1.一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于包括：ESD防护模块、限流电阻、双向背靠背二极管；
ESD防护模块由NMOS管和电阻R1构成；双向背靠背二极管，包括：二极管DIODEN和二极管DIODEP；
NMOS管的栅极通过电阻R1接地GND；NMOS管的源极接地GND；NMOS管的漏极作为保护电路的电压输入端VIN，并连接限流电阻RLIM的一端，限流电阻RLIM的另一端连接二极管DIODEN的负极和二极管DIODEP的正极，并作为保护电路的电压输出端VOUT，二极管DIODEN的正极接地GND；二极管DIODEP的负极接电源VDD。
2.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：NMOS管为HV-ggNMOS即栅极接地的高压NMOS管，当VDD为4.5V～5.5V时，NMOS管的漏极VIN端能够承受不超过20V的输入电压。
3.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：NMOS管为HV-ggNMOS，当HV-ggNMOS的栅漏寄生电容在100fF～1pF时，电阻R1取值为10kΩ～20kΩ。
4.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：限流电阻RLIM取值为10kΩ～15kΩ。
5.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：二极管DIODEN的最大整流电流为0.5mA～2mA。
6.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：二极管DIODEN的最大整流电流为0.5mA～2mA。
7.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：外部输入信号VIN先经过ESD防护模块进行防护，再经过限流电阻RLIM与背靠背双向二极管构成的串联网络进行分压和过压钳位，得到输出信号VOUT，送至外部。
8.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：电压输入端VIN的异常正电压超过电源VDD的电压。