一种双桥输入单输出电路架构的制作方法

本实用新型涉及无线充电技术领域，具体为一种双桥输入单输出电路架构。

背景技术：

现有的电路只具有单一整流器，只有单一路径供电，导致工作效率低，因此，有必要进行改进。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种双桥输入单输出电路架构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种双桥输入单输出电路架构,包括控制电路板，所述控制电路板上安装有全桥同步整流器、半桥同步整流器和切换器，所述全桥同步整流器输入端连接WPC线圈，所述半桥同步整流器输入端连接A4WP线圈，所述全桥同步整流器、半桥同步整流器输出端分别连接切换器输入端，所述切换器输出端连接线性稳压器输入端，所述线性稳压器输出电压，所述线性稳压器连接控制逻辑电路。

优选的，所述切换器包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管，所述第一场效应晶体管栅极和漏极连接并连接全桥同步整流器输出端，所述第二场效应晶体管栅极和漏极连接并连接半桥同步整流器输出端，所述第一场效应晶体管、第二场效应晶体管源极分别连接线性稳压器，所述线性稳压器输出电压。

优选的，所述切换器包括第三场效应晶体管、第四场效应晶体管和电压比较器，所述第三场效应晶体管漏极分别连接全桥同步整流器输出端和电压比较器，所述第三场效应晶体管栅极连接电压比较器；所述第四场效应晶体管漏极分别连接半桥同步整流器输出端和电压比较器，所述第四场效应晶体管栅极连接电压比较器，所述第三场效应晶体管、第四场效应晶体管源极均连接线性稳压器，所述线性稳压器输出电压。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型结构原理简单，能够同时连接两个整流器，可自动判别哪一路输入有供电，避免单一路导通电流倒灌。

附图说明

图1为本实用新型控制原理框图；

图2为本实用新型实施例一原理框图；

图3为本实用新型实施例二原理框图；

图4为本实用新型实施例三原理框图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种双桥输入单输出电路架构, 包括控制电路板1，所述控制电路板1上安装有全桥同步整流器2、半桥同步整流器3和切换器4，所述全桥同步整流器2输入端连接WPC线圈5，所述半桥同步整流器3输入端连接A4WP线圈6，所述全桥同步整流器2、半桥同步整流器3 输出端分别连接切换器4输入端，所述切换器4输出端连接线性稳压器7输入端，所述线性稳压器7输出电压，所述线性稳压器7连接控制逻辑电路9。

实施例一：

如图2所示，一种双桥输入单输出电路架构,包括控制电路板1，所述控制电路板1上安装有全桥同步整流器2、半桥同步整流器3和切换器4，所述全桥同步整流器2输入端连接WPC线圈5，所述半桥同步整流器3输入端连接A4WP 线圈6，所述全桥同步整流器2、半桥同步整流器3输出端分别连接切换器4输入端，所述切换器4输出端连接线性稳压器7输入端，所述线性稳压器7输出电压，所述线性稳压器7连接控制逻辑电路9。

本实施例中，切换器4包括第一二极管D1、第二二极管D2，所述第一二极管D1正极连接全桥同步整流器2输出端，所述第二二极管D2正极连接半桥同步整流器3输出端，所述第一二极管D1、第二二极管D2负极均连接线性稳压器 7，所述线性稳压器7输出电压。当全桥同步整流器输出的电压超过第一二极管 D1的阈值电压而半桥同步整流器没有输出电压，则第一二极管D1会进入顺偏导通，而第二二极管D2因逆偏而不会导通，防止电流倒灌至半桥同步整流器，反之当半桥同步整流器输出的电压超过第二二极管D2的阈值电压而全桥同步整流器没有输出电压，则第二二极管D2会进入顺偏导通而第一二极管D1因逆偏而不会导通，防止电流倒灌至全桥同步整流器，此实现方式输出的电压为整流器的输出电压减第一二极管D1、第二二极管D2的阈值电压。

