一种可控硅的隔离控制电路的制作方法

1.本实用新型涉及电源电路技术领域，具体是一种可控硅的隔离控制电路。


背景技术：

2.隔离电路，就是使两个电路之间没有电气上的直接联系。即，两个电路之间是相互绝缘的。同时还要保证两个电路维持能量传输的关系。
3.现有可控硅隔离控制电路采用自带过零检测的光耦控制，有过零点滞后的问题，例如下述情况。
4.一、过零点零滞后，造成开关损耗大。
5.二、emc超标，存在不好抑制。
6.三、整体电路存在成本高。


技术实现要素：

7.本实用新型的目的在于克服上述的技术问题而提出一种能可补偿导通时间，做到过零点导通、降低了开关损耗、整体成本低的可控硅的隔离控制电路。
8.本实用新型描述的一种可控硅的隔离控制电路，包括整流电路和阻容电路，阻容电路和整流电路相连接，整流电路的输出端连接有单片机u1，单片机u1与调节驱动电路之间通过降压电路相连接，调节驱动电路包括光耦器u3、第一三极管q1、可控硅管tr1 和发热管接头heat1，光耦器u3的4脚连接于第一三极管q1的基极，第一三极管q1的发射极连接于可控硅管tr1的控制端g，可控硅管tr1与发热管接头heat1相连接。
9.具体进一步，所述阻容电路包括第一电阻r1、第二电阻r2、第一电容c1、压敏电阻znr1和第十四电阻r14，第一电阻r1和第二电阻r2相串联，第一电阻r1的一端连接于第一电容c1的一侧，第二电阻r2的一端连接于第一电容c1的另一侧，第一电容c1和压敏电阻znr1相并联，压敏电阻znr1的一端与第十四电阻r14相连接。
10.具体进一步，所述整流电路包括第一二极管d1、第二二极管d2、第一电解电容ec1、第二电解电容ec2、第一电感l1、第三二极管d3、第三电解电容ec3、第三电阻r3和第四电阻r4，第一电解电容ec1和第二电解电容ec2相并联，第一电感l1分别连接于第一电解电容ec1和第二电解电容ec2的一端，第一二极管d1和第二二极管d2相串联，第二二极管d2连接于第一电感l1和第一电解电容ec1之间的公共端，第三二极管d3的一端连接于第一电解电容ec1和第二电解电容ec2的另一个公共端，第三电解电容ec3与第三二极管d3相连接，第三电阻r3和第四电阻r4相串联，第三电阻r3的一端连接于第一电感l1和第二电解电容ec2之间的公共端。
11.具体进一步，所述单片机u1的型号为ln8k15-dip，单片机u1的4脚连接有第二电容c2。
12.具体进一步，所述第二电容c2还连接有第四二极管d4，第四二极管d4分别连接有第七电阻r7、第三电容c3和第四电解电容ec4，单片机u1的5脚连接有第五电阻r5和第六电
阻r6，第五电阻r5和第六电阻r6分别连接于第四二极管d4的一端。
13.具体进一步，所述降压电路1包括变压器t1、第五二极管d5、第五电解电容ec5、第三电容c3、降压芯片u2、第六电解电容ec6和第四电容c4，变压器t1的9脚、第五二极管d5和降压芯片u2的1脚依次相连接，第五电解电容ec5和第三电容c3相并联，第五电解电容ec5和第三电容c3的一侧公共端连接于降压芯片u2的1脚，第五电解电容ec5和第三电容c3的另一侧公共端连接于降压芯片u2的2脚，第六电解电容ec6和第四电容c4相并联，第六电解电容ec6和第四电容c4之间的一侧公共端连接于降压芯片u2的3脚，第六电解电容ec6和第四电容c4之间的另一侧公共端连接于降压芯片u2的2脚。
14.具体进一步，所述光耦器u3的1脚和2脚之间连接有第八电容c8，第八电容c8的一端与光耦器u3的1脚之间的公共端还连接有第十三电阻r13。
15.具体进一步，所述光耦器u3的4脚和3脚之间连接有第七电容c7，光耦器u3的4脚与第七电容c7之间的公共端连接有第十二电阻r12，第一三极管q1的发射极与基极之间分别连接有第十电阻r10和第六电容c6。
16.具体进一步，所述第一三极管q1的集电极连接有第十一电阻r11，可控硅管tr1的一端分别连接有第八电阻r8和第九电阻r9，第八电阻r8连接有第五电容c5。
17.本实用新型的有益效果：本电路通过单片机u1与调节驱动电路之间通过降压电路相连接，单片机u1能可补偿导通时间，光耦器u3做到过零点导通，实施降低了开关损耗和整体成本低。
附图说明
18.本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解。
19.图1是本实用新型的整流电路、阻容电路、单片机和降压电路相连接电路图。
20.图2是本实用新型的驱动电路图。
21.附图中的标记如下：降压电路1、驱动电路2。
具体实施方式
22.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
23.如图1至图2所示，本实用新型描述的一种可控硅的隔离控制电路，包括整流电路和阻容电路，阻容电路和整流电路相连接，整流电路的输出端连接有单片机u1，单片机u1与调节驱动电路2之间通过降压电路1相连接，调节驱动电路2包括光耦器u3、第一三极管q1、可控硅管tr1 和发热管接头heat1，光耦器u3的4脚连接于第一三极管q1的基极，第一三极管q1的发射极连接于可控硅管tr1的控制端g，可控硅管tr1与发热管接头heat1相连接。
