驱动控制电路和家电设备的制作方法

本发明涉及驱动控制领域，具体而言，涉及一种驱动控制电路和一种家电设备。

背景技术：

目前变频空调市场，为了提升负载运行能效，通常采用整流器、电感器、pfc(powerfactorcorrection，功率因数校正)模组、电解电容和逆变器构成电机(负载)的驱动控制电路。

相关技术中，为了降低boost型pfc的功耗和整流器的功耗，采用图腾柱型pfc模组来替代boost型pfc和整流器，但是，为了进一步地提高电路的能效，通常设置图腾柱型pfc模组中的至少一个半桥电路保持高频工作，由于开关管的输入端(或控制端)与输出端之间存在寄生电容，开关管的三端记作栅极g、源极s和漏极d，基于密勒效应可知：

(1)寄生电容cdg导致半桥电路的两个开关管在交替导通过程中产生较大尖峰电压及振荡，严重地影响了驱动控制电路的可靠性。

(2)在开关管开通前，栅极和源极之间存在结电容及寄生电容cgs，当开关管的栅极电压与源极电压之间的电压大于开关管导通电压后，才能导通开关管，cgs的增大，导致开关管的响应时间长且功耗大。

另外，整个说明书对背景技术的任何讨论，并不代表该背景技术一定是所属领域技术人员所知晓的现有技术，整个说明书中的对现有技术的任何讨论并不代表认为该现有技术一定是广泛公知的或一定构成本领域的公知常识。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此，本发明的一个目的在于提出了一种驱动控制电路。

本发明的又一个目的在于提出了一种家电设备。

在本发明的第一方面的技术方案中，提出了一种驱动控制电路，包括：半桥电路，所述半桥电路接入于母线电路中，所述半桥电路被配置为对供电信号进行转换处理，所述半桥电路的每个桥臂具体包括：开关管，所述开关管被配置为具有控制端；钳位单元，所述钳位单元被配置为限制所述开关管的控制端的电压值，其中，所述半桥电路中的第一开关管在导通初始时刻，触发所述半桥电路中的第二开关管的控制端出现尖峰电压，所述尖峰电压能够被所述钳位单元削弱。

在该技术方案中，对于设有至少两个开关管的半桥电路而言，由于开关管的控制端与输出端之间存在寄生电容，寄生电容在开关管的放大作用下会引起两个开关管之间的电压干扰，通过在半桥电路中设置开关管和相应的钳位单元，并且设置钳位单元限制所述开关管的控制端的电压值，能够有效地吸收尖峰电压，以降低尖峰电压导致半桥电路直通的可能性，进而提升了半桥电路的可靠性和稳定性。

具体地，所述半桥电路中的第一开关管在导通初始时刻，第二开关管处于截止状态，密勒效应会导致所述半桥电路中的第二开关管控制端出现尖峰电压，所述尖峰电压达到第二开关管的导通门限阈值时，会导致第二开关管导通，进而导致第一开关管和第二开关管同时导通，而发生短路损坏。

其中，钳位单元中包括容性元件、阻性元件和开关器件中的至少一种，且钳位单元的一端连接至控制端，在吸收控制端出现的尖峰电压的同时，提升开关管的导通时间，同时，有利于降低开关管的功耗。

另外，根据本发明上述实施例的驱动控制电路，还可以具有如下附加的技术特征：

在上述任一技术方案中，可选地，所述开关管还设有第一端和第二端，所述开关管导通时，电流由所述第一端流向所述第二端，所述控制端与所述第二端之间接入偏置电阻，导通信号输入至所述控制端时，所述偏置电阻的分压大于所述开关管的导通电压阈值。

在该技术方案中，上述开关管的第一端记作输出端，控制端为开关管的输入端，通过在第第二端与控制端之间接入偏置电阻，能够通过偏置电阻的分压开通栅极和源极之间的pn结，有利于提升输入至控制端的导通信号的可靠性。

在上述任一技术方案中，可选地，所述钳位单元还包括：容性元件，串联于所述开关管的控制端与所述第二端之间，所述容性元件被配置为泄放所述尖峰电压。

在该技术方案中，通过设置钳位单元包括容性元件，且将容性元件串联于控制端与第二端之间，容性元件释放尖峰电压即相当于对寄生电容存储的电量进行中和，以降低半桥电路中的密勒效应，有利于提升半桥电路的可靠性。

