二反相器INV2的输入端;第二反相器INV2的输出端连接第S反相器INV3的输入端;第 S反相器INV3的输出端连接输出电压Votp;
[0023] 作为优选方式，所述第一 NPN立极管QNl、第二NPN立极管QN2、第SNPNS极管QN3和 第四NPN立极管QN4的基极、发射极电压差为负溫度系数，即其随着绝对溫度上升，电压绝对 值减小。
[0024] 作为优选方式，所述PMOS管MPUPMOS管MP2的宽长比相等，设定PMOS管M化的宽长 比为（Wzl)MPn，则（W/L)MP1=(W/L)MP2。
[0025] 为了产生一个与溫度无关且不受电源电压变化、正负溫度系数器件及工艺影响的 基准电压Vref,本发明通过合理设计带隙基准电路，可得到一个与溫度无关且不受电源电压 变化、正负溫度系数器件及工艺影响的基准电压ref,具体说明如下：
[0026] 假设第一 NPNS极管QNl和第二NPNS极管QN2的发射区面积比Aei:Ae2 = 1:N(N为大 于1的正整数），MP1和MP2的宽长比相等，即（W/L)mpi = (W/L)mp2;
[0027] 本发明所述的运算放大器OPl的作用是调节PMOS管的栅极电压V。确保节点Va和节 点化相等，则
[002引
[0029] 式中，￥8￡是立极管NPN的基极与发射极电压差，Vbe功第一立极管QNl的基极与发射 极电压差，VBE2为第二S极管QN2的基极与发射极电压差，VT = kT/q为热电压，k为玻尔兹曼 常数，q为电荷量；Iqi, Iq2分别为流过NPN管QNl和QN2的集电极电流，Isi, Is2分别为QNl和QN2 的集电极饱和电流。
[0030] 由于QNl和QN2的发射区面积比Aei:Ae2=1:N(N为大于1的正整数），则
[0031] Isi: Is2 = Aei：Ae2 = 1 :N(2)
[0032] 由于MPl和MP2的宽长比相等，且工作在饱和区，则
[0033] Iqi：Iq2=1:1(3)
[0034] 将式子(2) (3)代入到（1)中，可得 [003引 Vrs = VtIdN,则
[0036]
，因此可W得到基准电压
[0037] Vref = Vd = Vbe2+Iq2* (R2+R3) = Vbe2+ (1+R2/R3) *VxlnN
[0038] 从上式可知，由于Vbe2(=极管基极和发射极电压差，随溫度上升会降低)呈负溫特 性，而热电压Vt呈正溫特性，本发明通过调节电阻R2和R3的比值及S极管QNl和QN2的发射 极面积比即可得到与溫度无关的基准电压Vref,并且该基准电压也不受电源电压变化影响。
[0039] 为了提供两个受电源电压和溫度及工艺影响较小的电压阔值点，分别作为热关断 和热开启时对应的翻转电平，满足对溫度翻转点的精确检测，实现精确热关断与开启阔值 的设置，作为一个具体方案，本发明采用第二运算放大器0P2的输出端与负输入端相连，构 成一个单位增益缓冲器，所述第二运算放大器0P2的正极输入端连接基准电压Vref,则运放 输出端输出电压Ve等于Vref,接着，通过第二运算放大器0P2的输出端连接S个具体有同种 类型的电阻34、1?5、1?6，利用电阻1?4、1?5、1?6分压后产生的两个阔值电压￥:、￥8输出给比较器 C0MP，作为比较器COMP负极输入端的两个阔值输入点。通过调整电阻R4、R5、R6的阻值比例 即可得到不同的阔值电压，实现精确热关断与开启阔值的设置。根据电路设计可得电压Vf、 Vg，如下式所示：
[0040]
[0041]
[00创由上式可知，Vf、Vg大小只和基准电压VrefW及R4、R5、R6的电阻比例有关，不受电源 电压、溫度W及工艺的影响。
[0043]为了实现精确过溫保护，作为一个具体方案，本发明利用阔值产生电路已设置好 的两个阔值电压Vf和Vg，通过两个传输口选择输出其中一个电压信号Vh作为比较器的负极 输入端，且采用具有负溫特性的两个=极管基极与发射极电压差之和Vi作为比较器的正极 输入端，通过比较电压信号Vh和两个=极管基极与发射极电压差之和Vi,实现过溫保护，该 电路的溫度阔值点和热迟滞量基本不受工艺和电源电压变化的影响，精度高。
[0044] 具体工作原理如下；
