一种mosfet管防反接电路的制作方法
【专利摘要】一种MOSFET管防反接电路，利用MOS管的开关特性和低导通电阻特性，可克服使用二极管的常规防反电路所带来的压降以及功率损耗较大的缺陷，对减少电源接反时给负载所带来的损害有很好的效果。
【专利说明】一种MOSFET管防反接电路
【技术领域】
[0001]本实用新型为一种MOSFET管防反接电路，具体涉及为基本电子电路领域。
【背景技术】
[0002]电子产品实际应用中，电源正负极接反时，会产生极大的电流，使后级负载元器件全部烧毁，所以需要防反接保护电路。传统的保护电路使用二极管，但是二极管存在压降太大，功率损耗严重的问题，所以现在需要一种新的压降小、功耗小的防反接电路。
【发明内容】
[0003]本发明克服了使用二极管防反时带来压降以及功率损耗较大的问题，这种防反接保护电路很好的利用了 MOSFET的导通和关断能力，防止电源反接的给负载带来损害。
[0004]所述的MOS管为P沟道M0SFET，漏D极直接与电源输入端相连，源S极直接与电源输出端相连，栅G极直接与两颗分压电阻的公共端相连，分压电阻一端接地，一端接输出。
[0005]图1为MOSFET防反接电路原理图，P沟道的MOSFET，Rl和R2为两个分压电阻。当电源正常接入时，MOS管的GS间电压为负，MOS管导通，电路正常工作。而当电源反接时，MOS管的GS间电压为正，此时MOS关断，从而避免了后级负载烧坏。
[0006]而且MOSFET导通电阻相当小，属于毫欧级，所以其压降和功耗也会较二极管小很多。
[0007]该电路设计简单，成本较低，功率损耗较小，同时配置灵活，可以根据实际应用需要选择MOSFET管以及分压电阻。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是MOSFET防反接电路的原理图。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图1详细说明本实用新型的【具体实施方式】。
[0010]当电源正常接入时，MOS管的GS间电压为负，MOS管导通，电路正常工作。而当电源反接时，MOS管的GS间电压为正，此时MOS关断，从而避免了后级负载烧坏。
【权利要求】
1.一种MOSFET管防反接电路，其特征在于:所述的MOS管为P沟道M0SFET，漏D极直接与电源输入端相连，源S极直接与电源输出端相连，栅G极直接与两颗分压电阻的公共端相连，分压电阻一端接地，一端接输出。
【文档编号】H02H11/00GK204156524SQ201420463220
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年8月18日 优先权日:2014年8月18日
【发明者】周厚明, 程峰 申请人:武汉迈威光电技术有限公司