本实用新型涉及一种变频器，尤其涉及一种防反接直流无刷压缩机变频器。
背景技术：
现有的低压直流供电用压缩机系统，压缩机内的电机采用永磁同步电机，通过变频驱动器的进行转速控制。驱动器输入为直流电，而一般此类驱动器不具备防反接功能，当驱动器输入端正负极接错时，会造成驱动器的损坏。
技术实现要素：
为了解决上述技术问题，本实用新型的目的提供一种结构简单的防反接直流无刷压缩机变频器。
本实用新型所采取的技术方案是：
一种防反接直流无刷压缩机变频器，包括微处理器、防反接电路、稳压电路、升压电路、三相桥电路、三相桥上桥驱动电路、电压检测电路、晶振、电流检测电路和通讯接口，所述防反接电路的输出端与稳压电路的输入端连接，所述稳压电路的第一输出端通过电压检测电路进而与微处理器的第一输入端连接，所述稳压电路的第二输出端通过升压电路进而与三相桥电路的第一输入端连接，所述三相桥电路的第一输出端通过电流检测电路进而与微处理器的第二输入端连接，所述微处理器的第一输出端通过三相桥上桥驱动电路进而与三相桥电路的第二输入端连接，所述微处理器的第二输出端与三相桥电路的第三输入端连接，所述微处理器分别与通讯接口和晶振相连接。
作为本实用新型的进一步改进，所述微处理器还连接有复位/下载模块。
作为本实用新型的进一步改进，所述微处理器的第三输出端连接有外部风扇控制电路。
作为本实用新型的进一步改进，所述微处理器的第四输出端连接有故障LED指示灯电路。
作为本实用新型的进一步改进，所述微处理器的第五输出端连接有转速调整电路。
作为本实用新型的进一步改进，所述防反接电路包括第一电阻、第一稳压管和第一NMOS管，所述第一电阻的第一端分别与电源正极端和稳压电路的正极输入端相连接，所述第一电阻的第二端分别与第一稳压管的阴极端和第一NMOS管的栅极相连接，所述第一NMOS管的漏极与电源负极端连接，所述第一NMOS管的源极与稳压电路的负极输入端连接。
作为本实用新型的进一步改进，所述微处理器的第三输入端连接有电机过流硬件保护电路，所述电机过流硬件保护电路的输入端与电流检测电路的输出端连接。
作为本实用新型的进一步改进，所述电机过流硬件保护电路包括感温电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容和第一晶体管，所述感温电阻的第一端与直流电压端，所述第二电阻与第一电容并联后连接在感温电阻和地之间，所述感温电阻的第二端连接至微处理器，所述第一晶体管的集电极通过第三电阻连接至直流电压端，所述第一晶体管的集电极通过第五电阻连接至微处理器，所述第一晶体管的基极通过第四电阻连接至电流检测电路的输出端，所述第一晶体管的基极通过第二电容连接至第一晶体管的发射极，所述第一晶体管的发射极与地连接。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型一种防反接直流无刷压缩机变频器能在电源正负极接错时通过防反接电路防止电路导通，从而能有效避免电路因电源反接而导致设备损坏的情况。进一步，本实用新型通过电机过流硬件保护电路能在电流过大时发出信号至微处理器，从而停止驱动电机运行，保护电机设备，有效提高安全性。
附图说明
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明：
图1是本实用新型一种防反接直流无刷压缩机变频器的原理方框图；
图2是本实用新型一种防反接直流无刷压缩机变频器中防反接电路的电路原理图；
图3是本实用新型一种防反接直流无刷压缩机变频器中电机过流硬件保护电路的电路原理图。
具体实施方式