在上述任一技术方案中，可选地，所述钳位单元包括：开关器件，所述开关器件的第一端连接至所述控制端，所述开关器件的第二端连接至所述开关管的第二端，则所述开关管的控制端产生所述尖峰电压时，所述开关器件导通，以泄放所述尖峰电压。

在该技术方案中，通过设置开关器件连接于控制端与第二端之间，进而在寄生电容向容性元件释放电量时，开关器件也能处于导通状态，以提升尖峰电压的泄放效率，进一步地提升了半桥电路的可靠性。

在上述任一技术方案中，可选地，还包括：驱动器，所述驱动器的输出端连接至所述开关管的控制端；第一开关电阻，串联于所述开关管的控制端与所述驱动器的输出端之间；串联的第二开关电阻和单向导通元件，与所述第一开关电阻并联，其中，所述驱动器向所述开关管的控制端输出所述导通信号时，所述单向导通元件截止，所述导通信号经所述第一开关电阻传输至所述开关管的控制端，以及所述驱动器向所述开关管的控制端输出截止信号时，所述单向导通元件导通，所述截止信号经所述第一开关电阻和所述第二开关电阻传输至所述开关管的控制端。

在该技术方案中，通过按照上述方式设置驱动器、第一开关电阻、第二开关电阻和单向导通元件，在导通信号传输至控制端时，仅经第一开关电阻，而在截止信号传输至控制端时，第一开关电阻、第二开关电阻和单向导通元件同时导通，因此，截止信号的传输速度快于导通信号的传输速度，有利于提升对开关管过流保护的可靠性，另外，尖峰信号也可以通过第一开关电阻、第二开关电阻和单向导通元件快速地向钳位单元释放，因此，有利于进一步地降低尖峰电压对开关管的冲击，以及降低开关管的响应时间和功耗。

在上述任一技术方案中，可选地，还包括：桥式模组，所述桥式模组包括两个并联的所述半桥电路，若所述桥式模组的输入端接入交流信号，则所述桥式模组的输出端输出直流信号，若所述桥式模组的输入端接入直流信号，则所述桥式模组的输出端输出交流信号。

在该技术方案中，通过开关管的导通和截止来实现供电信号的转换处理，通常是将输入的交流信号转换为直流信号，或将输入的直流信号转换为交流信号进而驱动负载可靠地运行。

在上述任一技术方案中，可选地，还包括：功率因数校正模组，所述功率因数校正模组包括两个并联的所述半桥电路，所述功率因数校正模组的四个桥臂的开关管依次记作第一开关管、第二开关管、第三开关管和第四开关管，所述第一开关管和所述第二开关管之间的公共端接入所述供电信号的第一输入线路，所述第三开关管和所述第四开关管之间的公共端接入所述供电信号的第二输入线路，以及所述第一开关管与所述第四开关管之间的公共端接入所述脉动直流信号对应的高压母线，所述第二开关管与所述第三开关管之间的公共端接入所述脉动直流信号对应的低压母线。

在该技术方案中，通过设置功率因数校正模组包括两个并联的半桥电路，且四个桥臂中均设有开关管，即构成了图腾柱型pfc(powerfactorcorrection，功率因数校正)模组，可选地，半桥电路中的上开关管为npn型三极管，下开关管是pnp型三极管，且上开关管和下开关管为共发射极连接，发射极也为上述图腾柱型pfc模组的一个输出端。

可选地，也可以将图腾柱型pfc模组中的开关管设置为mosfet(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)，开关管也可以为sic型开关管或gan型开关管，因此，开关管的开关频率可以进一步地提升，虽然能够进一步地提升负载运行能效，但是，电磁干扰信号更强，这就需要加入滤波模组来降低电磁干扰信号。

可选地，上述图腾柱型pfc的开关管的源极(发射极)和漏极(集电极)之间集成有反向续流二极管。

在上述任一技术方案中，可选地，所述开关管为金属氧化物半导体场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管，其中，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接至控制器的指令输出端，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和漏极之间接入反向续流二极管，所述绝缘栅双极型晶体管的基极连接至控制器的指令输出端，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极和集电极之间接入反向续流二极管。

在上述任一技术方案中，可选地，还包括：电解电容，设于所述功率因数校正模组的输出端，所述电解电容被配置为接收所述脉动直流信号并转换为直流信号；逆变器，连接至所述电解电容的输出端，所述逆变器被配置为控制所述直流信号对负载供电。