24.本电路通过单片机u1与调节驱动电路2之间通过降压电路1相连接，单片机u1能可补偿导通时间，光耦器u3做到过零点导通，实施降低了开关损耗和整体成本低。
25.其中，阻容电路的作用是：在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作
电流，其中电路如下：所述阻容电路包括第一电阻r1、第二电阻r2、第一电容c1、压敏电阻znr1和第十四电阻r14，第一电阻r1和第二电阻r2相串联，第一电阻r1的一端连接于第一电容c1的一侧，第二电阻r2的一端连接于第一电容c1的另一侧，第一电容c1和压敏电阻znr1相并联，压敏电阻znr1的一端与第十四电阻r14相连接。其中通过第一电容c1实施容抗。另外，压敏电阻znr1用于有效地保护了电路中的其它元器件不致过压而损坏。
26.其中，整流电路实施将交流转变成直流电，供应到单片机u1上使用，单片机u1根据光耦器u3的过零点零滞后参数，实施可补偿导通时间，从而实施光耦器u3做到过零点导通和降低了开关损耗。还配合降压电路实施降压到指定的电压值，例如附图所示，电压值为+9v和+5v。降压电路向调节驱动电路供电，实施启动调节驱动电路，调节驱动电路与发热管相连接，驱动电路导通发热管，发热管发出热量对液体进行加热。本电路发热管优选功率为2050w。
27.具体进一步，所述整流电路包括第一二极管d1、第二二极管d2、第一电解电容ec1、第二电解电容ec2、第一电感l1、第三二极管d3、第三电解电容ec3、第三电阻r3和第四电阻r4，第一电解电容ec1和第二电解电容ec2相并联，第一电感l1分别连接于第一电解电容ec1和第二电解电容ec2的一端，第一二极管d1和第二二极管d2相串联，第二二极管d2连接于第一电感l1和第一电解电容ec1之间的公共端，第三二极管d3的一端连接于第一电解电容ec1和第二电解电容ec2的另一个公共端，第三电解电容ec3与第三二极管d3相连接，第三电阻r3和第四电阻r4相串联，第三电阻r3的一端连接于第一电感l1和第二电解电容ec2之间的公共端。另外，第一电感l1是色环电感，该第一电感l1的工作原理就是充电和放电，当然还有整流和振荡作用。再者，第一电解电容ec1和第二电解电容ec2组合使用，起到脉动直流电压变得很稳定。
28.具体进一步，所述单片机u1的型号为ln8k15-dip，光耦器u3的型号为pc817，该单片机u1可补偿导通时间能适配本电路中的光耦器u3。单片机u1的4脚连接有第二电容c2。
29.具体进一步，所述第二电容c2还连接有第四二极管d4，第四二极管d4分别连接有第七电阻r7、第三电容c3和第四电解电容ec4，单片机u1的5脚连接有第五电阻r5和第六电阻r6，第五电阻r5和第六电阻r6分别连接于第四二极管d4的一端。
30.具体进一步，所述降压电路1包括变压器t1、第五二极管d5、第五电解电容ec5、第三电容c3、降压芯片u2、第六电解电容ec6和第四电容c4，变压器t1的9脚、第五二极管d5和降压芯片u2的1脚依次相连接，第五电解电容ec5和第三电容c3相并联，第五电解电容ec5和第三电容c3的一侧公共端连接于降压芯片u2的1脚，第五电解电容ec5和第三电容c3的另一侧公共端连接于降压芯片u2的2脚，第六电解电容ec6和第四电容c4相并联，第六电解电容ec6和第四电容c4之间的一侧公共端连接于降压芯片u2的3脚，第六电解电容ec6和第四电容c4之间的另一侧公共端连接于降压芯片u2的2脚。其中降压芯片u2的型号为78l05。第五电解电容ec5和第三电容c3组合主要针对+9v电压进行稳压，第六电解电容ec6和第四电容c4组合主要针对+5v电压进行稳定。变压器t1对12v进行降压至9v，降压芯片u2对9v进行降压至5v。
31.具体进一步，所述光耦器u3的1脚和2脚之间连接有第八电容c8，第八电容c8的一端与光耦器u3的1脚之间的公共端还连接有第十三电阻r13。第八电容c8和第十三电阻r13组合而用于保护光耦器u3的作用。
32.具体进一步，所述光耦器u3的4脚和3脚之间连接有第七电容c7，光耦器u3的4脚与第七电容c7之间的公共端连接有第十二电阻r12，第一三极管q1的发射极与基极之间分别连接有第十电阻r10和第六电容c6。第七电容c7和第十二电阻r12组合而用于保护第一三极管q1的作用。光耦器u3得电后，令第一三极管q1的基极得电实施导通，控制可控硅管tr1导通，实施供电到发热管上，控制可控硅管tr1控制发热管的工作状态。可控硅管tr1的型号为bta24 ，该抗压为800v。
33.具体进一步，所述第一三极管q1的集电极连接有第十一电阻r11，可控硅管tr1的一端分别连接有第八电阻r8和第九电阻r9，第八电阻r8连接有第五电容c5。第八电阻r8和第九电阻r9用于限压的作用。
34.上述的内容为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。