多串并联紫外LED防击穿电路的制作方法

本技术涉及紫外led，具体的，涉及多串并联紫外led防击穿电路。

背景技术：

1、窄谱uvb-led作为光源，多应用在生物医疗器械光疗产品中，为保证光源能均匀的直接照射人体皮肤，多采用多串uvb-led并联的方式。但是由于uvb-led本身波长、发光角度、电压、电流、光功率等特性，多串uvb-led并联输出均匀辐射照度对各方面的设计提出了严格的要求。

2、在将多串紫外led并联使用的过程中，由于串联数量较多，工作状态无法保持一致，同时供电电压存在波动，在电压突然增大的情况下，会存在部分紫外led被击穿的问题。

技术实现思路

1、本实用新型提出多串并联紫外led防击穿电路，解决了现有技术中供电电压存在波动，在电压突然增大的情况下，会存在部分紫外led被击穿的问题。

2、本实用新型的技术方案如下：

3、多串并联紫外led防击穿电路，包括电源模块，

4、还包括防击穿led电路，所述防击穿led电路包括电阻r3、稳压二极管d1和矩阵式并联led，所述电阻r3的第一端连接电源v+端，所述电阻r3的第二端连接所述矩阵式并联led的阳极，所述矩阵式并联led的阴极连接电源v-端，所述矩阵式并联led的阴极连接所述稳压二极管d1的阳极，所述稳压二极管d1的阴极连接所述电阻r3的第一端。

5、作为进一步的技术方案，还包括电感l1，所述电感l1的第一端连接所述稳压二极管d1的阳极，所述电感l1的第二端连接所述矩阵式并联led的阴极。

6、作为进一步的技术方案，还包括保护电路，所述保护电路包括电阻r6、电容c3、单向晶闸管q1、稳压二极管d2和电阻r4，所述电阻r6的第一端连接所述矩阵式并联led的阳极，所述电阻r6的第二端连接所述电容c3的第一端，所述电容c3的第二端连接所述矩阵式并联led的阴极，所述电阻r6的第一端连接所述单向晶闸管q1的阳极，所述单向晶闸管q1的阴极连接所述电容c3的第二端，所述单向晶闸管q1的阳极连接所述稳压二极管d2的阴极，所述稳压二极管d2的阳极连接所述电阻r4的第一端，所述电阻r4的第二端连接所述单向晶闸管q1的门极。

7、作为进一步的技术方案，所述保护电路还包括热敏电阻r5和稳压二极管d3，所述单向晶闸管q1的阳极连接所述热敏电阻r5的第一端，所述热敏电阻r5的第二端连接所述稳压二极管d3的阴极，所述稳压二极管d3的阳极连接所述单向晶闸管q1的门极。

8、作为进一步的技术方案，所述电源模块包括恒流恒压驱动电路，所述恒流恒压驱动电路包括依次连接的整流电路、pwm控制电路和恒流恒压控制电路，所述pwm控制电路包括控制芯片u1、换能变压器b、光耦u2、电阻r8、电容c5和二极管d5，所述整流电路的输出端连接所述换能变压器b第一初级线圈的第一端，所述整流电路的输出端连接所述电容c5的第一端，所述电容c5的第一端连接所述电阻r8的第一端，所述电阻r8的第二端连接所述二极管d5的阴极，所述二极管d5的阳极连接所述换能变压器b第一初级线圈的第二端，所述换能变压器b第一初级线圈的第二端连接所述控制芯片u1的输出端，所述控制芯片u1的控制端连接所述光耦u2三极管的发射极，所述光耦u2三极管的集电极连接所述换能变压器b第二初级线圈的第一端，所述换能变压器b第二初级线圈的第二端接地，所述光耦u2二极管的阳极连接所述换能变压器b次级线圈的第一端，所述光耦u2二极管的阴极连接所述恒流恒压控制电路，所述换能变压器b次级线圈的第一端连接所述矩阵式并联led的阳极，所述换能变压器b次级线圈的第二端连接所述矩阵式并联led的阴极。

9、作为进一步的技术方案，所述恒流恒压控制电路包括电阻r9、三极管q2、变阻器rp2、电阻r11、电阻r10、切换开关k、电阻r12、变阻器rp3、可控精密稳压源u3、稳压二极管d7和电容c9，所述换能变压器b次级线圈的第一端连接所述电阻r9的第一端，所述电阻r9的第二端连接所述光耦u2二极管的阳极，所述光耦u2二极管的阴极连接所述三极管q2的集电极，所述三极管q2的基极连接所述变阻器rp2的第一端，所述变阻器rp2的第二端接地，所述三极管q2的集电极连接所述稳压二极管d7的阴极，所述稳压二极管d7的阳极接地，所述三极管q2的发射极连接所述电阻r11的第一端，所述三极管q2的发射极连接所述电阻r10的第一端，所述电阻r10的第二端接地，所述电阻r11的第二端连接所述切换开关k的第一选择端，所述电阻r9的第一端连接所述变阻器rp3的第一端，所述变阻器rp3的第二端连接所述电阻r12的第一端，所述电阻r12的第二端接地，所述电阻r12的第一端连接所述切换开关k的第二选择端，所述切换开关k的切换闸刀端接地，所述三极管q2的集电极连接所述可控精密稳压源u3的阴极，所述可控精密稳压源u3的阳极接地，所述可控精密稳压源u3的参考极连接所述电阻r12的第一端。