[0045] 参见图1，本发明利用=极管基极发射极两端电压差的负溫特性，通过第==极管 QN3和第四S极管QM作为溫度传感器检测溫度变化，并将溫度转化为与之对应的电压信号 Vi (Vi = VBE3+VBE4)，并接入比较器COMP的正极输入端。热关断阔值点电压Vf和热开启阔值点 电压Vg作为二选一传输口的两个输入端，接入比较器COMP的负极输入端。
[0046] 当溫度正常时，溫度传感器输出电压Vi>Vf>Vg，因此，比较器输出高电平，再经过 第一反相器INVl输出低电平Vj和第二反相器INV2输出高电平Vk,则传输口 TGl关断，TG2开 启，此时比较器COMP的负极输入端输入电压Vg，第=反相器INV3输出Votp维持低电平。
[0047] 随着溫度的升高，S极管的基极与发射极电压差下降，Vi随之下降，当Vg<Vi<Vf 时，由于此时化= Vg,比较器输出不会发生变化，随着溫度的进一步升高，当Vi下降至Vi<Vg 时，比较器发生翻转，此时传输口 TGl开启，TG2关断，Vh = Vf，Votp输出高电平，实现过溫保护。 此时Vg即为过溫翻转点。
[0048] 当溫度从过溫状态下降时，=极管的基极与发射极电压差上升，Vi随之增大，当Vg <Vi<Vf时，由于此时化=Vf，比较器输出不会发生变化。随着溫度的进一步减小，当Vi增加 至Vi > Vf时，比较器翻转，此时传输口 TG1关断，TG2开启，Vi = Vf，V。化输出低电平，解除过溫 保护。此时Vf即为解除过溫保护翻转点。
[0049] 综上，Vg和Vf分别是过溫翻转点和解除过溫保护翻转点，其差值(Vg-Vf)的大小决 定了热迟滞量。
[0050] 所W，W上分析表明，该过溫保护电路具有很高的精度，对于电源电压的变化引起 阔值点漂移和迟滞量的变化具有很强的抑制作用。由于电路的热关断点和热开启点的电压 通过同种类型的电阻对基准电压Vref分压得到，对于因电阻工艺的偏差造成的误差具有一 定的抑制能力。而且电路的阔值点溫度可W根据要求灵活调节，实用性强，可集成于各种电 路。
[0051] 尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本发明，但所属领域的技术人员应该明 白，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内，在形式上和细节上可W对 本发明做出各种变化，均为本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种高精度过溫保护电路，其特征在于:包括顺次电性连接的带隙基准电路、阔值产 生电路及迟滞比较器输出电路;所述带隙基准电路用于产生一个与溫度无关的基准电压； 所述阔值产生电路用于根据带隙基准电路产生的基准电压来产生两个阔值电压;所述迟滞 比较器输出电路首先从阔值产生电路产生的两个阔值电压中选择一个阔值电压作为比较 值，将两个ΝΡΝΞ极管基极发射极电压差之和作为另一比较值，通过两个比较值的比较结果 来判断是否过溫。2. 根据权利要求1所述的一种高精度过溫保护电路，其特征在于:所述迟滞比较器输出 电路包括比较器和传输口，阔值产生电路产生的两个阔值电压通过传输口的开启与关断选 择一阔值电压作为所述比较器的负极输入端，两个ΝΡΝΞ极管串联后，连接于所述比较器的 正极输入端，利用Ξ极管基极与发射极两端电压差的负溫特性检测电路溫度变化，并将溫 度转化为与之对应的电压信号。3. 根据权利要求1或2所述的一种高精度过溫保护电路，其特征在于:所述带隙基准电 路包括电源电压VDD、PMOS管MP1、PMOS管MP2、第一运算放大器0P1、第一电阻R1、第二电阻 R2、第Ξ电阻R3、第一ΝΡΝΞ极管QN1、第二ΝΡΝΞ极管QN2及接地端GND;所述PMOS管MP1的源 极与PMOS管MP2的源极及电源电压VDD连接;所述PMOS管MP1的栅极与第一运算放大器0P1的 输出端及PMOS管MP2的栅极连接;所述PMOS管MP1的漏极与第一电阻R1的输入端连接;所述 第一电阻R1的输出端与第一运算放大器0P1的负极输入端W及第一 ΝΡΝΞ极管QN1集电极和 基极连接;所述第一 ΝΡΝΞ极管QN1的发射极与第二ΝΡΝΞ极管QN2的发射极连接，并接地;所 述PMOS管MP2的源极与PMOS管MP1的源极及电源电压VDD连接;所述PMOS管MP2的栅极与第一 运算放大器0P1的输出端及PMOS管MP1的栅极连接;所述PMOS管MP2的漏极与第二电阻R2的 输入端连接;所述第二电阻R2的输出端与第一运算放大器0P1的正极输入端W及第Ξ电阻 R3的输入端连接;所述第Ξ电阻R3的输出端与第二ΝΡΝΞ极管QN2集电极和基极连接;所述 第二ΝΡΝΞ极管QN2的发射极与第一 ΝΡΝΞ极管QN1的发射极连接，并接地。