一种PIM器件的产品内部结构的制作方法

一种pim器件的产品内部结构
技术领域
1.本实用新型涉及变频线路集成技术领域，具体涉及一种pim器件的产品内部结构。


背景技术：

2.pim电路是集合了整流电路、逆变电路、制动电路和温控开关的功能电路，传统的pim电路中，采用的是多个独立存在的单管（包括整流单管、逆变单管等）连接而成，电路体积大，且结构复杂，容易出现故障，且不易维护。因此，igbt功率集成模块pim（power intergrated mondule）逐步代替了传统的pim电路，igbt功率集成模块pim是指将二极管整流模块与igbt模块集成在同一模块上，以提高igbt电路的功率密度，减少通电产生的分布电感，且pim模块简化了安装工艺、方便了维修。目前，市场上15kw以下小功率变频线路多采用25a/40a/50a/75a的pim模块，主要应用在变频器，伺服电机，变频家电、医疗系统等领域，随着变频行业的飞速发展，对pim模块的需求量不断增加，而现有pim器件存在以下问题：
3.1、在pim器件内部电路的硬件结构中，普遍采用铝线工艺，由于igbt芯片应用时功率高，铝线工艺电流密度低，通电能力差，电阻值高，焊接区域易发量高，导致了pim器件较低的安全性能，增加了电路故障的发生率；
4.2、基于较低安全性能，导致pim器件的寿命端，具体表现在热疲劳寿命易失效；
5.3、工艺难度高，导致生产效率慢以及产品合格率低，具体表现为器件表面必须无氧化，否则接触不良失效，铝线工艺所用到的超声焊机工艺可调范围窄，bonding深度过浅易脱落，深度过深易损伤内部氧化层，导致器件失效。


技术实现要素：

6.本技术方案针对上述现有技术存在的问题，提供一种pim器件的产品内部结构，该结构采用clip工艺代替传统的铝线工艺，提高了产品的散热效率，增加pim器件热疲劳寿命。
7.为实现上述目的，本实用新型的提供如下技术方案：
8.一种pim器件产品的内部结构，包括覆铜陶瓷基板、三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测ntc器件。所述覆铜陶瓷基板包括基板本体和铜板单元，铜板单元贴合并固定于基板本体上，铜板单元上布设有分别与三相整流单元、三相逆变单元和温控检测ntc器件对应的极点。所述三相整流单元包括布设于铜板单元上的二极管芯片ⅰ、二极管芯片ⅱ、二极管芯片ⅲ、二极管芯片ⅳ、二极管芯片
ⅴ
和二极管芯片ⅵ，二极管芯片ⅰ、二极管芯片ⅱ、二极管芯片ⅲ、二极管芯片ⅳ、二极管芯片
ⅴ
和二极管芯片ⅵ的正极分别连接有clip铜片，二极管芯片ⅰ、二极管芯片ⅱ、二极管芯片ⅲ、二极管芯片ⅳ、二极管芯片
ⅴ
和二极管芯片ⅵ的负极连接于铜板单元上，二极管芯片ⅰ、二极管芯片ⅱ和二极管芯片ⅲ的负极通过铜板单元连接，二极管芯片ⅰ正极上的clip铜片通过铜板单元与二极管芯片ⅳ的负极连接，二极管芯片ⅱ正极上的clip铜片通过铜板单元与二极管芯片
ⅴ
的负极连接，二极管芯片ⅲ正极的clip铜片通过铜板单元与二极管芯片ⅵ的负极连接，二极管芯片ⅳ正极上的
clip铜片、二极管芯片
ⅴ
正极上的clip铜片和二极管芯片ⅵ正极上的clip铜片通过铜板单元连接。所述三相逆变单元包括igbt芯片ⅰ、igbt芯片ⅱ、igbt芯片ⅲ、igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
和igbt芯片ⅵ，igbt芯片ⅰ、igbt芯片ⅱ、igbt芯片ⅲ、igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
和igbt芯片ⅵ的发射极和控制极都分别设置有clip发射极铜片和clip控制极铜片，igbt芯片ⅰ、igbt芯片ⅱ、igbt芯片ⅲ、igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