10、本实用新型的工作原理及有益效果为：

11、在矩阵式并联led接通电源照射的过程中，电源模块的电压会发生波动，电压值忽大忽小，在电压过大时，会将矩阵式并联led击穿，导致led损坏；本实施例中，采用了稳压二极管d1，使得在电源模块的输出电压过大时，稳压二极管d1可被击穿导通，形成短路，对矩阵式并联led形成保护，避免电压过大发生击穿。

技术特征：

1.多串并联紫外led防击穿电路，包括电源模块，

2.根据权利要求1所述的多串并联紫外led防击穿电路，其特征在于，还包括电感l1，所述电感l1的第一端连接所述稳压二极管d1的阳极，所述电感l1的第二端连接所述矩阵式并联led的阴极。

3.根据权利要求2所述的多串并联紫外led防击穿电路，其特征在于，还包括保护电路，所述保护电路包括电阻r6、电容c3、单向晶闸管q1、稳压二极管d2和电阻r4，所述电阻r6的第一端连接所述矩阵式并联led的阳极，所述电阻r6的第二端连接所述电容c3的第一端，所述电容c3的第二端连接所述矩阵式并联led的阴极，所述电阻r6的第一端连接所述单向晶闸管q1的阳极，所述单向晶闸管q1的阴极连接所述电容c3的第二端，所述单向晶闸管q1的阳极连接所述稳压二极管d2的阴极，所述稳压二极管d2的阳极连接所述电阻r4的第一端，所述电阻r4的第二端连接所述单向晶闸管q1的门极。

4.根据权利要求3所述的多串并联紫外led防击穿电路，其特征在于，所述保护电路还包括热敏电阻r5和稳压二极管d3，所述单向晶闸管q1的阳极连接所述热敏电阻r5的第一端，所述热敏电阻r5的第二端连接所述稳压二极管d3的阴极，所述稳压二极管d3的阳极连接所述单向晶闸管q1的门极。

5.根据权利要求1～4任一项所述的多串并联紫外led防击穿电路，其特征在于，所述电源模块包括恒流恒压驱动电路，所述恒流恒压驱动电路包括依次连接的pwm控制电路和恒流恒压控制电路，所述pwm控制电路包括控制芯片u1、换能变压器b、光耦u2、电阻r8、电容c5和二极管d5，所述换能变压器b第一初级线圈的第一端用于连接整流电路的输出端，所述电容c5的第一端连接所述换能变压器b第一初级线圈的第一端，所述电容c5的第一端连接所述电阻r8的第一端，所述电阻r8的第二端连接所述二极管d5的阴极，所述二极管d5的阳极连接所述换能变压器b第一初级线圈的第二端，所述换能变压器b第一初级线圈的第二端连接所述控制芯片u1的输出端，所述控制芯片u1的控制端连接所述光耦u2三极管的发射极，所述光耦u2三极管的集电极连接所述换能变压器b第二初级线圈的第一端，所述换能变压器b第二初级线圈的第二端接地，所述光耦u2二极管的阳极连接所述换能变压器b次级线圈的第一端，所述光耦u2二极管的阴极连接所述恒流恒压控制电路，所述换能变压器b次级线圈的第一端连接所述矩阵式并联led的阳极，所述换能变压器b次级线圈的第二端连接所述矩阵式并联led的阴极。

6.根据权利要求5所述的多串并联紫外led防击穿电路，其特征在于，所述恒流恒压控制电路包括电阻r9、三极管q2、变阻器rp2、电阻r11、电阻r10、切换开关k、电阻r12、变阻器rp3、可控精密稳压源u3、稳压二极管d7和电容c9，所述换能变压器b次级线圈的第一端连接所述电阻r9的第一端，所述电阻r9的第二端连接所述光耦u2二极管的阳极，所述光耦u2二极管的阴极连接所述三极管q2的集电极，所述三极管q2的基极连接所述变阻器rp2的第一端，所述变阻器rp2的第二端接地，所述三极管q2的集电极连接所述稳压二极管d7的阴极，所述稳压二极管d7的阳极接地，所述三极管q2的发射极连接所述电阻r11的第一端，所述三极管q2的发射极连接所述电阻r10的第一端，所述电阻r10的第二端接地，所述电阻r11的第二端连接所述切换开关k的第一选择端，所述电阻r9的第一端连接所述变阻器rp3的第一端，所述变阻器rp3的第二端连接所述电阻r12的第一端，所述电阻r12的第二端接地，所述电阻r12的第一端连接所述切换开关k的第二选择端，所述切换开关k的切换闸刀端接地，所述三极管q2的集电极连接所述可控精密稳压源u3的阴极，所述可控精密稳压源u3的阳极接地，所述可控精密稳压源u3的参考极连接所述电阻r12的第一端。

技术总结
本技术涉及紫外LED技术领域，提出了多串并联紫外LED防击穿电路，包括电源模块，还包括防击穿LED电路，所述防击穿LED电路包括电阻R3、稳压二极管D1和矩阵式并联LED，所述电阻R3的第一端连接电源V+端，所述电阻R3的第二端连接所述矩阵式并联LED的阳极，所述矩阵式并联LED的阴极连接电源V‑端，所述矩阵式并联LED的阴极连接所述稳压二极管D1的阳极，所述稳压二极管D1的阴极连接所述电阻R3的第一端。通过上述技术方案，解决了现有技术中的供电电压存在波动，在电压突然增大的情况下，会存在部分紫外LED被击穿的问题。

技术研发人员：张雪飞,蓝卫,吴亮斌
受保护的技术使用者：河北奥特维力医疗器械有限公司
技术研发日：20221205
技术公布日：2024/1/11