一种低功耗记忆启动电路的制作方法

1.本实用新型涉及记忆启动电路技术领域，尤其涉及一种低功耗记忆启动电路。


背景技术：

2.由于新能源和移动储能的快速发展，大量的电器设备都有设计低功耗模式来降低能源的消耗，提高产品的续航能力。
3.然而现有的进入低功耗模式方式各有缺点，一种为机械断电，这种不利于自动化低功耗控制，重新上电后不能直接根据掉电前的工作状态工作，只能重新利用机械开关进行工作；另一种为mcu控制进入低功耗模式，这种虽然能记忆掉电前的工作状态，但由于需要大量的低功耗控制电路和低功耗ldo，成本较高，且控制复杂，软件工作量大，mcu需要一直处于通电状态，功耗偏高，一般处于10ua以上。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的是提供一种低功耗记忆启动电路，旨在解决现有技术中，成本较高且功耗较高的问题。
5.本实用新型实施例提供了一种低功耗记忆启动电路，用于连接控制器，包括：
6.低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器的输出端口连接所述控制器的供电端口，为所述控制器提供稳定的供电电压；
7.第一pnp三极管，所述第一pnp三极管的发射极连接上电端口，所述第一pnp三极管的集电极连接低压差线性稳压器的输入端口；
8.npn三极管，npn三极管的集电极连接所述第一pnp三极管的控制端，所述npn三极管的发射极接地，所述npn三极管的控制端连接所述控制器的模式控制端口；
9.延迟电容c1，所述第一pnp三极管的控制端通过所述延迟电容c1接地；
10.第二pnp三极管，所述pnp三极管的发射极连接所述第一pnp三极管的控制端，所述pnp三极管的集电极接地，所述第二pnp三极管的控制端连接上电端口；
11.电阻r1和电阻r2，所述电阻r1设置于所述第一pnp三极管的控制端和其发射极之间，所述电阻r2一端连接所述第一pnp三极管的控制端，所述电阻r2另一端连接所述延迟电容c1。
12.可选的，所述上电端口与所述第一pnp三极管的发射极之间设置有第一滤波模块。
13.可选的，所述第一滤波模块包括第一电容和第二电容，且所述第一电容和第二电容并联后分别连接上电端口和接地。
14.可选的，所述低压差线性稳压器的输入端口设置有第二滤波模块。
15.可选的，所述低压差线性稳压器的输出端口设置上有第三滤波模块。
16.可选的，所述第二滤波模块包括第三电容，所述第三电容分别连接所述低压差线性稳压器的输入端口和接地。
17.可选的，所述第三滤波模块包括第四电容和第五电容，所述第四电容和第五电容
并联后分别连接所述低压差线性稳压器的输出端口和接地。
18.可选的，二极管和电阻r3，所述二极管的阳极通过所述电阻r3连接所述第二pnp三极管的发射极，所述二极管的阴极连接所述延迟电容c1和所述第一pnp三极管的控制端。
19.可选的，所述控制器的模式控制端口和所述npn三极管的控制端之间设置电阻r4。
20.可选的，电阻r5和电阻r6，所述电阻r5设置于所述第二pnp三极管的控制端和集电极之间，所述电阻r6设置于所述npn三极管的控制端和其发射极之间。
21.本实用新型通过在上电时通过低功耗的低压差线性稳压器对控制器持续供电，控制器对断电前的工作状态进行检索回复，成本较低，且由于控制器可完全关断，故耗电量较低。
附图说明
22.为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
23.图1为本实用新型实施例提供的低功耗记忆启动电路的电路图。
24.说明：
25.t1、第一pnp三极管；t2、npn三极管：t3、第二pnp三极管；u1、低压差线性稳压器。
具体实施方式
26.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
27.应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
28.还应当理解，在此本实用新型说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本实用新型。如在本实用新型说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
29.还应当进一步理解，在本实用新型说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
30.请参阅图1，一种低功耗记忆启动电路，用于连接控制器，包括：
31.低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器的输出端口连接所述控制器的供电端口，为所述控制器提供稳定的供电电压；
32.第一pnp三极管，所述第一pnp三极管的发射极连接上电端口，所述第一pnp三极管的集电极连接低压差线性稳压器的输入端口；
33.npn三极管，npn三极管的集电极连接所述第一pnp三极管的控制端，所述npn三极管的发射极接地，所述npn三极管的控制端连接所述控制器的模式控制端口；
34.延迟电容c1，所述第一pnp三极管的控制端通过所述延迟电容c1接地；
