一种电容充电自锁电路的制作方法

文档序号:31117357发布日期:2022-08-12 22:33阅读:360来源:国知局
一种电容充电自锁电路的制作方法

1.本技术涉及电力电子的技术领域,特别涉及一种电容充电自锁电路。


背景技术:

2.目前,很多电源设备,尤其是需要瞬间大功率输出设备都依靠电容来提供能量,因此就需要对电容进行充电。如附图1所示,充电电路一般都采用dc-dc升压模块110,以boost升压电路为例,其包括pwm脉冲发生器、电感器l、第一电容器c1、第一二极管d1和第一开关管q1,第一开关管q1的集电极分别与电感器l的一端和第一二极管d1的阳极连接,第一开关管q1的发射分别与第一电容器c1负极、负载的一端和电池负极连接,第一开关管q1的基极与pwm脉冲发生器连接,第一二极管d1的阴极分别与第一电容器c1正极和负载的另一端连接,电感器l的另一端与电池正极连接;电感器l的一端与第一二极管d1的阳极串联。
3.为了便于后期维护和更换电容,基本都增加放电回路120,该放电回路120可以包括:可控硅d2和第一电阻器r1,第一电阻器r1与第一电容器c1并联,可控硅d2与第一电阻器r1串联,用于控制放电回路120的通断。第一电容器c1充电时,可控硅d2断开,第一开关管q1断开,电池为第一电容器c1充电;第一电容器c1放电时,可控硅d2导通,第一电容器c1中储存的电能通过第一电阻器r1被消耗掉,从而便于对电容的维护和更换。
4.针对上述相关技术,发明人发现,当第一电容器c1放电时,由于第一电容器c1的电量随着被消耗,前级dc-dc升压模块也有可能会对第一电容器c1进行充电,因此导致放电回路出现边充电边放电的异常,导致放电回路一直处于工作状态,从而损坏放电回路中的元器件。


技术实现要素:

5.为了减少放电回路放电时,出现边充电边放电的情况,本技术提供了一种电容充电自锁电路。
6.一种电容充电自锁电路,其包括:放电电流检测模块、电压比较模块和充电控制模块;其中,
7.所述放电电流检测模块与放电回路连接,用于实时检测所述放电回路是否导通,并实时输出检测电压va;
8.所述电压比较模块与所述放电电流检测模块连接,用于接收所述检测电压va,并将所述检测电压va与预设的参考电压verf进行比较,以输出电平信号vb;
9.所述充电控制模块分别与所述电压比较模块和dc-dc升压模块连接,用于接收并响应所述电平信号vb,以控制所述dc-dc升压模块通断。
10.通过采用上述技术方案,当放电回路中的可控硅d2断开时,放电回路断开,此时电流检测模块会输出一检测电压va1;当放电回路中的可控硅d2导通时,第一电容器c1与第一电阻器r1形成回路,释放储存的电能,此时放电电流检测模块会输出另一检测电压va2,根据检测电压va值的不同,即可判断放电回路是否导通;电压比较模块能够通过比较检测电
压va和参考电压vref的大小关系,输出稳定的电平信号vb;当放电回路导通后,充电控制模块基于接收到的电平信号vb,控制dc-dc升压模块断开,从而减少了放电回路放电时,出现边充电边放电的情况。
11.可选的,所述放电电流检测模块包括光电耦合器oc、第二电阻器r2、第三电阻器r3、第二开关管q2、第四电阻器r4和第五电阻器r5;其中,
12.所述光电耦合器oc的初级阳极端连接于第一电阻器r1的另一端,所述光电耦合器oc的初级阴极端与所述第二电阻器r2的一端连接,所述第二电阻器r2的另一端与可控硅d2的阳极连接;
13.所述光电耦合器oc的次级集电极端与所述第三电阻器r3的一端连接,所述第三电阻器r3的另一端连接有第一供电电源vcc1,所述光电耦合器oc的次级发射极端与所述第四电阻器r4的一端连接,所述第四电阻器r4的另一端接地;所述第二开关管q2的基极与所述第四电阻器r4的一端连接,所述第二开关管q2的集电极与所述第五电阻器r5的一端连接,所述第五电阻器r5的另一端与所述第一供电电源vcc1连接,所述第二开关管q2的发射极接地;
14.所述电压比较模块与所述第二开关管q2的集电极连接,用于接收所述检测电压va。
