一种光伏电站高压变相结构的制作方法

本实用新型涉及交流高压电技术领域，尤其涉及一种光伏电站高压变相结构。

背景技术：

现有的光伏电站的交流高压电经常需要进行换相，但现有技术对高压电进行换相需要对配电箱内的导线进行拆卸和重新连接，拆卸过程较为困难，非常费时费力。

技术实现要素：

为了解决以上现有技术的缺点和不足之处，本实用新型的首要目的是提供一种光伏电站高压变相结构。

本实用新型的技术方案是：一种光伏电站高压变相结构，包括：

底座，所述底座为绝缘材质，所述底座外表面铺设半导体层，底座外表面铺设的半导体层接地；

进线插柱，所述进线插柱固定连接在底座上表面，所述进线插柱为圆台形，所述进线插柱包括导电插孔、绝缘层和第一半导体层，所述导电插孔为内部中空的筒体，所述绝缘层固定连接在导电插孔外侧面，所述第一半导体层铺设在绝缘层外侧面并与第一半导体层电连接，所述进线插柱包括3个，3个进线插柱的导电插孔分别与a相电源、b相电源和c相电源电连接；

出线插柱，所述出线插柱固定连接在底座上表面，所述出线插柱与进线插柱结构相同，所述出线插柱包括3个；

搭接件，所述搭接件包括3根，所述搭接件两端设有插接头，两端插接头间通过连通导线连接，连通导线外表面依次铺设半导体层和绝缘层，所述插接头包括导电插杆和绝缘罩套，所述导电插杆与导电插孔的相匹配，所述导电插杆与连通导线电连接，所述绝缘罩套内壁为进线插柱相匹配的圆台孔，所述绝缘罩套为绝缘材质，所述绝缘罩套内壁设有与连通导线内壁半导体电连接的第二半导体层。

进一步地，所述导电插杆端部设有直径大于导电插孔内径的导电弹性球，所述导电弹性球包括10片以上半圆形金属片，半圆形金属片一端固定连接在导电插杆端部，半圆形金属片绕导电插杆中轴线均匀分布。

进一步地，所述绝缘罩套外表面设有第三半导体层。

进一步地，所述导电插孔、导电插杆和连通导线材质为铜。

进一步地，所述底座和绝缘罩套材质为交联聚乙烯。

进一步地，所述进线插柱间的连线与出线插柱间的连线相互平行且不在同一条直线上。

本实用新型的有益效果是：

与现有技术相比，

1）本实用新型通过搭接件两端连接不同的进线插柱和出线插柱实现交流高压电的换相，通过搭接件的插接头与的进线插柱和出线插柱的导电插孔相配合，实现了快速换相；

2）本实用新型通过底座表面的半导体层、进线插柱和出线插柱外表面的半导体层使底座、进线插柱和出线插柱外表面电场均匀，避免局部电场场强过大产生尖端放电；

3）本实用新型通过底座表面的半导体层接地，实现底座表面的半导体层、进线插柱和出线插柱外表面电荷的释放，避免电荷集聚产生放电。

附图说明

图1为本实用新型的实施实例1的立体视图；

图2为本实用新型的实施实例1的未安装搭接件时的立体视图；

图3为图2中b处的局部视图；

图4为本实用新型的实施实例1的搭接件的立体视图；

图5为图4中c处的局部视图。

具体实施方式

下面结合附图及具体的实施例对实用新型进行进一步介绍：

实施实例1：参考图1至图5，一种光伏电站高压变相结构，包括：底座1，所述底座1为绝缘材质，所述底座1外表面铺设半导体层，底座1外表面铺设的半导体层接地；进线插柱2，所述进线插柱2固定连接在底座1上表面，所述进线插柱2为圆台形，所述进线插柱2包括导电插孔201、绝缘层202和第一半导体层203，所述导电插孔201为内部中空的筒体，所述绝缘层202固定连接在导电插孔201外侧面，所述第一半导体层203铺设在绝缘层202外侧面并与第一半导体层203电连接，所述进线插柱2包括3个，3个进线插柱2的导电插孔201分别与a相电源、b相电源和c相电源电连接；出线插柱3，所述出线插柱3固定连接在底座1上表面，所述出线插柱3与进线插柱2结构相同，所述出线插柱3包括3个；搭接件4，所述搭接件4包括3根，所述搭接件4两端设有插接头401，两端插接头401间通过连通导线连接，连通导线外表面依次铺设半导体层和绝缘层，所述插接头401包括导电插杆4011和绝缘罩套4013，所述导电插杆4011与导电插孔201的相匹配，所述导电插杆4011与连通导线电连接，所述绝缘罩套4013内壁为进线插柱2相匹配的圆台孔，所述绝缘罩套4013为绝缘材质，所述绝缘罩套4013内壁设有与连通导线内壁半导体电连接的第二半导体层4014。

本实用新型通过搭接件4两端连接不同的进线插柱2和出线插柱3实现交流高压电的换相，通过插接头401的导电插杆4011与的进线插柱2和出线插柱3的导电插孔201相配合，实现了快速换相；本实用新型通过底座1表面的半导体层、进线插柱2和出线插柱3外表面的半导体层使底座1、进线插柱2和出线插柱3外表面电场均匀，避免局部电场场强过大产生尖端放电；本实用新型通过底座1表面的半导体层接地，实现底座1表面的半导体层、进线插柱2和出线插柱3外表面电荷的释放，避免电荷集聚产生放电。