参考图1，本实用新型一种防反接直流无刷压缩机变频器，包括微处理器、防反接电路、稳压电路、升压电路、三相桥电路、三相桥上桥驱动电路、电压检测电路、晶振、电流检测电路和通讯接口，所述防反接电路的输出端与稳压电路的输入端连接，所述稳压电路的第一输出端通过电压检测电路进而与微处理器的第一输入端连接，所述稳压电路的第二输出端通过升压电路进而与三相桥电路的第一输入端连接，所述三相桥电路的第一输出端通过电流检测电路进而与微处理器的第二输入端连接，所述微处理器的第一输出端通过三相桥上桥驱动电路进而与三相桥电路的第二输入端连接，所述微处理器的第二输出端与三相桥电路的第三输入端连接，所述微处理器分别与通讯接口和晶振相连接。
进一步作为优选的实施方式，所述微处理器还连接有复位/下载模块。
进一步作为优选的实施方式，所述微处理器的第三输出端连接有外部风扇控制电路。
进一步作为优选的实施方式，所述微处理器的第四输出端连接有故障LED指示灯电路。当出现故障时，微处理器控制故障LED指示灯电路中的LED指示灯亮起，提示设备发生故障。
进一步作为优选的实施方式，所述微处理器的第五输出端连接有转速调整电路。
参考图2，进一步作为优选的实施方式，所述防反接电路包括第一电阻R1、第一稳压管ZD1和第一NMOS管Q1，所述第一电阻R1的第一端分别与电源正极端和稳压电路的正极输入端相连接，所述第一电阻R1的第二端分别与第一稳压管ZD1的阴极端和第一NMOS管Q1的栅极相连接，所述第一NMOS管Q1的漏极与电源负极端连接，所述第一NMOS管Q1的源极与稳压电路的负极输入端连接。
其中，电源正接时，首先通过第一NMOS管Q1体内二极管导通，由第一电阻R1和第一稳压管ZD1产生第一NMOS管Q1的栅极电压驱动场效应管导通，由于第一NMOS管Q1具有双向导通的能力，第一NMOS管Q1的电流流向与常用方法相反，第一NMOS管Q1直接短路体内二极管，电路压降由第一NMOS管Q1的内阻决定，损耗远比二极管小；当电源反接时，由于第一NMOS管Q1体内二极管反接不导通，第一电阻R1和第一稳压管ZD1无法产生电压驱动第一NMOS管Q1，第一NMOS管Q1维持关闭状态，电路不导通，起到反接保护作用。
进一步作为优选的实施方式，所述微处理器的第三输入端连接有电机过流硬件保护电路，所述电机过流硬件保护电路的输入端与电流检测电路的输出端连接。
参考图3，进一步作为优选的实施方式，所述电机过流硬件保护电路包括感温电阻RT、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一电容C1、第二电容C2和第一晶体管T1，所述感温电阻RT的第一端与直流电压端，所述第二电阻R2与第一电容C1并联后连接在感温电阻RT和地之间，所述感温电阻RT的第二端连接至微处理器，所述第一晶体管T1的集电极通过第三电阻R3连接至直流电压端，所述第一晶体管T1的集电极通过第五电阻R5连接至微处理器，所述第一晶体管T1的基极通过第四电阻R4连接至电流检测电路的输出端，所述第一晶体管T1的基极通过第二电容C2连接至第一晶体管T1的发射极，所述第一晶体管T1的发射极与地连接。
其中，本实施例中，所述第一晶体管T1为NPN晶体管，所述直流电压端为5V，OVP端为电机电流输入端，即电流检测电路的输出端。电机电流增大时，OVP电压升高，当OVP电压大于0.7V时，第一晶体管T1导通，在MCES端产生下降沿信号，微处理器的驱动信号立刻停止。所述第二电容C2作用为过滤OVP端的毛刺信号。
本实用新型实施例中，三相桥电路由三组PMOS管和NMOS管组成，三组PMOS管组成上桥，三组NMOS管组成下桥。本实用新型通电后，电源从而防反接电路输入，若电源反接，则防反接电路不导通；若电源正接，防反接电路导通，电压依次通过稳压电路和升压电路的处理，输出至三相桥电路，所述微处理器通过三相桥上桥驱动电路驱动三相桥电路中的上桥，所述微处理器直接驱动三相桥电路中的下桥，三相桥电路输出至电机。
以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。