15.通过采用上述技术方案,当第一电容器c1充电时,光电耦合器oc断开,第二开关管q2断开,此时电压比较模块获取到一检测电压va1;当第一电容器c1放电时,光电耦合器oc和第二电阻器r2会产生电流ia,电流ia使得光电耦合器oc导通,第一供电电源vcc1供电后,光电耦合器oc输出电流ib,电流ib的分压使得第二开关管q2导通,从而使得电压比较模块获取到另一检测电压va2。其中第五电阻器r5能够防止第二开关管q2导通时第一供电电源vcc1直接接地,造成第一供电电源vcc1短路。
16.可选的,所述电压比较模块包括参考电压vref生成电路和比较电路,所述参考电压vref生成电路用于输出预设的参考电压vref,所述比较电路用于比较所述参考电压vref和所述检测电压va的大小,并输出所述电平信号vb。
17.通过采用上述技术方案,第一电容器c1充放电时,比较电路获取到的检测电压va的值不同,因此将两不同的检测电压va分别与参考电压vref进行比较,以输出电平信号vb,通过电平信号vb即可判断第一电容器c1是否放电。
18.可选的,所述参考电压vref生成电路包括稳压二极管d3、第六电阻器r6、第七电阻器r7、第八电阻器r8和第二电容器c2;其中,
19.所述第六电阻器的一端连接有第二供电电源vcc2,另一端与所述第七电阻器r7一端连接,所述第七电阻器r7的另一端与所述第八电阻器r8的一端串联,所述第八电阻器r8的另一端接地;所述稳压二极管d3的输入端与所述第八电阻器r8的一端连接,所述稳压二极管d3的接地端接地,所述稳压二极管d3的输出端与所述第七电阻器r7的一端连接;所述第二电容器c2的一端接地,另一端分别与所述稳压二极管d3的输出端和所述比较电路连接。
20.通过采用上述技术方案,通过调节第七电阻器r7和第八电阻器r8的阻值,使得参考电压vref生成电路输出的参考电压vref可调。
21.可选的,所述比较电路包括电压比较器a和第九电阻器r9,所述电压比较器a的同
相输入端与所述第二电容器c2的另一端连接,所述电压比较器a的反相输入端与所述第二开关管q2的集电极连接;所述电压比较器a的输出端与所述第九电阻器r9的一端连接,所述第九电阻器r9的另一端与所述充电控制模块连接。
22.通过采用上述技术方案,当参考电压vref大于检测电压va时,电压比较器a输出高电平信号vb+,当参考电压vref小于检测电压va时,电压比较器a输出高电平信号vb-;第九电阻器r9可以限制电压比较器a输出的电流,防止大电流损坏其他元件。
23.可选的,所述比较电路还包括第十电阻器r10和第十一电阻器r11,所述第十电阻器r10的一端与所述第二开关管q2的集电极连接,另一端与所述电压比较器a的反向输入端连接;所述第十一电阻器r11的一端接地,另一端与所述第十电阻器r10的另一端连接。
24.通过采用上述技术方案,调整第十电阻器r10和第十一电阻器r11的阻值,能够调整检测电压va输入电压比较器a反相输入端的电压值。
25.可选的,所述第十一电阻器r11的两端还并联有第二电容器c2。
26.通过采用上述技术方案,第二电容器c2为滤波电容器,能够使得输入电压比较器a反相输入端的电压更加平稳。
27.可选的,所述充电控制模块包括充电控制芯片和第十二电阻器r12,所述第十二电阻器r12的一端接地,另一端与所述充电控制芯片的使能端连接,所述充电控制芯片的使能端与所述第九电阻器r9的另一端连接。
28.通过采用上述技术方案,当检测到第一电容器c1放电时,充电控制芯片自锁,从而控制dc-dc升压模块断开;第十二电阻器r12为下拉电阻,能够防止充电控制芯片的使能端的电压悬空,减少了充电控制芯片误动作,从而使得充电控制芯片只有在高电平时自锁。
29.可选的,所述充电控制模块还包括mcu和第四二极管d4,所述第四二极管d4的阳极与所述第九电阻器r9的另一端连接,所述第四二极管d4的阴极与所述mcu的输入端连接,所述mcu的输出端与所述充电控制芯片连接。
30.通过采用上述技术方案,电平信号vb输入至mcu内,为mcu控制充电控制芯片的软件判定当前状态提供依据,用软件控制充电控制芯片自锁,从而实现软件控制,进一步提高了对dc-dc升压模块的自锁效果。
31.可选的,所述电容充电自锁电路还包括发光二极管vd和第十三电阻器r13,所述发光二极管vd的阳极与所述第九电阻器r9的另一端连接,所述发光二极管vd的阴极与所述第十三电阻器r13的一端串联,所述第十三电阻器r13的另一端接地。