4. 根据权利要求3所述的一种高精度过溫保护电路，其特征在于:所述阔值产生电路包 括第二运算放大器0P2、第四电阻R4、第五电阻R5及第六电阻R6;所述第二运算放大器0P2的 正极输入端与所述PMOS管MP2的漏极W及第二电阻R2的输入端连接，连接点为d;所述第二 运算放大器0P2的负极输入端与其输出端连接，构成一个单位增益缓冲器;所述第二运算放 大器0P2的输出端与第四电阻R4的输入端连接;所述第四电阻R4的输出端与第五电阻R5的 输入端连接;第五电阻R5的输出端与第六电阻R6的输入端连接;第六电阻R6的输出端与第 一 ΝΡΝΞ极管QN1的发射极W及第二ΝΡΝΞ极管QN2的发射极连接，并接地。5. 根据权利要求3所述的一种高精度过溫保护电路，其特征在于:所述迟滞比较器输出 电路包括第一传输口 TG1、第二传输口 TG2、PM0S管MP3、第ΞΝΡΝΞ极管QN3、第四ΝΡΝΞ极管 QN4、比较器COMP、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第Ξ反相器INV3及输出电压Vo化;所 述第一传输口 TG1的输入端与第四电阻R4的输出端W及第五电阻R5的输入端连接，连接点 为f;所述第一传输口 TG1的输出端与第二传输口 TG2的输出端W及比较器COMP的负极输入 端连接;所述第一传输口TG1的PMOS控制端巧与第二反相器INV2的输出端W及第Ξ反相器 INV3的输入端连接，连接点为k;所述第一传输口 TG1的醒0S控制端C1与第一反相器INV1的 输出端W及第二反相器INV2的输入端连接，连接点为j ;所述第二传输口 TG2的输入端与第 五电阻R5的输出端W及第六电阻R6的输入端连接，连接点为g;所述第二传输口 TG2的输出 端与第一传输口 TG1的输出端W及比较器COMP的负极输入端连接;所述第二传输口 TG2的 PM0S控制端5?与第一反相器INV1的输出端W及第二反相器INV2的输入端连接，连接点为 j;所述第二传输口 TG2的NM0S控制端C1与第二反相器INV2的输出端W及第Ξ反相器INV3的 输入端连接，连接点为k;所述PM0S管MP3的源极与PM0S管MP1的源极、PM0S管MP2的源极W及 电源电压V孤连接;所述PM0S管MP3的栅极与PM0S管MP1的栅极、第一运算放大器0P1的输出 端W及PM0S管MP2的栅极连接;所述PM0S管MP3的漏极与第ΞΝΡΝΞ极管QN3集电极和基极W 及比较器COMP的正极输入端连接;所述第ΞΝΡΝΞ极管QN3的发射极与第四ΝΡΝΞ极管QN4集 电极和基极连接，所述第四ΝΡΝΞ极管QN4的发射极与第六电阻R6的输出端、第一 ΝΡΝΞ极管 QN1的发射极W及第二ΝΡΝΞ极管QN2的发射极连接，并接地;所述比较器COMP的输出端连接 第一反相器INV1的输入端;所述第一反相器INV1的输出端连接第二反相器INV2的输入端； 第二反相器INV2的输出端连接第Ξ反相器INV3的输入端;第Ξ反相器INV3的输出端连接输 出电压Votp。6. 根据权利要求3所述的一种高精度过溫保护电路，其特征在于:所述第一 ΝΡΝΞ极管 QN1、第二ΝΡΝΞ极管QN2、第ΞΝΡΝΞ极管QN3和第四ΝΡΝΞ极管QM的基极、发射极电压差为 负溫度系数，即其随着绝对溫度上升，电压绝对值减小。7. 根据权利要求3所述的一种高精度过溫保护电路，其特征在于:所述PM0S管MPUPM0S 管MP2的宽长比相等，设定PM0S管Μ化的宽长比为(W/L) MPn，则(W/L) MP1 = (W/L) MP2。
【文档编号】H02H5/04GK105846397SQ201610177345
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年3月25日
【发明人】廖建平, 林桂江, 杨瑞聪, 杨凤炳, 刘玉山, 任连峰, 沈滨旭
【申请人】厦门新页微电子技术有限公司