本实用新型涉及电机调速器技术领域，特别涉及一种交流电机调速器。
背景技术：
现有的交流电机调速器的调速一般采用芯片输出PWM波从而改变可控硅的导通角，实现交流电机的无极调速，但是，这种调速器结构复杂，制作成本高。
技术实现要素：
本实用新型解决的技术问题是：现有的交流电机调速器结构复杂，成本高。
本实用新型解决其技术问题的解决方案是：一种交流电机调速器，包括：桥堆、第一、第二、第三电阻R1、R2、R3、电容C、可控硅VS、晶体管Q、稳压管DW，所述桥堆的一输出端分别与所述第一电阻R1的一端、可控硅VS的阳极连接，所述第一电阻R1的另一端分别与所述第二电阻R2的一端、变阻器Rw的一定端、稳压管DW的阴极连接，所述第二电阻R2的另一端与所述晶体管Q的源极连接，所述晶体管Q的漏极分别与所述可控硅VS的控制端、第三电阻R3的一端连接，所述变阻器Rw的另一定端与所述电容C的一端连接，所述变阻器Rw的动端与所述晶体管Q的栅极连接，所述桥堆的另一输出端分别与所述可控硅VS的阴极、第三电阻R3的另一端、电容C的另一端、稳压管DW的阳极连接。
进一步，所述晶体管Q为MOS管。
进一步，所述桥堆的型号为KBU808。
本实用新型的有益效果是：利用晶体管Q、第三电阻R3、电容C、变阻器Rw来调整所述可控硅VS的导通角，从而实现交流电机M的速度调节，该结构简单、制作成本低，可广泛用于低成本的交流电机速度的调节。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。显然，所描述的附图只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他设计方案和附图。
图1是交流电机调速器的电路连接示意图。
具体实施方式
以下将结合实施例和附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本实用新型的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本实用新型保护的范围。另外，文中所提到的所有联接/连接关系，并非单指构件直接相接，而是指可根据具体实施情况，通过添加或减少联接辅件，来组成更优的联接结构。本发明创造中的各个技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。
实施例1，参考图1，一种交流电机调速器，包括：桥堆1、第一、第二、第三电阻R1、R2、R3、电容C、可控硅VS、晶体管Q、稳压管DW，所述桥堆1的一输出端分别与所述第一电阻R1的一端、可控硅VS的阳极连接，所述第一电阻R1的另一端分别与所述第二电阻R2的一端、变阻器Rw的一定端、稳压管DW的阴极连接，所述第二电阻R2的另一端与所述晶体管Q的源极连接，所述晶体管Q的漏极分别与所述可控硅VS的控制端、第三电阻R3的一端连接，所述变阻器Rw的另一定端与所述电容C的一端连接，所述变阻器Rw的动端与所述晶体管Q的栅极连接，所述桥堆1的另一输出端分别与所述可控硅VS的阴极、第三电阻R3的另一端、电容C的另一端、稳压管DW的阳极连接。
当所述交流电机调速器工作时，所述市电与交流电机M串接并接入到所述桥堆1的输入端中。当需要调速时，移动所述变阻器Rw的动端，所述动端在电容C和变阻器Rw上获取所述晶体管Q的导通电压，该导通电压作用到所述晶体管Q的栅极上，所述晶体管Q上源-漏电流作用在第三电阻R3上，并在所述可控硅VS的控制端产生电压，该电压调整所述可控硅VS的导通角，从而控制所述可控硅VS导通电流，进而控制交流电机M的速度。
利用晶体管Q、第三电阻R3、电容C、变阻器Rw来调整所述可控硅VS的导通角，从而实现交流电机M的速度调节，该结构简单、制作成本低，可广泛用于低成本的交流电机速度的调节。
作为优化，所述晶体管Q为MOS管，所述桥堆1的型号为KBU808。
以上对本实用新型的较佳实施方式进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做出种种的等同变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。