一种新型ETH口防护电路的制作方法

一种新型eth口防护电路
技术领域
1.本实用新型涉及eth口防护技术领域，特别涉及一种新型eth口防护电路。


背景技术：

2.传统的网口防护电路使用隔离变压器、bob smith电路、tvs管来实现网口防护功能，使用传统的方案造成空间大，不灵活，成本高，且不能解决eth的ce、dp、re、浪涌测试中出现超标的问题，本技术因此而研发。


技术实现要素：

3.针对现有技术存在的问题，本实用新型提供一种新型eth口防护电路。
4.为了实现上述目的，本实用新型技术方案如下：
5.一种新型eth口防护电路，包括：依次电性连接的网口、eth防护模块、主控芯片；
6.所述eth防护模块包括依次电性连接的一级差模防护和浪涌防护电路、一级共模防护电路、耦合电路、二极差模防护电路、二极共模防护电路；
7.所述网口对应与一级差模防护和浪涌防护电路对应端电性连接；所述二极共模防护电路对应端还与主控芯片对应端电性连接。
8.优选地，所述一级差模防护和浪涌防护电路包括磁珠fb1、高压电容c1、差模电感t1；所述磁珠fb1一端对应与差模电感t1对应端电性连接，另一端与高压电容c1一端电性连接；所述高压电容c1另一端接地；所述差模电感t1对应端还与网口连接。
9.优选地，所述一级共模防护电路包括共模电感t2；所述共模电感t2对应端与差模电感t1对应端电性连接。
10.优选地，所述耦合电路包括电容c2、电容c3；所述电容c2与电容c3一端分别与共模电感t2对应端电性连接，另一端与二极差模防护电路对应端电性连接。
11.优选地，所述二极差模防护电路包括esd二极管；所述esd二极管一端与电容c2另一端连接，另一端与电容c3另一端电性连接。
12.优选地，所述二极共模防护电路包括电容c4、电容c5、磁珠fb2、磁珠fb3、磁珠fb4、磁珠fb5；所述磁珠fb2一端分别与电容c4、esd二极管一端电性连接，另一端经磁珠fb4与主控芯片对应端电性连接，所述电容c4另一端接地；所述磁珠fb3一端分别与电容c5一端、esd二极管另一端电性连接，另一端经磁珠fb5与主控芯片对应端电性连接，所述电容c5另一端接地。
13.优选地，所述网口包括rj45网口。
14.优选地，所述主控芯片设为phy芯片。
15.采用本实用新型的技术方案，具有以下有益效果：本实用新型使用eth网口时，能够解决eth的ce、re、dp、浪涌等防护问题，占用空间小，灵活，成本低。
附图说明
16.图1为本实用新型模块示意图一；
17.图2为本实用新型模块示意图二；
18.图3为本实用新型电路原理图；
19.图4为本实用新型ce测试数据示意图；
20.图5为本实用新型dp测试数据示意图；
21.图6为本实用新型re测试数据示意图；
22.图7为本实用新型浪涌测试数据示意图。
具体实施方式
23.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
24.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
25.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
26.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
27.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
28.参照图1至图7，本实用新型提供一种新型eth口防护电路，包括：依次电性连接的网口s1、eth防护模块s2、主控芯片s3；
29.所述eth防护模块s2包括依次电性连接的一级差模防护和浪涌防护电路s201、一级共模防护电路s202、耦合电路s203、二极差模防护电路s204、二极共模防护电路s205；所述网口s1对应与一级差模防护和浪涌防护电路s201对应端电性连接；所述二极共模防护电
路s205对应端还与主控芯片s3对应端电性连接；所述网口s1包括rj45网口；所述主控芯片s3设为phy芯片.
30.进一步地，在ce防护中，主要起作用的是一级差模防护和浪涌防护电路s201、二极差模防护电路s204构成防护，可根据实际单板适当调整差模电感t1、共模电感t2电感量的值；所述一级差模防护和浪涌防护电路s201包括磁珠fb1、高压电容c1、差模电感t1；所述磁珠fb1一端对应与差模电感t1对应端电性连接，另一端与高压电容c1一端电性连接；所述高压电容c1另一端接地；所述差模电感t1对应端还与网口连接。所述一级共模防护电路s202包括共模电感t2；所述共模电感t2对应端与差模电感t1对应端电性连接。
31.进一步地，所述耦合电路s203包括电容c2、电容c3；所述电容c2与电容c3一端分别与共模电感t2对应端电性连接，另一端与二极差模防护电路对应端电性连接。进一步地，所述二极差模防护电路s204包括esd二极管；所述esd二极管一端与电容c2另一端连接，另一端与电容c3另一端电性连接。进一步地，所述二极共模防护电路s205包括电容c4、电容c5、磁珠fb2、磁珠fb3、磁珠fb4、磁珠fb5；所述磁珠fb2一端分别与电容c4、esd二极管一端电性连接，另一端经磁珠fb4与主控芯片对应端电性连接，所述电容c4另一端接地；所述磁珠fb3一端分别与电容c5一端、esd二极管另一端电性连接，另一端经磁珠fb5与主控芯片对应端电性连接，所述电容c5另一端接地。
32.进一步地，在ce防护中，主要起作用的是一级差模防护和浪涌防护电路s201与二极差模防护电路s204构成防护，可根据实际单板适当调整t1、t2电感量的值。
33.进一步地，在re防护中，主要起作用的是一级差模防护和浪涌防护电路s201、一级共模防护电路s202、二极差模防护电路s204、二极共模防护电路s205。他们的值可以根据测试要求适当调整电感、电阻、电容的合适的值来满足测试要求。
34.进一步地，在dp防护中，主要起作用的是一级差模防护电路、一级共模防护电路s202、二极差模防护电路s204和二极共模防护电路s205。他们的值可以根据测试要求适当调整合适的值；本实施例中eth：局域网通讯接口；ce：传导干扰测试；re：辐射干扰测试；dp：骚扰功率测试。
35.进一步地，在浪涌防护中，主要起作用的是一级差模防护和浪涌防护电路s201，可以根据测试要求，适当调整电感量和电容的抗压值来满足设计要求。
36.本实用新型使用eth网口时，能够解决eth的ce、re、dp、浪涌等防护问题，占用空间小，灵活，成本低。
37.以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。