35.第二pnp三极管，所述pnp三极管的发射极连接所述第一pnp三极管的控制端，所述pnp三极管的集电极接地，所述第二pnp三极管的控制端连接上电端口；
36.电阻r1和电阻r2，所述电阻r1设置于所述第一pnp三极管的控制端和其发射极之间，所述电阻r2一端连接所述第一pnp三极管的控制端，所述电阻r2另一端连接所述延迟电容c1，在上电端口上电后，将会通过电阻r1和电阻r2对延迟电容c1进行充电，具体的充电时间为t＝(r1+r2)*c1。
37.在本实施例中，第一pnp三极管在上电端口上电后导通，并使得低压差线性稳压器的输出端口为控制器的供电端口持续提供供电电压，与此同时，控制器由于是断电状态，故其模式控制端口为低电平，npn三极管处于截止状态，且第二pnp三极管亦处于截止状态，故连接第一pnp三极管的控制端的延迟电容c1会持续充电；
38.在延迟电容c1充电期间，第一pnp三极管一直处于导通状态，并在第一pnp三极管的控制端电压等于第一pnp三极管的发射极电压时，延迟电容c1停止充电，第一pnp三极管截止，低压差线性稳压器停止工作并使得控制器断电，可以将第一pnp三极管的这段导通时间看成是给予控制器识别内部eeprom记忆工作状态的时间，在这段时间中，如果控制器识别到断电前的工作状态为正常工作模式，将会赋予模式控制端口高电平，使得npn三极管导通，进而使得第一pnp三极管持续导通(延迟电容c1不会再充电)，控制器能得到持续的供电电压，进入正常工作状态；如果控制器识别到断电前为低功耗模式，将会赋予模式控制端口低电平，使得npn三极管仍处于截止状态，在经过一定时间后，第一pnp三极管截止，低压差线性稳压器停止工作并使得控制器断电，此时如果想从低功耗模式进入正常工作模式，可以通过外部按钮对控制器进行控制，切换工作模式。
39.具体的，也可以在控制器上电后直接赋予模式控制端口高电平，使得第一pnp三极管锁住导通状态，为控制器持续提供5v电源，然后再去识别内部eeprom记忆工作状态，防止时间到了控制器断电而使产品异常。
40.为了方便下次供电准备，避免下次上电后没法使得第一pnp三极管导通，会在断开上电端口的电源后，对延迟电容c1进行放电；
41.具体的，断开上电端口的电源后，第二pnp三极管会导通，并使得延迟电容c1通过二极管和第二pnp三极管进行放电。
42.本记忆启动电路使用的是低功耗的低压差线性稳压器，且控制器无需启动低功耗控制，通过直接断电进入，使得功耗更小，实用的电路电子器件均为普通电子器件，成本更低。
43.具体的，为了使得开启时更加稳定，电阻r1和电阻r2和延迟电容的值需要满足以下条件：
44.r1/r2＞0.0778；
45.r1+r2＞470kω；
46.t＝(r1+r2)*c1＞＝100ms。
47.其中，低压差线性稳压器为5v的ldo。
48.在一实施例中，所述上电端口与所述第一pnp三极管的发射极之间设置有第一滤波模块。
49.在本实施例中，通过设置第一滤波模块对输入电路进行滤波。
50.在一实施例中，所述第一滤波模块包括第一电容c2和第二电容c3，且所述第一电容c2和第二电容c3并联后分别连接上电端口和接地。
51.在一实施例中，所述低压差线性稳压器的输入端口设置有第二滤波模块。
52.在本实施例中，通过设置第二滤波模块对低压差线性稳压器的输入电路进行滤波。
53.在一实施例中，所述低压差线性稳压器的输出端口设置上有第三滤波模块。
54.在本实施例中，通过设置第三滤波模块对低压差线性稳压器的输出电路进行滤波。
55.在一实施例中，所述第二滤波模块包括第三电容c4，所述第三电容c4分别连接所述低压差线性稳压器的输入端口和接地。
56.在一实施例中，所述第三滤波模块包括第四电容c5和第五电容c6，所述第四电容和第五电容并联后分别连接所述低压差线性稳压器的输出端口和接地。
57.在一实施例中，二极管d1和电阻r3，所述二极管的阳极通过所述电阻r3连接所述第二pnp三极管的发射极，所述二极管的阴极连接所述延迟电容c1和所述第一pnp三极管的控制端。
58.在本实施例中，二极管可避免电流回流，电阻r3可避免放电时电流过大。
59.在一实施例中，所述控制器的模式控制端口和所述npn三极管的控制端之间设置电阻r4。
60.在本实施例中，电阻r4可使得npn三极管的导通电流没有那么大。
61.在一实施例中，电阻r5和电阻r6，所述电阻r5设置于所述第二pnp三极管的控制端和集电极之间，所述电阻r6设置于所述npn三极管的控制端和其发射极之间。
62.在本实施例中，通过设置电阻r5和电阻r6，可以对未上电情况下的静电进行排除。
63.在一实施例中，电阻r7，所述电阻r7设置于所述上电端口和所述第二pnp三极管的控制端之间。
64.在本实施例中，通过设置电阻r7，有利于放电，并对低功耗模式下的电流进行限制。
65.具体的，在低功耗模式下，电流只从电阻r7和电阻r5流至接地端。
66.在一优选的实施例中，电阻r5为4.7m，电阻r7为470k。
67.在本实施例中，低功耗模式下的最大电流imax＝上电端口电压/(r7+r5)＝32v/(470k+4.7m)＝6.18ua。
68.以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。