和igbt芯片
ⅵꢀ
的集电极连接于铜板单元上，igbt芯片ⅰ、igbt芯片ⅱ和igbt芯片ⅲ的集电极通过铜板单元连接，igbt芯片ⅰ上的clip发射极铜片通过铜板单元与igbt芯片ⅳ的集电极连接，igbt芯片ⅱ上的clip发射极铜片通过铜板单元与igbt芯片
ⅴ
的集电极连接，igbt芯片ⅲ上的clip发射极铜片通过铜板单元与igbt芯片ⅵ的集电极连接，igbt芯片ⅰ、igbt芯片ⅱ、igbt芯片ⅲ、igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
和igbt芯片
ⅵꢀ
上的clip控制极铜片分别与铜板单元连接，igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
和igbt芯片上的clip发射极铜片分别与铜板单元连接。所述制动单元包括二极管芯片ⅶ和igbt芯片ⅶ，二极管芯片ⅶ的负极和igbt芯片ⅶ的集电极分别连接于铜板单元上，二极管芯片ⅶ的正极连接有clip铜片，igbt芯片ⅶ的发射极和控制极都分别设置有clip发射极铜片和clip控制极铜片，二极管芯片ⅶ正极的clip铜片通过铜板单元与igbt芯片ⅶ的集电极连接，igbt芯片ⅶ上的clip发射极铜片和clip控制极铜片分别与铜板单元连接。所述温控检测ntc器件的两端分别连接于铜板单元上。
9.优选的，所述铜板单元包括整流部；整流部包括一个铜板ⅰ，一个用于布设一个用于布设二极管芯片ⅰ、二极管芯片ⅱ和二极管芯片ⅲ的铜板ⅱ，以及一个用于布设二极管芯片ⅳ、二极管芯片
ⅴ
和二极管芯片ⅵ铜板ⅲ；二极管芯片ⅳ正极上的clip铜片、二极管芯片ⅳ、二极管芯片
ⅴ
和二极管芯片ⅵ，二极管芯片ⅰ、二极管芯片ⅱ和二极管芯片ⅲ的负极通过铜板ⅲ连接，二极管芯片ⅰ、二极管芯片ⅱ和二极管芯片ⅲ上的clip铜片通过铜板ⅱ分别与二极管芯片ⅳ、二极管芯片
ⅴ
和二极管芯片ⅵ的负极连接，二极管芯片ⅳ、二极管芯片
ⅴ
和二极管芯片ⅵ上的clip铜片连接于铜板ⅰ上。
10.优选的，所述铜板单元还包括制动逆变部；制动逆变部包括七个与clip控制极铜片一一对应的铜板ⅳ，三个分别与igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
和igbt芯片ⅵ上的clip发射极铜片一一对应的铜板
ⅴ
，一个用于布设二极管芯片ⅶ、igbt芯片ⅰ、igbt芯片ⅱ和igbt芯片ⅲ的铜板ⅵ，一个用于布设igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
和igbt芯片
ⅵꢀ
的铜板ⅶ，一个用于布设igbt芯片ⅶ的铜板
ⅷ
，一个用于连接igbt芯片ⅶ上的clip发射极铜片的铜板
ⅸ
，以及一个用于连接温控检测ntc器件的铜板
ⅹ
；二极管芯片ⅶ的负极、igbt芯片ⅰ的集电极、igbt芯片ⅱ的集电极和igbt芯片ⅲ的集电极通过铜板ⅵ连接，二极管芯片ⅶ正极的clip铜片通过铜板
ⅷ
igbt芯片ⅶ的集电极连接，igbt芯片ⅰ、igbt芯片ⅱ和igbt芯片ⅲ上的clip发射极铜片通过铜板ⅶ分别与igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
和igbt芯片ⅵ的集电极连接。
11.优选的，所述极点包括同时与二极管芯片ⅰ、二极管芯片ⅱ和二极管芯片ⅲ的负极连接的p极点，分别与二极管芯片ⅳ、二极管芯片
ⅴ
和二极管芯片ⅵ负极连接的l1极点、l2极点和l3极点，同时与二极管芯片ⅳ、二极管芯片
ⅴ
和二极管芯片ⅵ正极连接的n极点，分别与igbt芯片ⅰ、igbt芯片ⅱ、igbt芯片ⅲ、igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