32.通过采用上述技术方案,当电压比较器a输出高电平信号vb+时,发光二极管vd点亮,从而提示放电回路处于放电状态,清晰明了的反映了当前放电回路的状态,同时提示充电控制芯片实现了自锁。
33.综上所述,本技术至少包括以下有益效果:
34.1.设置放电电流检测模块、电压比较模块和充电控制模块的目的是,通过放电电流检测模块检测放电回路是否导通,电压比较模块能够通过比较放电回路导通或是断开时,放电电流检测模块输出的检测电压va和参考电压vref的大小关系,输出稳定的电平信号vb,使得充电控制模块基于该电平信号vb控制dc-dc升压模块通断,以减少放电回路放电时边充边放的情况发生。
35.2.设置参考电压vref生成电路,通过调节第七电阻器r7和第八电阻器r8的阻值,
使得参考电压vref生成电路能够输出稳定且可调的参考电压vref。
36.3.设置发光二极管vd的目的是,通过发光二极管vd的亮灭,清晰明了的反映当前放电回路的状态。
附图说明
37.图1是相关技术的电路结构示意图;
38.图2是本技术一种电容充电自锁电路的控制结构框图;
39.图3是本技术一种电容充电自锁电路的电路结构示意图。
40.附图标记说明:110、dc-dc升压模块;120、放电回路;200、放电电流检测模块;300、电压比较模块;310、参考电压vref生成电路;320、比较电路;400、充电控制模块;410、充电控制芯片;420、mcu。
具体实施方式
41.本技术结合附图1-附图3进一步进行详细说明。
42.本技术公布了一种电容充电自锁电路,作为电容充电自锁电路一种实施方式,如附图2所示,其包括:放电电流检测模块200、电压比较模块300和充电控制模块400;其中,
43.放电电流检测模块200与放电回路120连接,用于实时检测放电回路120是否导通,并实时输出检测电压va;
44.电压比较模块300与放电电流检测模块200连接,用于接收检测电压va,并将检测电压va与预设的参考电压verf进行比较,以输出电平信号vb。例如,放电电路断开时,检测电压为va1,当放电电路导通时,检测电压为va2,当参考电压vref大于检测电压va1时,输出高电平信号vb+,当参考电压vref小于检测电压va2时,输出低电平信号vb-;
45.充电控制模块400分别与电压比较模块300和dc-dc升压模块110连接,用于接收并响应电平信号vb,以控制dc-dc升压模块110通断。例如,当充电控制模块400接收到高电平信号vb+时,控制dc-dc升压模块110断开。
46.如附图3所示,作为放电电流检测模块200的一种实施方式,放电电流检测模块200包括光电耦合器oc、第二电阻器r2、第三电阻器r3、第二开关管q2、第四电阻器r4和第五电阻器r5;其中,
47.光电耦合器oc的初级阳极端连接于第一电阻器r1的正极端,光电耦合器oc的初级阴极端与第二电阻器r2的一端连接,第二电阻器r2的另一端与可控硅d2的阳极连接;
48.光电耦合器oc的次级集电极端与第三电阻器r3的一端连接,第三电阻器r3的另一端连接有第一供电电源vcc1,光电耦合器oc的次级发射极端与第四电阻器r4的一端连接,第四电阻器r4的另一端接地;第二开关管q2的基极与第四电阻器r4的一端连接,第二开关管q2的集电极与第五电阻器r5的一端连接,第五电阻器r5的另一端与第一供电电源vcc1连接,第二开关管q2的发射极接地;电压比较模块300与第二开关管q2的集电极连接,用于接收检测电压va。
49.本实施方式中,第二开关管q2采用的是npn型三极管,第一供电电源vcc1电压为5v。
50.作为电压比较模块300的一种实施方式,其包括参考电压vref生成电路310和比较
电路320,参考电压vref生成电路310用于输出预设的参考电压vref,比较电路320用于比较参考电压vref和检测电压va的大小,并输出电平信号vb。
51.作为参考电压vref生成电路310的一种实施方式,其包括:参考电压vref生成电路310包括稳压二极管d3、第六电阻器r6、第七电阻器r7、第八电阻器r8和第二电容器c2;其中,