实施例二：

如图3所示，一种双桥输入单输出电路架构,包括控制电路板1，所述控制电路板1上安装有全桥同步整流器2、半桥同步整流器3和切换器4，所述全桥同步整流器2输入端连接WPC线圈5，所述半桥同步整流器3输入端连接A4WP 线圈6，所述全桥同步整流器2、半桥同步整流器3输出端分别连接切换器4输入端，所述切换器4输出端连接线性稳压器7输入端，所述线性稳压器7输出电压，所述线性稳压器7连接控制逻辑电路9。

本实施例中，切换器4包括第一场效应晶体管Q1、第二场效应晶体管Q2，所述第一场效应晶体管Q1栅极和漏极连接并连接全桥同步整流器2输出端，所述第二场效应晶体管Q2栅极和漏极连接并连接半桥同步整流器3输出端，所述第一场效应晶体管Q1、第二场效应晶体管Q2源极分别连接线性稳压器7，所述线性稳压器7输出电压。

当全桥同步整流器输出的电压超过第一场效应晶体管Q1的阈值电压而半桥同步整流器没有输出电压，则第一场效应晶体管Q1会导通而第二场效应晶体管 Q2因半桥同步整流器输出电压没有场效应晶体管的阈值而不导通，可以防止电流倒灌至半桥同步整流器，反之当半桥同步整流器输出的电压超过第二场效应晶体管Q2的阈值电压而全桥同步整流器没有输出电压，则第二场效应晶体管Q2 会导通而第一场效应晶体管Q1因全桥同步整流器输出电压没有场效应晶体管阈值而不导通，防止电流倒灌至全桥同步整流器，此实现方式输出的电压为整流器的输出电压减场效应晶体管的阈值电压，相较实施例一，此方法因场效应晶体管的阈值低于二极管的阈值可以将损耗降低，提升效率。

实施例三：

如图4所示，一种双桥输入单输出电路架构,包括控制电路板1，所述控制电路板1上安装有全桥同步整流器2、半桥同步整流器3和切换器4，所述全桥同步整流器2输入端连接WPC线圈5，所述半桥同步整流器3输入端连接A4WP 线圈6，所述全桥同步整流器2、半桥同步整流器3输出端分别连接切换器4输入端，所述切换器4输出端连接线性稳压器7输入端，所述线性稳压器7输出电压，所述线性稳压器7连接控制逻辑电路9。

本实施例中，切换器4包括第三场效应晶体管Q3、第四场效应晶体管Q4和电压比较器8，所述第三场效应晶体管Q3漏极分别连接全桥同步整流器2输出端和电压比较器，所述第三场效应晶体管Q3栅极连接电压比较器8；所述第四场效应晶体管Q4漏极分别连接半桥同步整流器3输出端和电压比较器8，所述第四场效应晶体管Q4栅极连接电压比较器8，所述第三场效应晶体管Q3、第四场效应晶体管Q4源极均连接线性稳压器7，所述线性稳压器7输出电压。

本实施例采用一电压比较器比较两整流器的输出电压并由第三场效应晶体管Q3、第四场效应晶体管Q4作为切换开关，当全桥同步整流器输出的电压超过比较电压时电压比较器会使第三场效应晶体管Q3导通，第四场效应晶体管Q4 维持关闭，防止电流倒灌至半桥同步整流器，反之，当半桥同步整流器输出电压超过比较电压时，电压比较器会使第四场效应晶体管Q4导通，第三场效应晶体管Q3维持关闭，防止电流倒灌至全桥同步整流器，此实现方法因为使用比较器会使场效应晶体管完全导通，因而可以使输出点啊呀只要减掉场效应晶体管导通的跨压，此输出压降远小于实施例一、实施例二的方式。

综上所述，本实用新型结构原理简单，能够同时连接两个整流器，可自动判别哪一路输入有供电，避免单一路导通电流倒灌。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。