一种PWM控制电路的制作方法

一种pwm控制电路
技术领域
1.本实用新型涉及pwm技术领域，特别涉及一种pwm控制电路。


背景技术：

2.随着电力电子技术的发展，pwm控制技术广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的诸多领域中，是最广泛应用的控制方式之一。传统的pwm控制电路有如下缺点：电路供电易受干扰，无供电隔离保护电路，不能控制mos管的导通和截止，不能调整输出的功率大小，提供电压是不稳定，电路保护性差。


技术实现要素：

3.针对现有技术存在的问题，本实用新型提供一种pwm控制电路。
4.为了实现上述目的，本实用新型技术方案如下：
5.本实用新型提供一种pwm控制电路，包括：pwm控制芯片、pwm输出电路、稳压电路、光耦电路、mos管电路；所述pwm控制芯片对应端分别与光耦电路、稳压电路、pwm输出电路电性连接；所述pwm输出电路对应端还与mos管电路电性连接；所述pwm输出电路包括电阻r13a、二极管d3、三级管q1、电阻r11、电阻r12；所述电阻r13a一端与pwm控制芯片对应端电性连接，另一端分别与二极管d3一端、三级管q1第一对应端电性连接；所述三级管q1第二对应端分别与二极管d3另一端、电阻r11一端、电阻r12一端电性连接；所述三级管q1第一对应端还与电阻r11另一端电性连接；所述电阻r12另一端与mos管电路对应端电性连接。
6.优选地，所述pwm控制芯片的型号设为ld5760。
7.优选地，所述稳压电路包括二极管d4、电阻r14、电容c9；所述pwm控制芯片的第六对应端分别与电容c9、二极管d4一端电性连接；所述二极管d4另一端与电阻r14一端电性连接。
8.优选地，所述光耦电路包括光耦隔离器u4a、电容c4；所述pwm控制芯片的第二对应端分别与光耦隔离器u4a、电容c4一对应端电性连接。
9.优选地，所述mos管电路包括mos管q2、电容c2；所述mos管q2栅极对应端与电阻r12另一端电性连接；所述mos管q2源极与电容c2一端电性连接，所述mos管q2漏极与电容c2另一端电性连接。
10.优选地，所述pwm控制电路还包括电阻r15、电阻r16、电阻r18、电阻r19、电容c3、电阻r17、电阻r10、电阻r33；所述pwm控制芯片第一对应端与电阻r18一端电性连接，所述电阻r18另一端分别与光耦隔离器u4a另一对应端、电容c4另一端pwm控制芯片第四对应端、电阻r19一端电性连接，所述电阻r19另一端接地；所述pwm控制芯片第三对应端分别与电容c3一端、电阻r17一端电性连接，所述电容c3另一端接地，所述电阻r17另一端分别与电阻r10一端、电阻r33一端、mos管q2源极电性连接；所述电阻r10另一端分别与三级管q1第三对应端、电阻r11另一端电性连接；所述电阻r33另一端接地。
11.优选地，所述电阻r13a一端与pwm控制芯片第五对应端电性连接
12.采用本实用新型的技术方案，具有以下有益效果：本实用新型电路供电不易受干扰，设有隔离保护电路，pwm控制芯片通过控制pwm输出电路来控制mos管的导通和截止，能调整输出的功率大小，能提供稳定电压，电路保护性差。
附图说明
13.图1为本实用新型电路原理图。
具体实施方式
14.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
15.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
16.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
17.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
18.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之
[0019]“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0020]
参照图1，本实用新型提供一种pwm控制电路，包括：pwm控制芯片201、pwm输出电路203、稳压电路205、光耦电路202、mos管电路204；所述pwm控制芯片201对应端分别与光耦电路202、稳压电路205、pwm输出电路203电性连接；所述pwm输出电路203对应端还与mos管电路204电性连接；所述pwm输出电路203包括电阻r13a、二极管d3、三级管q1、电阻r11、电阻r12；所述电阻r13a一端与pwm控制芯片对应端电性连接，另一端分别与二极管d3一端、三级管q1第一对应端电性连接；所述三级管q1第二对应端分别与二极管d3另一端、电阻r11一端、电阻r12一端电性连接；所述三级管q1第一对应端还与电阻r11另一端电性连接；所述电
阻r12另一端与mos管电路对应端电性连接；所述pwm控制芯片201的型号设为ld5760；所述稳压电路205包括二极管d4、电阻r14、电容c9；所述pwm控制芯片201的第六对应端分别与电容c9、二极管d4一端电性连接；所述二极管d4另一端与电阻r14一端电性连接；所述光耦电路包括光耦隔离器u4a、电容c4；所述pwm控制芯片201的第二对应端分别与光耦隔离器u4a、电容c4一对应端电性连接；所述mos管电路204包括mos管q2、电容c2；所述mos管q2栅极对应端与电阻r12另一端电性连接；所述mos管q2源极与电容c2一端电性连接，所述mos管q2漏极与电容c2另一端电性连接；所述pwm控制电路203还包括电阻r15、电阻r16、电阻r18、电阻r19、电容c3、电阻r17、电阻r10、电阻r33；所述pwm控制芯片201第一对应端与电阻r18一端电性连接，所述电阻r18另一端分别与光耦隔离器u4a另一对应端、电容c4另一端pwm控制芯片201第四对应端、电阻r19一端电性连接，所述电阻r19另一端接地；所述pwm控制芯片201第三对应端分别与电容c3一端、电阻r17一端电性连接，所述电容c3另一端接地，所述电阻r17另一端分别与电阻r10一端、电阻r33一端、mos管q2源极电性连接；所述电阻r10另一端分别与三级管q1第三对应端、电阻r11另一端电性连接；所述电阻r33另一端接地；所述电阻r13a一端与pwm控制芯片第五对应端电性连接。
[0021]
本实用新型工作原理如下：
[0022]
pwm控制电路第一脚为rt双功能引脚，用于过温关闭/锁存控制，pwm控制电路第二脚为反馈输入针，pwm占空比由该针脚中的电压电平和cs针脚上的电流感应信号决定，pwm控制电路第三脚为电流感应输入脚，通过电阻17、电阻r33、电阻r10可以调整输出的功率大小；pwm控制电路第四脚为接地脚，pwm控制电路第五脚为pwm芯片输出控制脚，经过、pwm输出电路来控制mos管q2的导通和截止，pwm控制电路第六脚为vdd电源ic供电电压，给ic提供稳定的电压，使ic能够正常的工作，pwm控制电路第八脚为高压启动脚。
[0023]
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。