、igbt芯片ⅵ和igbt芯片ⅶ控制极连接的g1极点、g2极点、g3极点、g5极点、g6极点和gb极点，分别与igbt芯片ⅰ、igbt芯片ⅱ、igbt芯片ⅲ、igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
、igbt芯片ⅵ和igbt芯片ⅶ发射极连接的u极点、v极点、w极点、ew极点、ev极点、eu极点和nb极点，同时与二极管芯片ⅶ的负极、
igbt芯片ⅰ的集电极、igbt芯片ⅱ的集电极和igbt芯片ⅲ的集电极连接的p1极点，与igbt芯片ⅶ集电极连接的b极点，以及分别与温控检测ntc器件两端连接的t1极点和t2极点。
12.优选的，所述igbt芯片ⅰ、igbt芯片ⅱ、igbt芯片ⅲ、igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
和igbt芯片ⅵ都由igbt本体和续流二极管构成。
13.优选的，所述二极管芯片ⅰ、二极管芯片ⅱ、二极管芯片ⅲ、二极管芯片ⅳ、二极管芯片
ⅴ
、二极管芯片ⅵ、二极管芯片ⅶ、igbt芯片ⅰ、igbt芯片ⅱ、igbt芯片ⅲ、igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
、igbt芯片ⅵ和igbt芯片ⅶ分别通过锡膏固定于铜板单元上。
14.优选的，所述clip铜片与铜板单元之间通过锡膏固定连接，所述clip发射极铜片与铜板单元之间通过锡膏固定连接，clip控制极铜片与铜片单元之间通过锡膏固定连接。
15.优选的，所述二极管芯片ⅰ、二极管芯片ⅱ、二极管芯片ⅲ、二极管芯片ⅳ、二极管芯片
ⅴ
、二极管芯片ⅵ和二极管芯片ⅶ的正极都是通过锡膏与对应的clip铜片固定连接，igbt芯片ⅰ、igbt芯片ⅱ、igbt芯片ⅲ、igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
、igbt芯片ⅵ和igbt芯片ⅶ的发射极都是通过锡膏与clip发射极铜片固定连接，igbt芯片ⅰ、igbt芯片ⅱ、igbt芯片ⅲ、igbt芯片ⅳ、igbt芯片
ⅴ
、igbt芯片ⅵ和igbt芯片ⅶ的控制极都是通过锡膏与clip控制极铜片固定连接。
16.本技术方案带来的有益效果：
17.1）在本技术方案中采用了覆铜陶瓷基板，覆铜陶瓷基板是使用dcb（directcopper bond）技术将铜箔直接烧结在陶瓷表面而制成的一种电子基础材料，具有极好的热循环性、形状稳定、刚性好、导热率高、可靠性高，覆铜面可以刻蚀出各种图形的特点，并且它是一种无污染、无公害的绿色产品，使用温度相当广泛，可以从-55℃～850℃，热膨胀系数接近于硅。
18.2）相对于现有技术中的铝线工艺，本技术方案中为采用clip工艺生产出的pim器件产品内部结构，其中，clip发射极铜片、clip控制极铜片以及clip铜片的横截面积远远大于铝线的横截面积，在同样的工作条件下，采用clip工艺生产出的pim器件产品内部结构的工作温度，要比铝线工艺生产出的pim器件产品内部结构的工作温度低5℃—10℃，加之覆铜陶瓷基板高导热率，进一步提高了产品的散热效率，综上所述，基于本技术方案的pim器件产品应用时功率高，clip发射极铜片、clip控制极铜片以及clip铜片上的电流密度高，通电能力提升，电阻值低，降低通电时发热量。
19.3）本技术方案将一个三相整流电流电路（三相整流单元）、一个三相逆变电路（三相逆变单元）、一个电机上单只igbt制动用的制动电路（制动单元）以及一个保护器件不要高温失效的温度控制开关（温控检测ntc器件）进行集成化，相对于现有技术中的单管（原来这些电路和开关都是独立存在的单管），本技术方案的pim器件结构小巧、使用方便，将该pim器件运用于相关电路中，可简化电路结构，基于pim器件采用的clip工艺，pim器件性能稳定，进一步使得使用该pim器件的电路安全可靠。