在该技术方案中，通过在半桥电路的输出端设置电解电容，一方面，电解电容能够提供负载运行的电量，另一方面，电解电容也能吸收驱动控制电路中包含的浪涌信号，能够进一步地降低流向逆变器的电磁干扰信号和噪声，有利于提升负载运行的可靠性。

其中，若逆变器包括两个并联的半桥电路，则可以驱动单相负载运行，若逆变器包括三个并联的半桥电路，则可以驱动三相负载运行。

在上述任一技术方案中，可选地，所述电解电容的容值取值范围为10uf～20000uf。

在上述任一技术方案中，可选地，还包括：电量检测模组，接入于所述第二输入线路中，所述电量检测模组被配置为检测所述供电信号对所述负载的供电量，所述供电量用于对所述开关管的导通频率进行调整。

在该技术方案中，通过设置电量检测模组接入于第二输入线路中，对供电信号进行检测，并根据检测结果对开关频率进行调整，譬如，在检测到供电信号中的电流携带较多尖峰信号时，为了避免尖峰信号经过半桥电路放大和叠加，可以通过降低开关频率来降低电磁干扰信号和尖峰信号。

在本发明的第二方面的技术方案中，提出了一种家电设备，包括：负载；如本发明的第一方面中的任一项技术方案所述的驱动控制电路，所述动控制电路被配置控制供电信号对负载供电。

在该技术方案中，家电设备包括如上述技术方案中所述的驱动控制电路，因此，该家电设备包括如上述技术方案中所述的驱动控制电路的全部有益效果，再次不再赘述。

在上述技术方案中，可选地，所述家电设备包括空调器、电冰箱、风扇、抽油烟机、吸尘器和电脑主机中的至少一种。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1示出了现有技术中的一个实施例的驱动控制电路的示意图；

图2示出了现有技术中的另一个实施例的驱动控制电路的示意图；

图3示出了根据本发明的一个实施例的驱动控制电路的示意图；

图4示出了根据本发明的另一个实施例的驱动控制电路的示意图；

图5示出了根据本发明的另一个实施例的驱动控制电路的示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

下面结合图1至图5对根据本发明的实施例的驱动控制电路和家电设备进行具体说明。

如图1所示，供电信号ac输入至驱动控制电路后，通常采用电感器l、图腾柱型pfc(powerfactorcorrection，功率因数校正)模组、电解电容e和逆变器构成电机(负载)的驱动控制电路，由于图腾柱型pfc模组中通常设置大量开关管(第一开关管q1、第二开关管q2、第三开关管q3和第四开关管q4)，另外，在电感器l的充电回路中设置霍尔传感器，基于霍尔传感器检测电流。

如图1所示，第一开关管q1的源极和漏极之间设有第一反向续流二极管d1，第二开关管q2的源极和漏极之间设有第二反向续流二极管d2，第三开关管q3的源极和漏极之间设有第三反向续流二极管d3，第四开关管q4的源极和漏极之间设有第四反向续流二极管d4。

如图2所示，控制器连接于驱动器，并通过驱动器驱动开关管导通或截止，譬如，第一开关管q1的栅极和驱动器之间接入第一电阻r1(主要用于限流和分压)，第一开关管q1的栅极和源极之间接入第二电阻r2(主要用于驱动导通)，第二开关管q2的栅极和驱动器之间接入第三电阻r3(主要用于限流和分压)，第二开关管q2的栅极和源极之间接入第四电阻r4(主要用于驱动导通)。

如图3、图4和图5所示，在图腾柱型pfc(powerfactorcorrection，功率因数校正)模组中，若开关管为n型mosfet，则寄生电容产生的尖峰电流idg，第一开关管q1在导通初始时刻，第二开关管q2处于截止状态，密勒效应会导致所述半桥电路中的第二开关管q2控制端出现尖峰电压，所述尖峰电压达到第二开关管q2的导通门限阈值时，会导致第二开关管q2导通，进而导致第一开关管q1和第二开关管q2同时导通，而发生短路损坏。

如图3、图4和图5所示，根据本发明的一个实施例的驱动控制电路，包括：半桥电路100，所述半桥电路100接入于母线电路中，所述半桥电路100被配置为对供电信号进行转换处理，所述半桥电路100的每个桥臂具体包括：开关管，所述开关管被配置为具有控制端；钳位单元200，所述钳位单元200被配置为限制所述开关管的控制端的电压值，其中，所述半桥电路100中的第一开关管q1在导通初始时刻，触发所述半桥电路100中的第二开关管q2的控制端出现尖峰电压，所述尖峰电压能够被所述钳位单元200削弱。

