一种具有耐接地偏移和高静电保护的电路的制作方法

文档序号:14770549发布日期:2018-06-23 01:25阅读:来源:国知局
技术总结
本实用新型提供了一种具有耐接地偏移和高静电保护的电路,包括三极管Q1、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2、芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2及电容C3,电阻R1一端连ACC控制信号输出端,电阻R1另一端与稳压二极管ZD1负极连接,稳压二极管ZD1正极与稳压二极管ZD2负极及三极管Q1的基极连接,三极管Q1的集电极与电阻R2一端及电阻R3一端连接,芯片U1的第一引脚与电阻R3另一端及电容C1一端连接,第十四引脚、电容C2一端及电容C3一端连电源VCC,第二引脚与电阻R4一端连接,电阻R4另一端连单片机的IO口。本实用新型具有耐接地偏移和高静电保护。

技术研发人员:洪炳林;陈星辉;张代祥
受保护的技术使用者:福建星海通信科技有限公司
技术研发日:2017.11.27
技术公布日:2018.06.22

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