20.4）锡膏的使用为简化pim器件产品的生产工艺打下了良好的基础，具体表现为：可采用自动点胶机自动点涂锡膏，通过选择相应直径的点胶针以及设置自动点胶机的胶气压、点胶时间和点胶针高度等参数，严格把控锡膏的用量，确保点涂锡膏的均匀性，进一步确保pim器件产品的质量；进一步的，可采用真空烧结炉高温熔化,使相应材料之间合金固定，采用锡膏配合真空烧结工艺确保pim线路硬件结构表面无氧化，降低了pim器件的生产
工艺难度，提高生产效率的同时，增加了产品的合格率，其中，可通过设置真空烧结炉包括烧结温度、烧结时间和真空度的工作参数，使得pim器件中的锡膏的空洞率低于1%，以确保pim器件内部pim线路硬件结构连接的稳定性，同时降低pim器件内部pim线路中的电阻值，提高pim器件在使用时其内部pim线路中的电流密度，进一步降低pim器件的功耗，提高了pim器件的通电能力，综上所述，本技术方案降低了焊接区域（锡膏区域）的易发量，提高了pim器件的安全性能，进一步可降低电路的故障发生率。
附图说明
21.图1为本技术方案的整体结构示意图；
22.图2为本技术方案标记了极点的整体结构示意图；
23.图3为覆铜陶瓷基板的结构示意图；
24.图4为本技术方案的pim器件的电路结构示意图；
25.图中：
26.1、温控检测ntc器件；2、基板本体；3、二极管芯片ⅰ；4、二极管芯片ⅱ；5、二极管芯片ⅲ；6、二极管芯片ⅳ；7、二极管芯片
ⅴ
；8、二极管芯片ⅵ；9、clip铜片；10、igbt芯片ⅰ；11、igbt芯片ⅱ；12、igbt芯片ⅲ；13、igbt芯片ⅳ；14、igbt芯片
ⅴ
；15、igbt芯片ⅵ；16、clip发射极铜片；17、clip控制极铜片；18、二极管芯片ⅶ；19、igbt芯片ⅶ；20、铜板ⅰ；21、铜板ⅱ；22、铜板ⅲ；23、铜板ⅳ；24、铜板
ⅴ
；25、铜板ⅵ；26、铜板ⅶ；27、铜板
ⅷ
；28、铜板
ⅸ
；29、铜板
ⅹ
；30、p极点；31、l1极点；32、l2极点；33、l3极点；34、n极点；35、g1极点；36、g2极点；37、g3极点；38、g4极点；39、g5极点；40、g6极点；41、gb极点；42、u极点；43、v极点；44、w极点；45、ew极点；46、ev极点；47、eu极点；48、nb极点；49、p1极点；50、b极点；51、t1极点；52、t2极点。
具体实施方式
27.下面结合附图和实例对本实用新型做进一步说明，但不应理解为本实用新型仅限于以下实例，在不脱离本实用新型构思的前提下，本实用新型在本领域的变形和改进都应包含在本实用新型权利要求的保护范围内。
28.实施例1
29.本实施例公开了一种pim器件产品的内部结构，作为本技术方案一种基本的实施方案，包括覆铜陶瓷基板、三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测ntc器件1；覆铜陶瓷基板包括基板本体2和铜板单元，铜板单元贴合并固定于基板本体2上，铜板单元上布设有分别与三相整流单元、三相逆变单元和温控检测ntc器件1对应的极点；三相整流单元包括布设于铜板单元上的二极管芯片ⅰ3、二极管芯片ⅱ4、二极管芯片ⅲ5、二极管芯片ⅳ6、二极管芯片
ⅴ
7和二极管芯片ⅵ8，二极管芯片ⅰ3、二极管芯片ⅱ4、二极管芯片ⅲ5、二极管芯片ⅳ6、二极管芯片
ⅴ
7和二极管芯片ⅵ8的正极分别连接有clip铜片9，二极管芯片ⅰ3、二极管芯片ⅱ4、二极管芯片ⅲ5、二极管芯片ⅳ6、二极管芯片
ⅴ