进一步地，所述导电插杆4011端部设有直径大于导电插孔201内径的导电弹性球4015，所述导电弹性球4015包括10片以上半圆形金属片，半圆形金属片一端固定连接在导电插杆4011端部，半圆形金属片绕导电插杆4011中轴线均匀分布。

由于导电弹性球4015为弹性且导电，使得导电插杆4011插接在导电插孔201内时导电弹性球与4015导电插孔201内壁会有摩擦力，同时导电弹性球4015导电，因此导电弹性球4015可起到将插接头401固定在进线插柱2和出线插柱3并且保持电流导通的作用。

进一步地，所述绝缘罩套4013外表面设有第三半导体层402。

第三半导体层402使得绝缘罩套4013外表面的电场均匀，避免局部电场场强过高产生尖端放电烧毁绝缘罩套4013。

进一步地，所述导电插孔201、导电插杆4011和连通导线材质为铜。

铜导电效果更好。

进一步地，所述底座和绝缘罩套材质为交联聚乙烯。

交联聚乙烯具有结构简单、重量轻、耐热好、负载能力强、不熔化、耐化学腐蚀，机械强度高的优点。

进一步地，所述进线插柱2间的连线与出线插柱3间的连线相互平行且不在同一条直线上。

使得进线插柱2和出线插柱3位置更加清晰明了，搭接件4换相更简单。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。

技术特征：

1.一种光伏电站高压变相结构，其特征在于，包括：

底座（1），所述底座（1）为绝缘材质，所述底座（1）外表面铺设半导体层，底座（1）外表面铺设的半导体层接地；

进线插柱（2），所述进线插柱（2）固定连接在底座（1）上表面，所述进线插柱（2）为圆台形，所述进线插柱（2）包括导电插孔（201）、绝缘层（202）和第一半导体层（203），所述导电插孔（201）为内部中空的筒体，所述绝缘层（202）固定连接在导电插孔（201）外侧面，所述第一半导体层（203）铺设在绝缘层（202）外侧面并与第一半导体层（203）电连接，所述进线插柱（2）包括3个，3个进线插柱（2）的导电插孔（201）分别与a相电源、b相电源和c相电源电连接；

出线插柱（3），所述出线插柱（3）固定连接在底座（1）上表面，所述出线插柱（3）与进线插柱（2）结构相同，所述出线插柱（3）包括3个；

搭接件（4），所述搭接件（4）包括3根，所述搭接件（4）两端设有插接头（401），两端插接头（401）间通过连通导线连接，连通导线外表面依次铺设半导体层和绝缘层，所述插接头（401）包括导电插杆（4011）和绝缘罩套（4013），所述导电插杆（4011）与导电插孔（201）的相匹配，所述导电插杆（4011）与连通导线电连接，所述绝缘罩套（4013）内壁为进线插柱（2）相匹配的圆台孔，所述绝缘罩套（4013）为绝缘材质，所述绝缘罩套（4013）内壁设有与连通导线内壁半导体电连接的第二半导体层（4014）。

2.根据权利要求1所述的光伏电站高压变相结构，其特征在于，

所述导电插杆（4011）端部设有直径大于导电插孔（201）内径的导电弹性球（4015），所述导电弹性球（4015）包括10片以上半圆形金属片，半圆形金属片一端固定连接在导电插杆（4011）端部，半圆形金属片绕导电插杆（4011）中轴线均匀分布。

3.根据权利要求1所述的光伏电站高压变相结构，其特征在于，

所述绝缘罩套（4013）外表面设有第三半导体层（402）。

4.根据权利要求1所述的光伏电站高压变相结构，其特征在于，

所述导电插孔（201）、导电插杆（4011）和连通导线材质为铜。

5.根据权利要求1所述的光伏电站高压变相结构，其特征在于，

所述底座和绝缘罩套材质为交联聚乙烯。

6.根据权利要求1所述的光伏电站高压变相结构，其特征在于，

所述进线插柱（2）间的连线与出线插柱（3）间的连线相互平行且不在同一条直线上。

技术总结
本实用新型公开了一种光伏电站高压变相结构，包括：底座；进线插柱，所述进线插柱固定连接在底座上表面，所述进线插柱为圆台形，所述进线插柱包括导电插孔、绝缘层和第一半导体层，所述进线插柱包括3个，3个进线插柱的导电插孔分别与A相电源、B相电源和C相电源电连接；出线插柱，所述出线插柱固定连接在底座上表面，所述出线插柱与进线插柱结构相同，所述出线插柱包括3个；搭接件，所述搭接件包括3根，所述搭接件两端设有插接头，两端插接头间通过连通导线连接，所述插接头包括导电插杆和绝缘罩套，所述导电插杆与导电插孔的相匹配。以解决现有技术对交流高压电换相费时费力的问题。

技术研发人员：曾晖;何林;谭礼雄;张旭;唐俊辉;刘俊林
受保护的技术使用者：中国电建集团贵州电力设计研究院有限公司
技术研发日：2019.12.06
技术公布日：2020.08.11