一种基于半桥拓扑主动刹车的迷你有刷穿越机电路的制作方法

本实用新型涉及穿越机有刷电机驱动电路技术领域，特别涉及一种基于半桥拓扑主动刹车的迷你有刷穿越机电路。

背景技术：

目前行业内穿越机有刷电机驱动电路使用单一MOS管进行驱动，如图1所示，飞控FC调制出油门PWM穿越机有刷电机驱动信号，固定周期内高电平导通MOS管Q1，电池提供电流经过MOS管Q1，驱动电机转动，最后回到电池负极。当周期内低电平时，MOS管Q1关断，电机两极悬空，进行惯性转动。占空比大小调节转动电机时间，进行调速控制。

现有技术存在的缺陷是，当零油门或低电平脉宽时，电机两极悬空，螺旋桨受外界气流影响，扰动电机转子，导致飞机姿态飘移。当油门PWM信号从高占空比变成低占空比时，电机转速由于惯性转动，不能及时减速，负载超过设定速度时不能提供反向力矩，只能通过电机内部磨损和带载阻力把速度降低下来，导致调速误差大，响应慢。

技术实现要素：

为了克服上述问题，本实用新型提出一种可有效解决上述问题的基于半桥拓扑主动刹车的迷你有刷穿越机电路。

本实用新型解决上述技术问题提供的一种技术方案是：提供一种基于半桥拓扑主动刹车的迷你有刷穿越机电路，包括飞控FC、复杂可编程逻辑器件、 MOS管Q1、MOS管Q2和电机M，所述飞控FC与复杂可编程逻辑器件相连接，所述MOS管Q1的栅极连接于复杂可编程逻辑器件，MOS管Q2的栅极连接于复杂可编程逻辑器件，MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极相连接，所述电机M 一端与MOS管Q1的漏极相连接，另一端分别与MOS管Q1的源极与MOS管Q2 的漏极连接。

与现有技术相比，本实用新型的基于半桥拓扑主动刹车的迷你有刷穿越机电路当零油门或低电平脉宽时，电机两极短路，外力扰动电机转子时，电机产生短路电流，能瞬速制动，继续保持静止状态。当油门信号从高占空比变成低占空比时，进行主动短路刹车，电机转速降低后，经死区时间，再驱动电机转动，达到预设油门速度。此外，处于刹车状态时，能量经半桥拓扑回馈到电池，增加飞行续航时间，可实现主动刹车，增快调速响应，减少调速误差，回馈刹车时能量，增加飞行续航时间。

【附图说明】

图1为现有技术穿越机有刷电机驱动电路的电路结构图；

图2为本实用新型一种基于半桥拓扑主动刹车的迷你有刷穿越机电路的电路结构图。

【具体实施方式】

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅限于指定视图上的相对位置，而非绝对位置。

另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

请参阅图2，本实用新型的一种基于半桥拓扑主动刹车的迷你有刷穿越机电路，包括飞控FC、复杂可编程逻辑器件、MOS管Q1、MOS管Q2和电机 M，所述飞控FC与复杂可编程逻辑器件相连接，所述MOS管Q1的栅极连接于复杂可编程逻辑器件，MOS管Q2的栅极连接于复杂可编程逻辑器件， MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极相连接。所述电机M一端与MOS管 Q1的漏极相连接，另一端分别与MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极连接。

飞控FC发出油门PWM信号时，先经复杂可编程逻辑器件进行逻辑变换，输出两路信号CPLD-Brake、CPLD-Run，驱动MOS管Q1和MOS管Q2。零油门或低电平脉宽时，CPLD-Brake为低电平，导通MOS管Q1，使得电机M 两极短路，进入制动状态。当油门PWM信号从高占空比变成低占空比时， CPLD-Brake为低电平，导通MOS管Q1，进行主动短路刹车，电机M转速下降后，经过复杂可编程逻辑器件CPLD调制的死区时间，再让CPLD-Run 为高电平，驱动电机M转动，达到预设油门速度。此外，处于刹车状态时，电机M反电动势通过MOS管Q1管对母线进行充电，实现能力回馈，增加飞行续航时间。

与现有技术相比，本实用新型的基于半桥拓扑主动刹车的迷你有刷穿越机电路当零油门或低电平脉宽时，电机两极短路，外力扰动电机转子时，电机产生短路电流，能瞬速制动，继续保持静止状态。当油门信号从高占空比变成低占空比时，进行主动短路刹车，电机转速降低后，经死区时间，再驱动电机转动，达到预设油门速度。此外，处于刹车状态时，能量经半桥拓扑回馈到电池，增加飞行续航时间，可实现主动刹车，增快调速响应，减少调速误差，回馈刹车时能量，增加飞行续航时间。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的构思之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含在本实用新型的专利保护范围内。