7和二极管芯片ⅵ8的负极连接于铜板单元上，二极管芯片ⅰ3、二极管芯片ⅱ4和二极管芯片ⅲ5的负极通过铜板单元连接，二极管芯片ⅰ3正极上的clip铜片9通过铜板单元与二极管芯片ⅳ6的负极连接，二极管芯片ⅱ4正极上的clip铜片9通过铜板单元与二极管芯片
ⅴ
7的负极连接，二极管芯片ⅲ5正极的clip铜片9通过铜板单元与二极管芯片ⅵ8的负极连接，二极管芯片ⅳ6正极上的
clip铜片9、二极管芯片
ⅴ
7正极上的clip铜片9和二极管芯片ⅵ8正极上的clip铜片9通过铜板单元连接；三相逆变单元包括igbt芯片ⅰ10、igbt芯片ⅱ11、igbt芯片ⅲ12、igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14和igbt芯片ⅵ15，igbt芯片ⅰ10、igbt芯片ⅱ11、igbt芯片ⅲ12、igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14和igbt芯片ⅵ15的发射极和控制极都分别设置有clip发射极铜片16和clip控制极铜片17，igbt芯片ⅰ10、igbt芯片ⅱ11、igbt芯片ⅲ12、igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14和igbt芯片ⅵ15 的集电极连接于铜板单元上，igbt芯片ⅰ10、igbt芯片ⅱ11和igbt芯片ⅲ12的集电极通过铜板单元连接，igbt芯片ⅰ10上的clip发射极铜片16通过铜板单元与igbt芯片ⅳ13的集电极连接，igbt芯片ⅱ11上的clip发射极铜片16通过铜板单元与igbt芯片
ⅴ
14的集电极连接，igbt芯片ⅲ12上的clip发射极铜片16通过铜板单元与igbt芯片ⅵ15的集电极连接，igbt芯片ⅰ10、igbt芯片ⅱ11、igbt芯片ⅲ12、igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14和igbt芯片ⅵ15 上的clip控制极铜片17分别与铜板单元连接，igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14和igbt芯片上的clip发射极铜片16分别与铜板单元连接；制动单元包括二极管芯片ⅶ18和igbt芯片ⅶ19，二极管芯片ⅶ18的负极和igbt芯片ⅶ19的集电极分别连接于铜板单元上，二极管芯片ⅶ18的正极连接有clip铜片9，igbt芯片ⅶ19的发射极和控制极都分别设置有clip发射极铜片16和clip控制极铜片17，二极管芯片ⅶ18正极的clip铜片9通过铜板单元与igbt芯片ⅶ19的集电极连接，igbt芯片ⅶ19上的clip发射极铜片16和clip控制极铜片17分别与铜板单元连接；温控检测ntc器件1的两端分别连接于铜板单元上。
30.在本技术方案中采用了覆铜陶瓷基板，覆铜陶瓷基板是使用dcb（directcopper bond）技术将铜箔直接烧结在陶瓷表面而制成的一种电子基础材料，具有极好的热循环性、形状稳定、刚性好、导热率高、可靠性高，覆铜面可以刻蚀出各种图形的特点，并且它是一种无污染、无公害的绿色产品，使用温度相当广泛，可以从-55℃～850℃，热膨胀系数接近于硅。相对于现有技术中的铝线工艺，本技术方案中为采用clip工艺生产出的pim器件产品内部结构，其中，clip发射极铜片16、clip控制极铜片17以及clip铜片9的横截面积远远大于铝线的横截面积，在同样的工作条件下，采用clip工艺生产出的pim器件产品内部结构的工作温度，要比铝线工艺生产出的pim器件产品内部结构的工作温度低5℃—10℃，加之覆铜陶瓷基板高导热率，进一步提高了产品的散热效率，综上所述，基于本技术方案的pim器件产品应用时功率高，clip发射极铜片16、clip控制极铜片17以及clip铜片9上的电流密度高，通电能力提升，电阻值低，降低通电时发热量。