在该技术方案中，对于设有至少两个开关管的半桥电路100而言，由于开关管的控制端与输出端之间存在寄生电容cdg，寄生电容cdg在开关管的放大作用下会引起两个开关管之间的电压干扰，通过在半桥电路100中设置开关管和相应的钳位单元200，并且设置钳位单元200限制所述开关管的控制端的电压值，能够有效地吸收尖峰电压，以降低尖峰电压导致半桥电路直通的可能性，进而提升了半桥电路100的可靠性和稳定性。

具体地，所述半桥电路100中的第一开关管q1在导通初始时刻，第二开关管处于截止状态，密勒效应会导致所述半桥电路100中的第二开关管q2控制端出现尖峰电压，所述尖峰电压达到第二开关管q2的导通门限阈值时，会导致第二开关管导通，进而导致第一开关管q1和第二开关管q2同时导通，而发生短路损坏。

其中，钳位单元200中包括容性元件c0、阻性元件和开关器件t0中的至少一种，且钳位单元200的一端连接至控制端，在吸收控制端出现的尖峰电压的同时，提升开关管的导通时间，同时，有利于降低开关管的功耗。

另外，根据本发明上述实施例的驱动控制电路，还可以具有如下附加的技术特征：

在上述任一技术方案中，可选地，所述开关管还设有第一端和第二端，所述开关管导通时，电流由所述第一端流向所述第二端，所述控制端与所述第二端之间接入偏置电阻，导通信号输入至所述控制端时，所述偏置电阻的分压大于所述开关管的导通电压阈值。

在该技术方案中，上述开关管的第一端记作输出端，控制端为开关管的输入端，通过在第第二端与控制端之间接入偏置电阻，能够通过偏置电阻的分压开通栅极和源极之间的pn结，有利于提升输入至控制端的导通信号的可靠性。

在上述任一技术方案中，可选地，所述钳位单元200还包括：容性元件c0，串联于所述开关管的控制端与所述第二端之间，所述容性元件c0被配置为泄放所述尖峰电压。

在该技术方案中，通过设置钳位单元200包括容性元件c0，且将容性元件c0串联于控制端与第二端之间，容性元件c0释放尖峰电压即相当于对寄生电容cdg存储的电量进行中和，以降低半桥电路100中的密勒效应，有利于提升半桥电路100的可靠性。

在上述任一技术方案中，可选地，所述钳位单元200包括：开关器件t0，所述开关器件t0的第一端连接至所述控制端，所述开关器件t0的第二端连接至所述开关管的第二端，则所述开关管的控制端产生所述尖峰电压时，所述开关器件t0导通，以泄放所述尖峰电压。

在该技术方案中，通过设置开关器件t0连接于控制端与第二端之间，进而在寄生电容cdg向容性元件c0释放电量时，开关器件t0也能处于导通状态，以提升尖峰电压的泄放效率，进一步地提升了半桥电路100的可靠性。

进一步地，如图4和图5所示，为了提升开关器件t0的可靠性，在开关器件t0的控制端接入限流电阻r02。

在上述任一技术方案中，可选地，还包括：驱动器，所述驱动器的输出端连接至所述开关管的控制端；第一开关电阻，串联于所述开关管的控制端与所述驱动器的输出端之间；串联的第二开关电阻r01和单向导通元件d0，与所述第一开关电阻并联，其中，所述驱动器向所述开关管的控制端输出所述导通信号时，所述单向导通元件d0截止，所述导通信号经所述第一开关电阻传输至所述开关管的控制端，以及所述驱动器向所述开关管的控制端输出截止信号时，所述单向导通元件d0导通，所述截止信号经所述第一开关电阻和所述第二开关电阻r01传输至所述开关管的控制端。

在该技术方案中，通过按照上述方式设置驱动器、第一开关电阻、第二开关电阻r01和单向导通元件d0，在导通信号传输至控制端时，仅经第一开关电阻，而在截止信号传输至控制端时，第一开关电阻、第二开关电阻r01和单向导通元件d0同时导通，因此，截止信号的传输速度快于导通信号的传输速度，有利于提升对开关管过流保护的可靠性，另外，尖峰信号也可以通过第一开关电阻、第二开关电阻r01和单向导通元件d0快速地向钳位单元200释放，因此，有利于进一步地降低尖峰电压对开关管的冲击，以及降低开关管的响应时间和功耗。

