一种光模块APD保护电路的制作方法

技术特征：

1.一种光模块APD保护电路，光模块APD连接在APD偏压输出端与地之间；保护电路连接在APD偏压输出端与地之间，构成与APD并联的分流电路，包括检测APD偏压的快速检测电路和由所述的快速检测电路触发的快速降压分流电路；其特征在于：所述的快速降压分流电路包括NMOS管Q1和电阻R；所述的NMOS管Q1的漏极通过电阻R接APD偏压输出端，源极接地，栅极接所述的快速检测电路的触发信号输出端。

2.根据权利要求1所述的光模块APD保护电路，其特征在于：所述的快速检测电路包括PMOS管Q2、电阻R3、电阻R0；所述电阻R3连接在APD偏压输出端与APD阴极之间，所述的PMOS管Q2的源极和栅极分别与所述电阻R3两端相连，所述的PMOS管Q2的漏极通过电阻R0接地，所述的PMOS管Q2的漏极形成触发的快速降压分流电路的触发信号输出端。

3.根据权利要求2所述的光模块APD保护电路，其特征在于：电阻R3的阻值范围在1K至2K之间，电阻R0的阻值在300-500欧姆之间，电阻R在50-100欧姆之间。

4.根据权利要求1所述的光模块APD保护电路，其特征在于：所述的快速检测电路比较器U1、电阻R3、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8；所述电阻R3连接在APD偏压输出端与APD阴极之间，电阻R5和电阻R6串连连接在APD偏压输出端与地之间并与R3一端相连，电阻R7和电阻R8串连连接在APD阴极与地之间并与R3另一端相连，电阻R5和电阻R6的连接点接比较器U1的同相输入端，电阻R7和电阻R8的连接点接比较器U1的异相输入端；比较器U1的输出端形成触发的快速降压分流电路的触发信号输出端。

5.根据权利要求1所述的光模块APD保护电路，其特征在于：电阻R3的取值范围是5K-10K，电阻R的取值范围50-100欧姆，电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8的阻值满足下式：

$\frac{R_6}{R_5+R_6}{V}_{APD}=\frac{(V_{APD}-I_{{\mathrm{APD}}_{LIMIT}}{R}_3)R_8}{R_7+R_8}---\left(1\right)$

$\frac{R_6}{R_5+R_6}\<U{1}_{+MAX}---\left(2\right)$

$\frac{R_8}{R_7+R_8}\<U{1}_{-MAX}---\left(3\right)$

式中：R₃、R₅、R₆、R₇、R₈分别是电阻R3、电阻R5、电阻R6和电阻R7的阻值，V_APD是APD的偏压，是设定的APD限流值，U1_+MAX和U1_-MAX分别是是比较器同相端输入限压值和比较器反向端输入限压值。

6.根据权利要求1至5中任一所述的光模块APD保护电路，其特征在于：还包括电阻R2，所述的电阻R2串连在APD阴极上。

7.根据权利要求6所述的光模块APD保护电路，其特征在于：APD电流限值在1-2mA之间。