一种通过三极管实现的过流保护电路的制作方法

本技术涉及三极管电路保护，具体为一种通过三极管实现的过流保护电路。

背景技术：

1、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。现有电路当负载输出过流或发生短路时，全靠低边电流采集判断，延时过长，容易造成元件损坏。为此，我们提出了一种通过三极管实现的过流保护电路。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种通过三极管实现的过流保护电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种通过三极管实现的过流保护电路，包括电阻r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7，电容c1、c2、c3、c4，三极管q1和集成三极管q2，所述q2包括q2-1和q2-2，所述电阻r1与q1的g极连接，所述三极管q1的s极与电容c1并联，所述电容c1与三极管q1的s极并联端接地，所述三极管q1的d端与q2-1的b端相连接，所述三极管q1的d端与电阻r2相连接，所述三极管q2-1的b端以及所述三极管q2-1的e端并联有电阻r3以及电容c2，所述三极管q2-1的e端与电阻r3以及电容c2的并联端接地，所述三极管q2-2的b端与电阻r7相连通，所述电阻r7接电源输入端vdd，所述三极管q2-1的c端与三极管q2-2的b端之间并联有电阻r6，所述三极管q2-2的e接电源输入端vdd，所述电源输入端vdd通过电容c3接地，所述三极管q2-2的c端通过电容c4接地，所述电容c4与电阻r5并联，所述q2-1的b与三极管q2-2的c端之间并联有电阻r4。

3、优选的，所述三极管q2-1的c端与电阻r6的并联处为输出信号端。

4、优选的，所述电阻r2端为输入信号端。

5、优选的，所述电阻r1端为控制信号端。

6、优选的，所述三极管q1为场效应管增强型n-mos管。

7、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该种通过三极管实现的过流保护电路，当负载过流或者短路，输入信号超过设计阈值时，q2-1导通，输出信号由高变为低，之后，q2-2也随之导通，电路自锁，外接mcu采集到相应电平为低，切断驱动，等待软件设计的固定周期后mcu输出高电平控制信号，电路解锁，再次实时监测负载电流。负载过流或者短路时，可及时传输给mcu，保证电路不损坏，确保产品功能。该种保护电路，通过三极管采集负载故障，避免了软件延时对元件的损坏，保证产品安全

技术特征：

1.一种通过三极管实现的过流保护电路，包括电阻r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7,电容c1、c2、c3、c4，三极管q1和集成三极管q2，其特征在于：所述q2包括q2-1和q2-2，所述电阻r1与q1的g极连接，所述三极管q1的s极与电容c1并联，所述电容c1与三极管q1的s极并联端接地，所述三极管q1的d端与q2-1的b端相连接，所述三极管q1的d端与电阻r2相连接，所述三极管q2-1的b端以及所述三极管q2-1的e端并联有电阻r3以及电容c2，所述三极管q2-1的e端与电阻r3以及电容c2的并联端接地，所述三极管q2-2的b端与电阻r7相连通，所述电阻r7接电源输入端vdd，所述三极管q2-1的c端与三极管q2-2的b端之间并联有电阻r6，所述三极管q2-2的e接电源输入端vdd，所述电源输入端vdd通过电容c3接地，所述三极管q2-2的c端通过电容c4接地，所述电容c4与电阻r5并联，所述q2-1的b与三极管q2-2的c端之间并联有电阻r4。

2.根据权利要求1所述的一种通过三极管实现的过流保护电路，其特征在于：所述三极管q2-1的c端与电阻r6的并联处为输出信号端。

3.根据权利要求1所述的一种通过三极管实现的过流保护电路，其特征在于：所述电阻r2端为输入信号端。

4.根据权利要求1所述的一种通过三极管实现的过流保护电路，其特征在于：所述电阻r1端为控制信号端。

5.根据权利要求1所述的一种通过三极管实现的过流保护电路，其特征在于：所述三极管q1为场效应管增强型n-mos管。

技术总结
本技术公开了一种通过三极管实现的过流保护电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，电容C1、C2、C3、C4，三极管Q1和集成三极管Q2，所述Q2包括Q2‑1和Q2‑2，所述电阻R1与Q1的G极连接，所述三极管Q1的S极与电容C1并联，所述三极管Q1的D端与Q2‑1的B端相连接，所述三极管Q1的D端与电阻R2相连接，所述三极管Q2‑1的B端以及所述三极管Q2‑1的E端并联有电阻R3以及电容C2，所述三极管Q2‑2的B端与电阻R7相连通，所述三极管Q2‑1的C端与三极管Q2‑2的B端之间并联有电阻R6，所述Q2‑1的B与三极管Q2‑2的C端之间并联有电阻R4。该种保护电路，通过三极管采集负载故障，避免了软件延时对元件的损坏，保证产品安全。

技术研发人员：陈焕焕,段威,孟凡利
受保护的技术使用者：上海技涵电子科技有限公司
技术研发日：20221020
技术公布日：2024/1/13