其中，第一开关电阻包括第一开关管q1的栅极与驱动器之间的电阻r1，第一开关电阻还包括第二开关管q2的栅极与驱动器之间的电阻r3。

在上述任一技术方案中，可选地，还包括：桥式模组，所述桥式模组包括两个并联的所述半桥电路100，若所述桥式模组的输入端接入交流信号，则所述桥式模组的输出端输出直流信号，若所述桥式模组的输入端接入直流信号，则所述桥式模组的输出端输出交流信号。

在该技术方案中，通过开关管的导通和截止来实现供电信号的转换处理，通常是将输入的交流信号转换为直流信号，或将输入的直流信号转换为交流信号进而驱动负载可靠地运行。

在上述任一技术方案中，可选地，还包括：功率因数校正模组，所述功率因数校正模组包括两个并联的所述半桥电路100，所述功率因数校正模组的四个桥臂的开关管依次记作第一开关管q1、第二开关管q2、第三开关管q3和第四开关管q4，所述第一开关管q1和所述第二开关管q2之间的公共端接入所述供电信号的第一输入线路，所述第三开关管q3和所述第四开关管q4之间的公共端接入所述供电信号的第二输入线路，以及所述第一开关管q1与所述第四开关管q4之间的公共端接入所述脉动直流信号对应的高压母线，所述第二开关管q2与所述第三开关管q3之间的公共端接入所述脉动直流信号对应的低压母线。

在该技术方案中，通过设置功率因数校正模组包括两个并联的半桥电路100，且四个桥臂中均设有开关管，即构成了图腾柱型pfc(powerfactorcorrection，功率因数校正)模组，可选地，半桥电路100中的上开关管为npn型三极管，下开关管是pnp型三极管，且上开关管和下开关管为共发射极连接，发射极也为上述图腾柱型pfc模组的一个输出端。

可选地，也可以将图腾柱型pfc模组中的开关管设置为mosfet(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)，开关管也可以为sic型开关管或gan型开关管，因此，开关管的开关频率可以进一步地提升，虽然能够进一步地提升负载运行能效，但是，电磁干扰信号更强，这就需要加入滤波模组来降低电磁干扰信号。

可选地，上述图腾柱型pfc的开关管的源极(发射极)和漏极(集电极)之间集成有反向续流二极管。

在上述任一技术方案中，可选地，所述开关管为金属氧化物半导体场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管，其中，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接至控制器的指令输出端，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和漏极之间接入反向续流二极管，所述绝缘栅双极型晶体管的基极连接至控制器的指令输出端，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极和集电极之间接入反向续流二极管。

在上述任一技术方案中，可选地，还包括：电解电容，设于所述功率因数校正模组的输出端，所述电解电容被配置为接收所述脉动直流信号并转换为直流信号；逆变器，连接至所述电解电容的输出端，所述逆变器被配置为控制所述直流信号对负载供电。

在该技术方案中，通过在半桥电路100的输出端设置电解电容，一方面，电解电容能够提供负载运行的电量，另一方面，电解电容也能吸收驱动控制电路中包含的浪涌信号，能够进一步地降低流向逆变器的电磁干扰信号和噪声，有利于提升负载运行的可靠性。

其中，若逆变器包括两个并联的半桥电路100，则可以驱动单相负载运行，若逆变器包括三个并联的半桥电路100，则可以驱动三相负载运行。

在上述任一技术方案中，可选地，所述电解电容e的容值取值范围为10uf～20000uf。

在上述任一技术方案中，可选地，还包括：电量检测模组s，接入于所述第二输入线路中，所述电量检测模组s被配置为检测所述供电信号ac对所述负载的供电量，所述供电量用于对所述开关管的导通频率进行调整。

在该技术方案中，通过设置电量检测模组s接入于第二输入线路中，对供电信号ac进行检测，并根据检测结果对开关频率进行调整，譬如，在检测到供电信号ac中的电流携带较多尖峰信号时，为了避免尖峰信号经过半桥电路100放大和叠加，可以通过降低开关频率来降低电磁干扰信号和尖峰信号。

针对现有技术中存在的技术问题，本发明提出了一种驱动控制电路和家电设备，通过在半桥电路中设置开关管和相应的钳位单元，并且设置钳位单元限制所述开关管的控制端的电压值，能够有效地吸收尖峰电压，以降低尖峰电压导致半桥电路直通的可能性，进而提升了半桥电路的可靠性和稳定性。

本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的控制器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的控制器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

应当注意的是，在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的部件或步骤。位于部件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的部件。本发明可以借助于包括有若干不同部件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。