52.第六电阻器的一端连接有第二供电电源vcc2,另一端与第七电阻器r7一端连接,第七电阻器r7的另一端与第八电阻器r8的一端串联,第八电阻器r8的另一端接地;稳压二极管d3的输入端与第八电阻器r8的一端连接,稳压二极管d3的接地端接地,稳压二极管d3的输出端与第七电阻器r7的一端连接;第二电容器c2的一端接地,另一端分别与稳压二极管d3的输出端和比较电路320连接。通过第七电阻器r7和第八电阻器r8的阻值,即可调整参考电压vref的值,例如,将第八电阻器r8的阻值设置为ω,第七电阻器r7的阻值设置为20ω,则参考电压vref生成电路310输出的参考电压vref为3v。
53.作为比较电路320的一种实施方式,比较电路320包括电压比较器a和第九电阻器r9,电压比较器a的同相输入端与第二电容器c2的另一端连接,电压比较器a的反相输入端与第二开关管q2的集电极连接;电压比较器a的输出端与第九电阻器r9的一端连接,第九电阻器r9的另一端与充电控制模块400连接。本实施方式中,电压比较器a采用lm358,由第三供电电源vcc3供电,电压为5v。
54.为了能够调整放电电流检测模块200输入电压比较器a的电压,比较电路320还包括第十电阻器r10和第十一电阻器r11,第十电阻器r10的一端与第二开关管q2的集电极连接,另一端与电压比较器a的反向输入端连接;第十一电阻器r11的一端接地,另一端与第十电阻器r10的另一端连接。例如,参考电压vref为3v,通过调整第十电阻器r10和第十一电阻器r11的阻值,可以在第二开关管q2截至时,将输入比较电路320的反向输入端的电压值调整到4v,又因为在第二开关管q2导通时va小于3v,所以当第二开关管q2截至,即第一电容器c1未放电时,电压比较器a输出低电平信号vb-;当第二开关管q2导通,即第一电容器c1放电时,电压比较器a输出高电平信号vb+。
55.并且,为了使得输入电压比较器a反相输入端的电压更加平稳,第十一电阻器r11的两端上还并联有第三电容器c3。
56.作为充电控制模块400的一种实施方式,其包括充电控制芯片410和第十二电阻器r12,第十二电阻器r12的一端接地,另一端与充电控制芯片410的使能端连接,充电控制芯片410的使能端与第九电阻器r9的另一端连接。本实施方式中充电控制芯片410可以选择sg3525。
57.充电控制模块400还包括mcu420和第四二极管d4,第四二极管d4的阳极与第九电阻器r9的另一端连接,第四二极管d4的阴极与mcu420的输入端连接,mcu420的输出端可以与充电控制芯片410连接。
58.为了清晰明了的反映当前放电回路120的状态,电容充电自锁电路还包括发光二极管vd和第十三电阻器r13,发光二极管vd的阳极与第九电阻器r9的另一端连接,发光二极管vd的阴极与第十三电阻器r13的一端连接,第十三电阻器r13的另一端接地。
59.本实施例的实施原理为:
60.当第一电容器c1向第一电阻器r1放电时,光电耦合器oc初级上会产生电流ia,使
得光电耦合器oc内部的发光元件发光,从而在光电耦合器oc的次级上产生电流ib,电流ib流过第四电阻器r4,使得第二开关管q2基极电压高于发射极电压,第二开关管q2导通,第二开关管q2的集电极接地,使得放电电流检测模块200输出检测电压va1;当第一电容器c1未向第一电阻器r1放电时,第二开关管q2截止,放电电流检测模块200输出检测电压va2;
61.通过调整第七电阻器r7和第八电阻器r8的阻值,从而能够调整输入电压比较器a同相输入端参考电压vref的值,以使放电电流检测模块200输出检测电压va1时,使得电压比较器a的反相输入端的电压小于参考电压vref,放电电流检测模块200输出检测电压va2时,使得电压比较器a的反相输入端的电压大于参考电压vref;在电压比较器a的反相输入端的电压小于参考电压vref时,电压比较器a输出高电平vb+,充电控制芯片410接收并响应该高电平vb+,从而使得充电控制芯片410控制控制dc-dc升压模块110断开,停止对第一电容器c1充电。
62.以上均为本技术的较佳实施例,并非依此限制本技术的保护范围,故:凡依本技术的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本技术的保护范围之内。
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