另外，本技术方案将一个三相整流电流电路（三相整流单元）、一个三相逆变电路（三相逆变单元）、一个电机上单只igbt制动用的制动电路（制动单元）以及一个保护器件不要高温失效的温度控制开关（温控检测ntc器件1）进行集成化，相对于现有技术中的单管（原来这些电路和开关都是独立存在的单管），本技术方案的pim器件结构小巧、使用方便，将该pim器件运用于相关电路中，可简化电路结构，基于pim器件采用的clip工艺，pim器件性能稳定，进一步使得使用该pim器件的电路安全可靠。
31.实施例2
32.本实施例公开了一种pim器件产品的内部结构，作为本技术方案一种优选的实施方案，即实施例1中，铜板单元包括整流部；整流部包括一个铜板ⅰ20，一个用于布设二极管芯片ⅳ6、二极管芯片
ⅴ
7和二极管芯片ⅵ8的铜板ⅱ21，以及一个用于布设二极管芯片ⅰ3、二极管芯片ⅱ4和二极管芯片ⅲ5的铜板ⅲ22；二极管芯片ⅳ6正极上的clip铜片9、二极管
芯片ⅳ6、二极管芯片
ⅴ
7和二极管芯片ⅵ8，二极管芯片ⅰ3、二极管芯片ⅱ4和二极管芯片ⅲ5的负极通过铜板ⅲ22连接，二极管芯片ⅰ3、二极管芯片ⅱ4和二极管芯片ⅲ5上的clip铜片9通过铜板ⅱ21分别与二极管芯片ⅳ6、二极管芯片
ⅴ
7和二极管芯片ⅵ8的负极连接。
33.进一步的，铜板单元还包括制动逆变部；制动逆变部包括七个与clip控制极铜片17一一对应的铜板ⅳ23，三个分别与igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14和igbt芯片ⅵ15上的clip发射极铜片16一一对应的铜板
ⅴ
24，一个用于布设二极管芯片ⅶ18、igbt芯片ⅰ10、igbt芯片ⅱ11和igbt芯片ⅲ12的铜板ⅵ25，一个用于布设igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14和igbt芯片ⅵ15 的铜板ⅶ26，一个用于布设igbt芯片ⅶ19的铜板
ⅷ
27，一个用于连接igbt芯片ⅶ19上的clip发射极铜片16的铜板
ⅸ
28，以及一个用于连接温控检测ntc器件1的铜板
ⅹ
29；二极管芯片ⅶ18的负极、igbt芯片ⅰ10的集电极、igbt芯片ⅱ11的集电极和igbt芯片ⅲ12的集电极通过铜板ⅵ25连接，二极管芯片ⅶ18正极的clip铜片9通过铜板
ⅷ
27igbt芯片ⅶ19的集电极连接，igbt芯片ⅰ10、igbt芯片ⅱ11和igbt芯片ⅲ12上的clip发射极铜片16通过铜板ⅶ26分别与igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14和igbt芯片ⅵ15的集电极连接。
34.本技术方案根据各单元的电路结构需要，将铜板单元划分为多个板块，使得pim器件电路硬件分布更为合理，各部分的连接点更为清楚明了，便于将生产流程统一化，降低生产错误率。
35.实施例3
36.本实施例公开了一种pim器件产品的内部结构，作为本技术方案一种优选的实施方案，即实施例1中，极点包括同时与二极管芯片ⅰ3、二极管芯片ⅱ4和二极管芯片ⅲ5的负极连接的p极点30，分别与二极管芯片ⅳ6、二极管芯片
ⅴ
7和二极管芯片ⅵ8负极连接的l1极点31、l2极点32和l3极点33，同时与二极管芯片ⅳ6、二极管芯片
ⅴ
