本实用新型属于接口电路技术领域，特别涉及TYPE-C接口的多协议快充电路。
背景技术：
目前市面上存在各种各样的快充协议，如高通协议、MTK协议、华为协议、OPPO协议、PD协议等等。虽然USB-IF组织规范了新版本的USB接口将不允许通过非USB-PD协议来进行电压调整，谷歌也在Android7.0OEM规范中强调：快充技术必须支持USB PD，这两个消息一出，基本上从硬件和软件层面给USB PD快充上了道“双保险”。但是，目前市面上的手机还是以多协议为主，PD协议要统一快充协议还需要至少2年的时间。
在USB_IF推出TYPE-C接口以来，目前各大手机厂商的旗舰机型基本都采用了TYPE-C接口，原因在于TYPE-C接口发热小，可正反插，用户体验好。但是由于PD协议的不成熟以及各大厂商“各怀鬼胎”，在快充协议上还是沿用原有的快充协议，如小米在TYPE-C口上沿用高通协议、华为在TYPE-C口上沿用FCP/SCP协议、OPPO/VIVO在TYPE-C接口上沿用VOOC协议。所以，配件厂如果只在TYPE-C口只兼容PD协议是远远不能满足现有的客户需求，他们需要做到在一个TYPE-C口上实现多种快充协议的输入和输出。
但是，对于一个TYPE-C口上兼容这么多的快充协议，是一件非常困难的事情，因为有些快充协议是通过CC引脚识别，有些快充协议是通过VBUS上的信号识别，有些快充协议是通过D+/D-引脚识别，而且输入快充协议识别和输出的快充协议识别都是通过D+/D-，它们之间不能互相干扰。
专利申请201620977802.2则公开了一种嵌入式RTU多协议自动适配器，其包括由CPU芯片、数据缓冲器、接口电平转换电路、串行接口、参数配置口和数据采集口组成；CPU芯片内置有处理器、FLASH、RAM和串行口外设。数据采集口可实时接收传感器的数据，并存入数据缓存器，参数配置口可配置应用协议以及通信参数，选择FLASH中存储的用户应用协议，执行相应指令，在RAM中形成协议数据单元(PDU)，再通过接口电平转换电路和串行接口发送至中心站。本实用新型有效屏蔽不同厂家RTU设备在应用协议上的差异，为新的RTU接入各种系统组网运行提供解决方案。然而，对于TYPE-C接口并不适用，特别是无缝实现兼容多种快充协议。
技术实现要素：
基于此，因此本实用新型的首要目地是提供一种基于TYPE-C接口实现多种快充协议电路，该电路可实现在一个TYPE-C接口上进行多种快充协议的输入和输出识别，从而做到兼容市面上所有的Sink电子设备和Source电子设备，实现社会资源利用的最大化。
本实用新型的另一个目地在于提供一种基于TYPE-C接口实现多种快充协议电路，该电路结构简单，易于实现，能够降低成本，特别适用于DRP角色的设备使用。
为实现上述目的，本实用新型的技术方案为：
一种基于TYPE-C接口实现多种快充协议电路，其特征在于所述的电路包含有主控MCU模块、LDO模块、多协议采集电阻网络、输出多协议芯片、输入多协议电阻网络、D+/D-选择开关、TYPE-C接口；其中，所述主控MCU模块连接LDO模块，LDO模块接有采集电阻网络，输出多协议芯片、输入多协议电阻网络均接于主控MCU模块，且输出多协议芯片、输入多协议电阻网络同时接于D+/D-选择开关，D+/D-选择开关则接于TYPE-C接口。
优选地，所述主控MCU模块集成TYPE-C接口识别Rd、Rp和PD协议PHY层。
优选地，所述输出多协议芯片可以支持多种快充协议识别，如高通快充协议、华为快充协议、MTK快充协议、展讯快充协议、三星快充协议、VOOV快充协议、BC1.2协议、苹果2.4A快充协议。
优选地，所述输入多协议电阻网络可以支持多种快充协议输入识别，如高通快充协议、华为快充协议、MTK快充协议、展讯快充协议、三星快充协议、VOOV快充协议、BC1.2协议、苹果2.4A快充协议。
优选地，所述D+/D-选择开关为数控低阻抗多通道模拟开关。
优选地，所述采集电阻网络包括有电阻R1和R2，电阻R1和R2串联在一起，其中R1接于LDO供电模块，R2接地。
本实用新型所实现的多种快充协议电路及方法特别适用于DRP角色的设备使用，可实现在一个TYPE-C接口上进行多种快充协议的输入和输出识别，从而做到兼容市面上所有的Sink电子设备和Source电子设备，实现社会资源利用的最大化。
附图说明
图1是本实用新型所实施基于TYPE-C接口实现多种快充协议电路框图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
图1所示，为本实用新型所实现的基于TYPE-C接口实现多种快充协议电路，该电路包含有主控MCU模块1、LDO模块2、多协议采集电阻网络3、输出多协议芯片4、输入多协议电阻网络5、D+/D-选择开关6、TYPE-C接口7。其中，所述主控MCU模块1连接LDO模块2，LDO模块2接有多协议采集电阻网络3，输出多协议芯片4、输入多协议电阻网络5均接于主控MCU模块1，且输出多协议芯片4、输入多协议电阻网络5同时接于D+/D-选择开关6，D+/D-选择开关6则接于TYPE-C接口7。
其中，主控MCU模块1集成TYPE-C接口识别Rd、Rp和PD协议PHY层。
输出多协议芯片4可以支持多种快充协议识别，如高通快充协议、华为快充协议、MTK快充协议、展讯快充协议、三星快充协议、VOOV快充协议、BC1.2协议、苹果2.4A快充协议。
输入多协议电阻网络5可以支持多种快充协议输入识别，如高通快充协议、华为快充协议、MTK快充协议、展讯快充协议、三星快充协议、VOOV快充协议、BC1.2协议、苹果2.4A快充协议。
D+/D-选择开关6为数控低阻抗多通道模拟开关。
采集电阻网络包括有电阻R1和R2，电阻R1和R2串联在一起，其中R1接于LDO供电模块，R2接地。
因此，本实用新型所实现的多种快充协议电路及方法特别适用于DRP角色的设备使用，可实现在一个TYPE-C接口上进行多种快充协议的输入和输出识别，从而做到兼容市面上所有的Sink电子设备和Source电子设备，实现社会资源利用的最大化。
所述的DRP角色包含DRP、Try.SRC角色和Try.Sink三种角色。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。