一种高端电流保护电路的制作方法

1.本技术涉及隔离高端数字保护技术领域，尤其涉及一种高端电流保护电路。


背景技术：

2.厚膜电路输出功率管位于电路电位的高端，其输出电压随输入电压变化，电流取样电路的信号幅度不允许大，否则会影响产品的其他性能参数。
3.目前电流取样信号应具有信号幅度大，信号脉冲频率不稳定、信号电位和占空比变化范围不明显等问题。


技术实现要素：

4.本技术实施例通过提供一种高端电流保护电路，解决了取样信号电流幅度大，信号脉冲不稳定、信号电位和占空比变化不明显的问题，进而实现了避免瞬时电浪涌，使取样信号隔离度高响应快，且电路的功能更加可靠。
5.第一方面，本发明实施例提供了一种高端电流保护电路，包括过流保护电路、使能控制电路和高压输出电路；
6.所述过流保护电路连接于所述高压输出电路，用于检测大电流，并将检测结果输送至所述高压输出电路；
7.所述使能控制电路连接于所述高压输出电路，用于使能信号输送至所述高压输出电路；
8.当所述过流保护电路检测到大电流，且所述使能控制电路输出使能信号时，所述高压输出电路输出高端输出；否则，所述高压输出电路不输出高端输出。
9.在一种可能的实现方式中，所述过流保护电路包括依次连接的运算放大器、三极管和第二光电耦合器；
10.所述运算放大器的输入端用于接收所需检测的电流信号，所述第二光电耦合器的输出端与所述高压输出电路连接。
11.在一种可能的实现方式中，所述过流保护电路还包括滤波电路，所述滤波电路设置于所述运算放大器与所述三极管之间。
12.在一种可能的实现方式中，所述使能控制电路包括相连接的第三光电耦合器和数字三极管；
13.所述第三光电耦合器的输入端用于接收使能信号，所述数字三极管的输出端与所述高压输出电路连接。
14.在一种可能的实现方式中，所述高压输出电路包括相连接的mos驱动电路和第一光电耦合器；
15.所述mos驱动电路的输入端用于接收高压输入；所述过流保护电路和所述使能控制电路均连接于所述mos驱动电路，以控制所述mos驱动电路的输出。
16.本发明实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
17.本发明实施例通过采用了一种高端电流保护电路，该电路包括过流保护电路、高压输出电路和使能控制电路，过流保护电路连接于高压输出电路，用于检测大电流，并将检测结果输送至高压输出电路；使能控制电路连接于高压输出电路，用于使能信号输送至高压输出电路；当过流保护电路检测到大电流，且使能控制电路输出使能信号时，高压输出电路输出高端输出；否则，高压输出电路不输出高端输出，该电路的组合有效解决了取样信号电流幅度大、信号脉冲不稳定、信号电位和占空比变化不明显的问题，进而实现了避免瞬时电浪涌，使取样信号隔离度高响应快，且电路的功能更加可靠。
附图说明
18.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对本发明实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1为本技术实施例提供的高端电流保护电路的模块示意图；
20.图2为本技术实施例提供的高端电流保护电路的电路图。
21.附图标记：1－过流保护电路；2－使能控制电路；3－高压输出电路；11－运算放大器；12－滤波电路；13－三极管；14－第二光电耦合器；21－第三光电耦合器；22－数字三极管；31-mos驱动电路；32－第一光电耦合器。
具体实施方式
22.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
23.厚膜电路输出功率位于电路电位的高端，其输出电压随输入电压变化，电流取样电路的信号幅度不允许过大，否则会影响产品的其他参数性能，因此，电流取样信号应该具有信号幅度低、信号脉冲频率较高、信号电位和占空比范围变化较宽等特点。本技术在下述的实施例中提供一种高端电流保护电路。
24.本技术提供的一种高端电流保护电路，如图1所示，包括过流保护电路1、使能控制电路2和高压输出电路3；过流保护电路1连接于高压输出电路3，用于检测大电流，并将检测结果输送至高压输出电路3；使能控制电路2连接于高压输出电路3，用于使能信号输送至高压输出电路3；当过流保护电路1检测到大电流，且使能控制电路2输出使能信号时，高压输出电路3输出高端输出；否则，高压输出电路3不输出高端输出。
25.在本技术提供的保护电路中，有效解决了取样信号电流幅度大信号脉冲不稳定、信号电位和占空比变化不明显的问题，进而实现了避免瞬时电浪涌，使取样信号隔离度高响应快，且电路的功能更加可靠。
26.在一种可能的实现方式中，如图2所示，过流保护电路1包括依次连接的运算放大器11、三极管13和第二光电耦合器14；运算放大器11的输入端用于接收所需检测的电流信号，第二光电耦合器14的输出端与高压输出电路3连接。
27.在过流保护电路1中，当有大电流通过电路时，三极管13由截止进入饱和状态，使输出端处于低电平状态，运算放大器11用于为高压内部补偿提供前所未有的动态参数，电介质隔离装置提供极低的偏置电压值和偏置电流值，并伴有较大的输出电压摆幅和共模输入电压。第二光电耦合器14接收三极管13输入的信号后再输出，对三极管13的输出信号起到良好的隔离作用。
28.在一种可能的实现方式中，如图2所示，过流保护电路1还包括滤波电路12，滤波电路12设置于运算放大器11与三极管13之间。滤波电路尽可能地减小直流电压中的交流电压成分，保留直流电压，使输出的电压纹波系数降低、波形变得平缓。
29.在一种可能的实现方式中，如图2所示，使能控制电路2包括相连接的第三光电耦合器21和数字三极管22；第三光电耦合器21的输入端用于接收使能信号，数字三极管22的输出端与高压输出电路3连接。第三光电耦合器21对使能信号起到良好的隔离作用，当有使能信号输入时，第三光电耦合器21接收使能信号后再输出，将使能信号隔离后在输入给数字三极管22，使数字三极管22工作，和过流保护电路1中的三极管13共同控制高端输出。
30.在一种可能的实现方式中，如图2所示，高压输出电路3包括相连接的mos驱动电路31和第一光电耦合器32；mos驱动电路31的输入端用于接收高压输入；过流保护电路1和使能控制电路2均连接于mos驱动电路31上，以控制mos驱动电路31的输出。
31.mos驱动电路31用于控制高端输出，当过流保护电路1未检测到大电流和使能控制电路2检测到输入的同时，输出高端输出，即高压输出电路3为通路；当过流保护电路1未检测到大电流或使能控制电路2未使能信号输出时，不输出高端输出，即高压输出电路3为断路；第一光电耦合器32接收高端输出信号再进行输出，对高端输出指示信号起到良好的隔离作用。
32.在上述电路中，mos驱动电路采用p沟道mos晶体管，pmos管的空穴迁移率低，跨导小于n沟道mos晶体管。pmos在n型硅的衬底上，通过选择掺杂形成p型的掺杂区，作为pmos的源漏区，pmos驱动器具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、可以在高温环境下使用等特点。
33.以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对本技术限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术技术方案的范围。