7和二极管芯片ⅵ8正极连接的n极点34，分别与igbt芯片ⅰ10、igbt芯片ⅱ11、igbt芯片ⅲ12、igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14、igbt芯片ⅵ15和igbt芯片ⅶ19控制极连接的g1极点35、g2极点36、g3极点37、g5极点39、g6极点40和gb极点41，分别与igbt芯片ⅰ10、igbt芯片ⅱ11、igbt芯片ⅲ12、igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14、igbt芯片ⅵ15和igbt芯片ⅶ19发射极连接的u极点42、v极点43、w极点44、ew极点45、ev极点46、eu极点47和nb极点48，同时与二极管芯片ⅶ18的负极、igbt芯片ⅰ10的集电极、igbt芯片ⅱ11的集电极和igbt芯片ⅲ12的集电极连接的p1极点49，与igbt芯片ⅶ19集电极连接的b极点50，以及分别与温控检测ntc器件1两端连接的t1极点51和t2极点52。
37.基于设定好的极点，方便了引脚的设置，可基于极点布设引脚，便于pim器件的使用。
38.实施例4
39.本实施例公开了一种pim器件产品的内部结构，作为本技术方案一种优选的实施方案，即实施例1中，igbt芯片ⅰ10、igbt芯片ⅱ11、igbt芯片ⅲ12、igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14和igbt芯片ⅵ15都由igbt本体和续流二极管构成。本技术方案的三相逆变单元中采用并联有续流二极管的igbt芯片，该igbt芯片不会因突然关断产生的高压而击穿，如此便使得三相逆变单元在电路出现电压或电流突变时自带保护作用，进一步提高的pim器件的安全性能。
40.进一步的，二极管芯片ⅰ3、二极管芯片ⅱ4、二极管芯片ⅲ5、二极管芯片ⅳ6、二极
管芯片
ⅴ
7、二极管芯片ⅵ8、二极管芯片ⅶ18、igbt芯片ⅰ10、igbt芯片ⅱ11、igbt芯片ⅲ12、igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14、igbt芯片ⅵ15和igbt芯片ⅶ19分别通过锡膏固定于铜板单元上。进一步的，clip铜片9与铜板单元之间通过锡膏固定连接，所述clip发射极铜片16与铜板单元之间通过锡膏固定连接，clip控制极铜片17与铜片单元之间通过锡膏固定连接。进一步的，二极管芯片ⅰ3、二极管芯片ⅱ4、二极管芯片ⅲ5、二极管芯片ⅳ6、二极管芯片
ⅴ
7、二极管芯片ⅵ8和二极管芯片ⅶ18的正极都是通过锡膏与对应的clip铜片9固定连接，igbt芯片ⅰ10、igbt芯片ⅱ11、igbt芯片ⅲ12、igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14、igbt芯片ⅵ15和igbt芯片ⅶ19的发射极都是通过锡膏与clip发射极铜片16固定连接，igbt芯片ⅰ10、igbt芯片ⅱ11、igbt芯片ⅲ12、igbt芯片ⅳ13、igbt芯片
ⅴ
14、igbt芯片ⅵ15和igbt芯片ⅶ19的控制极都是通过锡膏与clip控制极铜片17固定连接。
41.锡膏的使用为简化pim器件产品的生产工艺打下了良好的基础，具体表现为：可采用自动点胶机自动点涂锡膏，通过选择相应直径的点胶针以及设置自动点胶机的胶气压、点胶时间和点胶针高度等参数，严格把控锡膏的用量，确保点涂锡膏的均匀性，进一步确保pim器件产品的质量；进一步的，可采用真空烧结炉高温熔化,使相应材料之间合金固定，采用锡膏配合真空烧结工艺确保pim线路硬件结构表面无氧化，降低了pim器件的生产工艺难度，提高生产效率的同时，增加了产品的合格率，其中，可通过设置真空烧结炉包括烧结温度、烧结时间和真空度的工作参数，使得pim器件中的锡膏的空洞率低于1%，以确保pim器件内部pim线路硬件结构连接的稳定性，同时降低pim器件内部pim线路中的电阻值，提高pim器件在使用时其内部pim线路中的电流密度，进一步降低pim器件的功耗，提高了pim器件的通电能力，综上所述，本技术方案降低了焊接区域（锡膏区域）的易发量，提高了pim器件的安全性能，进一步可降低电路的故障发生率。